国家标准G B 4 0 2 3 -8 6 ( ( 半导体分立器件 第2 部分: 整流二极管》 是8 0 年代中期, 根据当时的工
业科技水平及使用的实际需要而制订的, 等效采用了I E C 7 4 7 - 2 09 8 3 ) 《 半导体器件 分立器件和集成
电路 第2 部份: 整流二极管》 的全部内容及其所引用的I E C 7 4 7 - 1 09 8 3 ) 《 半导体器件 总则》 的有关
部分。此外, 又根据我国国情, 补充了“ 瞬态热阻抗” 的( , 决速) 测试方法等。
随着科学技术的发展和生产技术的进步, 十年来国内情况发生了不同程度的变化。 国际电工委员会
也对I E C 7 4 7 - 2 作过两次修订, 为此本标准等效采用I E C 7 4 7 - 2 : 1 9 8 3 《 半导体器件 分立器件和集成电
路 第2 部分: 整流二极管》 和1 9 9 2 , 1 9 9 3 年两次修订的全部技术内容, 这样, 通过使我国标准尽可能与
国际一致或等同, 以尽快适应国际贸易、 技术和经济交流以及采用国际标准飞跃发展的需要。
本标准由国际电工委员会第4 7 技术委员会( 半导体分立器件和集成电路) 制定。
I E C 7 4 7 - 2 号标准构成I E C 7 4 7 半导体器件通用标准的第2 部分。 除I E C 7 4 7 - 1 通用标准之外, 本标
准中所给出的各项标准使整流二极管的标准趋于完善。
1 9 8 2 年9 月在伦敦举行的第4 7 技术委员会会议上, 批准了将I E C 1 4 7 和I E C 1 4 8 号标准改编成现
在按器件编排的形式的建议。 由于所有组成部分都已预先按‘ 六个月法’ 或‘ 二个月程序’ 表决批准, 所以
不需要重新表决。
以前出现在I E C 1 4 7 和I E C 1 4 8 中有关集成电路的内容, 现在将包括在I E C 7 4 8中。以前出现在
I E C 1 4 7 - 5 和I E C 1 4 7 - 5 A中有关机械和气候试验方法, 现在将包括在I E C 7 4 9 中。
由于第4 7 技术委员会不断的进行工作, 并注意到各种半导体器件领域中的进步, 所以通过对本标
准的修订和扩充将使本标准跟上时代的发展。1474