微电子层间介电材料介电常数

摘要：将纳米碳化硅粉体材料掺进PAA中，合成碳化硅SiC／PAA，经加热固化制成固体复合材料；利用不同型号的阻抗分析
仪表征性能，分析测试，比较介电常数，其最低可达e一2．o，平均值达￡一2．2，比基体聚酰亚胺(介电常数为3．4)及传统的的低
介电材料二氧化硅(介电常数为4．O)显著降低。
关键词：低介电常数；测试分析；纳米碳化硅

低介电常数材料(10w—K材料)是当前半导体行业
研究的热门话题[1]。通过降低集成电路中使用介电材
料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导
线之间的电容效应，降低集成电路发热等。低介电常
数材料的研究是同高分子材料密切相关的[2’3]，传统
半导体使用二氧化硅作为介电材料，二氧化硅的介电
常数约为4，已愈来愈不能适应这样的要求，于是寻求
新型的介电常数更低的电介质材料来取代传统二氧化
硅，已受到更多人的重视与研究H．5]。
1 实验过程
1．1 主要药品与仪器
二酐、4，4一二氨基二苯醚、N，N一二呷基乙酰胺、N，
N一二甲基甲酰胺：国药集团化学试剂有限公司；银浆
导电胶：10T8 1090722，SPl8 5002，美国；阻抗分析仪：
4284A型、4294A型、4192A LF型。
1．2 复合材料的制作
将二酐与4，4一二氨基二苯醚按一定的物料配比