中华人民共和国电子工业部部标准
3CD 264型、3CD 464型
PNP硅高压低频大功率三极管
l 本标准适用于耗散功率为150W的3CD264型、3CD464型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的高压低频大功率三极管(以下简称三极管)。
三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ 614--73《半导体三极管总技术条件》的规定。
2 本标准采用的参数符号一般符合SJ1400--78《半导体器件参数符号》的规定,并补充如下符号;
——集电极一发射极(基极开路时)的维持电压。——集电极一发射极(基极一发射极接电阻时)的维持电压。
3 三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139--78((半导体三极管外形尺寸》的规定。
4 三极管的参数应符合本标准13.1和13.2条的要求。其测量方法应符合SJ 300-314--72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外,均以管壳温度Tc为25℃时为准。
5例行试验抽样方法按SJ 614—73《导体二极管总技术条件》第17条规定。
6 环境试验后,三极管的集电极一基极电压、集电极一发射极电压、发射极一基极电压应符合本标准8.1条的规定。其中、不许降档I电流放大系数的相对变化应不超过±35%。
7 环境试验后不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。不合格时应进行双倍试验。双倍试验应进行仑部项目。双倍试验后,不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。
8功率试验和高温贮存试验的试验时间均为120小时。
功率试验和高温贮存试验后,三极管应符合本标准13.1和13.2条的规定。集电极一基极电压、集电极一发射极电压、发射极一基极电压应符合要求,其中、不许降档,反向电流,不超过规范值的2倍;饱和压降不超过规范值的1.2倍;电流放大系数的相对变化应不超过±35%。
9 功率试验后,全部三极管都符合第8章的规定,则为合格。若有1只三极管不符合该章规定,则将试验时间延长到240小时。240小时试验后,不符合第8章规定的三极管数最累计不超过1只为合格。
不合格时应进行双倍试验,双倍试验120小时后,全部三极管符合第8章规定则为合格。若有1只 三极管不符合该章规定,则将试验延长到240小时,不符合第8章规定的三极管累计不超过1只为合格,否则双倍试验为不合格。
10高温贮存试验后,不符合第8章规定的三极管不超过1只,则为合格。若有2只三极管不符合第8章规定,则将试验延长到240小时,240小时后,不符合该章规定的三极管累计不超过2只为合格。
不合格时,应进行双倍试验。双倍试验120小时后,不符合第8章规定的三极管不超过1SJ
只为合格。
11 双倍试验不合格时,按SJ 614--73((半导体三极管总技术条件》第23条规定执行。
12 生产单位在产品目录(或说明书)中提供以下特性曲线。
a. 安全工作区(包括直流,脉冲宽度为Is、lOOms、10ms、1ms等)曲线;
b. 热循环特性曲线I
c.—Tc的关系曲线,
d.一Tc关系曲线(Tc为-55、25、100℃时).
e. 一的关系曲线I
f.--的关系曲线(Tc为25℃时),
g. --的关系曲线。
13 3CD264型、3 CD464型PNP硅高压低频大功率三极管参数规范见表l、表2。
13.1三极管的最大极限值见表1。
参 数
|
电 压 分 档 |
| ||||
A |
B |
c |
D |
F |
计量单位
| |
-120 |
- 150 |
- 200 |
- 250 |
- 300 |
V | |
- 120 |
- 150 |
- 200 |
- 250 |
- 300 |
V | |
-4 |
-4 |
-4 |
-4 |
-4 |
V | |
一2 |
A | |||||
30 |
W | |||||
150(金属封装),l25(塑料封装) |
℃ | |||||
- 55~+ 150(金属封装),-40~+ 125(塑料封装) |
℃ |
注:为=5时的集电极直流电流。
3.2三极管的电特性见表2。
注:?B档以上的器件第一个测试点的 选在线与线的交点处,>。
?B档以上的器件第二个测试点的>0.9,此点不应发生二次击穿。
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