SJ 2373 83 3CD262型、3CD462型 PNP硅高压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准

3CD262型、3CD462型    

PNP硅高压低频大功率三极管

l 本标准适用于耗散功率为100W的3CD262型、3CD462型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的高压低频大功率三极管（以下简称三极管）。

    三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614--73《半导体三极管总技术条件》的规定。

2 本标准采用的参数符号一般符合SJ1400--78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号；

    ——集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。

3 三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139--78（（半导体三极管外形尺寸》的规定。

4 三极管的参数应符合本标准13.1和13.2条的要求。其测量方法应符合SJ 300-314--72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。

5例行试验抽样方法按SJ 614—73《导体二极管总技术条件》第17条规定。

6 环境试验后，三极管的集电极一基极电压、集电极一发射极电压、发射极一基极电压应符合本标准8.1条的规定。其中、不许降档I电流放大系数的相对变化应不超过±35%。

7 环境试验后不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。不合格时应进行双倍试验。双倍试验应进行仑部项目。双倍试验后，不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。

8功率试验和高温贮存试验的试验时间均为120小时。

功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准13.1和13.2条的规定。集电极一基极电压、集电极一发射极电压、发射极一基极电压应符合要求，其中、不许降档，反向电流，不超过规范值的2倍；饱和压降不超过规范值的1.2倍；电流放大系数的相对变化应不超过±35%。

9 功率试验后，全部三极管都符合第8章的规定，则为合格。若有1只三极管不符合该章规定，则将试验时间延长到240小时。240小时试验后，不符合第8章规定的三极管数最累计不超过1只为合格。

    不合格时应进行双倍试验，双倍试验120小时后，全部三极管符合第8章规定则为合格。若有1只 三极管不符合该章规定，则将试验延长到240小时，不符合第8章规定的三极管累计不超过1只为合格，否则双倍试验为不合格。

10高温贮存试验后，不符合第8章规定的三极管不超过1只，则为合格。若有2只三极管不符合第8章规定，则将试验延长到240小时，240小时后，不符合该章规定的三极管累计不超过2只为合格。

不合格时，应进行双倍试验。双倍试验120小时后，不符合第8章规定的三极管不超过1

只为合格。

11  双倍试验不合格时，按SJ 614--73（（半导体三极管总技术条件》第23条规定执行。

12 生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线。

    a．  安全工作区（包括直流，脉冲宽度为Is、lOOms、10ms、1ms等）曲线；

    b．  热循环特性曲线I

    c．—Tc的关系曲线，

    d．一Tc关系曲线(Tc为-55、25、100℃时)．

    e．  一的关系曲线I

    f．--的关系曲线（Tc为25℃时），

    g．  --的关系曲线。

13  3CD262型、3 CD462型PNP硅高压低频大功率三极管参数规范见表l、表2。

 13.1三极管的最大极限值见表1。

表1

注：为=5时的集电极直流电流。

3.2三极管的电特性见表2。

表2

注：?B档以上的器件第一个测试点的选在线与线的交点处，>。

    ?B档以上的器件第二个测试点的>0.9，此点不应发生二次击穿。