S3C2440 NAND FLASH 烧写

S3C2440 NAND FLASH 烧写
 
文档详细介绍了如何使用 H-JTAG/H-FLASHER 对 S2C2440+NAND FLASH 进行烧写.  文中不但介绍了基本
的 NAND FLASH操作,  也包括了用户很关心的一键烧写嵌入式系统, NAND FLASH驱动程序定制修改等内容.
具体内容如下: 
 
1.      H-JTAG介绍
2.     S3C2440介绍
3.      使用H-JTAG烧写 S3C2440+NAND FLASH
4.      一键烧写嵌入式系统
5.      产品烧写模式
6.      高级应用: 修改NAND FLASH驱动程序
附录:  NAND FLASH介绍
 
用户可以根据自身需求有选择的进行阅读.  如果用户对NAND FLASH不是很了解,  我们建议用户先看一
下附录中关于NAND FLASH的基本介绍.  
 1.  H-JTAG 介绍
H-JTAG 是由北京中科凌创电子科技有限公司开发的一款具有完全知识产权的 ARM 仿真/烧写工具.  关
于工具的介绍,  关于 H-JTAG/H-FLASHER 使用的详细介绍,  用户
也可以参考H-JJTAG的用户手册.
 
针对NAND FLASH本身的特点, H-JTAG/H-FLASHER 提供了多种灵活的 NAND FLASH烧写方式.  本文将重
点详细介绍如何使用H-JTAG/H-FLASHER 对 S3C2440+NAND FLASH进行烧写. 
 
2.  S3C2440介绍
S3C2440 是三星的一款基于 ARM920T 的高性能 32 位嵌入式处理器.  处理器的最高主频 400MHZ,  内置
4K SRAM,  存储控制器支持外部扩展 SDRAM和 NOR FLASH, NAND FLASH控制器支持外接 8/16位 512/2048
字节页面大小的NAND. S3C2440,  并可以通过跳线选择从NOR FLASH或 NAND FLASH启动. 
 
  上电后,  默认情况 (未开启MMU)  下的存储分配和启动选择有关系.  如果选择从 NOR FLASH 启动,  地
址0x0开始的空间是NOR FLASH,  地址0x30000000开始的空间是SDRAM,  地址0x40000000开始的4K空间
是片内SRAM.  如果选择从NAND FLASH启动, NOR FLASH未分配地址,  地址0x0开始的4K空间是片内SRAM,
地址 0x30000000 开始的空间是外部 SDRAM,  地址 0x40000000 开始的 4K 空间是片内 SRAM.  烧写 NAND
FLASH时,  可以选择使用片内 SRAM 或是外部SDRAM. S3C2440的具体存储分配请参考下图.1747