化学气相沉积过程 中 S i 的引入对硬质合金

摘 要 利用微波等离子体化学气相沉积方法 ,
以 H :
、
C H;
和八甲基环四硅氧烷(D ;
)为原料,
在硬质合金基体上沉积了
金刚石涂层 。
与一般只使用 H :
、
CH 4
为原料时 的情况相比,
金刚石涂层与硬质合金基体间的附着力有了一定程度的提
高。
对涂层断面的成分分析表明,
S i 在涂层与基体间的界 面处有富集的倾向,
而这将有助 于抑制 C o 对涂层附着力的不
利影响,
提高金刚石涂层的附着力。
关键词 微波等离子体化学气相沉积;
八甲基环四硅氧烷;
金刚石涂层;
附着力;
硬质合金
中图分类号 TQ 1 6 4 文献标识码 A1329