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SJ 50033.17 94 半导体分立器件3DK308型功率开关晶体管详细规范

时间：2012-5-28 14:42:50 作者：标准吧来源：SJ 阅读：1950次

半导体分立器件

3DK308型功率开关晶体管详细规范

1 范围

1.1主题内容

本规范规定了3DK308A～I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按

GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

1.2外形尺寸

外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下规定（见图1）：

1.3最大额定值

型号

Ptat¹^）

T_C=25℃

(W)

V_CBO

（V）

V_CEO

（V）

V_EBO

（V）

I_A

(A)

I_B

(A)

T₁

(℃)

T_STG

(℃)

3DK308A

3DK308B

3DK308C

3DK308D

3DK308E

3DK308F

3DK308G

150

700

800

900

1000

1100

1300

1500

400

450

500

550

60O

700

800

7.0

2.0

175

-55～175

注：1）Tc>25℃，按1.0W/℃的速率线性地降额。

25℃）

极限值

型号

h_FE1¹⁾

V_CE=10V

I_C=3.5A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

t_CBL

t_S

t_f

f_T

V_CE=1OV

Ic =1.0A

f=3.OMHz

(MHz)

C_Ob

I_E=0

V_CB=1OV

f=O.1MHz

(pF)

R_th(j-c)

V_CF=25V

Ic=2.0A

(℃/W)

Ic=3.5A

I_B=0.7A

(V)

Ic=3.5A

I_B1=0.7A

I_B2=-1.15A

( SJ 50033.17-94 半导体分立器件3DK308型功率开关晶体管详细规范 s)

max

min

max

3DK308A～I

棕7～15

红15～35

橙25～40

黄40～55

绿55～80

1.5

1.8

1.2

2.2

1.2

650

1.0

注:1）h_FE1≤40各档，其误差不超过士20%;h_FE1>40各档，其误差不超过±10%。

2引用文件

GB 4587 双极型晶体管测试方法

GB 7581 半导体分立器件外形尺寸

GJB 33 半导体分立器件总规范

GJB 128 半导体分立器件试验方法

3要求

3.1详细要求

各项要求应按GJB 33和本规范的规定。

3.2设计、结构和外形尺寸

器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。

3.2.1引出线材料和涂层

引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。

3.3标志

器件的标志应按GJB 33的规定。

4质量保证规定

4.1抽样和检验

抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。

4.2鉴定检验

鉴定检验应按GJB 33的规定。

4.3筛选（仅对GT和GCT级）

器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。

筛选（见GJB 33的表2）	测试
筛选（见GJB 33的表2）	GT和GCT级
7、中间电参数测试	I_CBO1和h_FE1
8、功率老化	见4.3.1
9、最后测试	按本规范表1的A2分组： ⊿I_CBO1≤初始值的100%或250A取较大者。 ⊿h_FE1≤初始值的士20%

4.3.1功率老化条件

功率老化条件如下：

T_i=162.5士12.5℃

V_CE=25V

P_tot≥75W

4.4质量一致性检验

质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。

4.4.1 A组检验

A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。

4.4.2B组检验

B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。

4.4.3C组检验

C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。

4.5检验方法

检验方法应按本规范相应的表和下列规定。

4.5.1脉冲测试

脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1的规定。

4.5.2热阻

热阻测试应按GB 4587的2.10和下列规定

a．加功率时的Ic =2.0A;

b． V_CE=25V;

c．基准温度测试点应为管壳；

d．基准点温度范围为25℃≤T_C≤75℃，实际温度应记录；

e. 安装应带散热装置；

f． R_th(j-c)的最大极限值应为1.0 C/W。

4.5.3C组寿命试验

C组寿命试验应按GJB 33和本规范的规定进行。

4.5.4恒定加速度

恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行。

表1 A组检验

检验或试验

GB 4587

LTPD

符号

极限值

单位

方法

条件

min

max

A1分组

外观及机械检验

GJB 128

2071

A2分组

集电板-发射极

击穿电压

3DK308A

3DK308B

3DK308C

3DK308D

3DK308E

3DK308F

3DK20EG

发射极-基极

击穿电压

集电报-基极

截止电流

集电极-发射极

截止电流

发射极-基极

截止电流

集电极-发射极

饱和电压

本规范

附录A

2.9.2.2

2.1

2.1.4

2.2

2.3

发射极-基极开路

I_C=5mA

集电极-基极开路；

I_E=5mA

发射极-基极开路；

V_CB=V_CBO

发射极-基极开路；

V_CE=1/2V_CEO

集电极-基极开路；

V_EB=6V

Ic=3.5A

I_B=0.7A

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO1

I_CEO

I_EBO

V_CE(sat)

400

450

500

55O

600

700

800

—

0.5

1.5

0.5

1.5

续表1

检验或试验

GB 4587

LTPD

符号

极限值

单位

方法

条件

min

max

基极-发射极

饱和电压

正向电流传输比

2.4

2.8

I_C=3.5A

I_B= 0.7A

V_CB=1OV

I_C=3.5A

V_BE(sat)

h_FE1

—

1.2

A3分组

高温工作

集电极-基极

截止电流

低温工作

正向电流传输比

2.1

2.8

T_A=125±5℃

发射极-基极开路

V_CB=0.7V_CBO

T_A=-55℃

V_CE=10V

I_C=3.5A

脉冲法（见4.5.1）

I_CBO2

h_FEO

—

2.O

A4分组

输出电容

导通时间

贮存时间

下降时间

2.11.3

A.4

V_CB=1OV

I_E=O

f=0.1MHz

I_C=3.5A

I_B1=0.7A

I_B2=-1.15A

I_C=3.5A

I_B1=0.7A

I_B2=-1.15A

I_C=3.5A

I_B1=0.7A

I_B2=-1.15A

C_oh

t_oo

t_r

t_f

—

350

1.2

2.4

1.2

SJ 50033.17-94 半导体分立器件3DK308型功率开关晶体管详细规范 s

A5分组

安全工作区

（直流）

试验1

试验2

试验3

试验4

3DK308A

T_C=25℃

t=1s,单次

V_CE=20V

Ic=7.5A

V_CE=25V

I_C=6.0A

V_CE=60V

I_C=1.19A

V_CE=400V

I_C=36mA

续表1

检验或试验

GB 4587

LTPD

符号

极限值

单位

方法

条件

min

max

3DK308B

3DK308C

3DK308D

3DK308E

3DK308F

3DK308G

最后测试

V_CE=450V

Ic=29mA

V_CE=500V

Ic=24mA

V_CE=550V

Ic=20mA

V_CE=600V

Ic=17mA

V_CE=700V

Ic=13mA

V_CE=800V

Ic=10mA

见表4步骤1和3

表2 B组检验

检验或试验

GJB 128

LTPD

方法

条件

B1分组

可焊性

标志耐久性

2026

1022

B2分组

热冲击（温度循环）

密封

a．细检漏

b．粗检漏

最后测试

1051

1071

低温-55℃

其余条件见试验条件F

试验条件H

试验条件F

见表4步骤1和3

B3分组

稳态工作寿命

最后测试

1027

T_i=162.5土12.5℃

V_CE=25V

P_tot≥75W

见表4步骤2和4

B4分组

开帽内部目检

（设计核实）

键合强度

2075

2037

试验条件A

每批1个器件，

O失效

20(c=O)

B6分组

高温寿命（不工作）

最后涮试

1032

T_A=175℃

见表4步骤2和4

表3 C组检验

检验或试验

C-JB 128

LTPD

符号

极限值

单位

方法

条件

min

max

C1分组

外形尺寸

2066

见图1

C2分组

热冲击

（玻璃应力）

引出端强度

密封

a．细检漏

b．粗检漏

综合温度/湿度

周期试验

最后测试

1056

2036

1071

1021

试验条件B

试验条件A

试验条件H

试验条件F

见表4步骤1和3

C3分组

冲击

变频振动

恒定加速度

最后测试

2016

3086

2006

按总规范

C4分组

盐气（侵蚀）（适用时）

1041

C6分组

稳态工作寿命

最后测试

1026

T_C=100℃

T_I=162.5士12.5℃

V_CE=25V

P_tot=75W

见表4步骤2和4

SJ 50033.17-94 半导体分立器件3DK308型功率开关晶体管详细规范 =10

C8分组

热阻

GB 4587

2.10

V_CE=25V

Ic=2.0A

R_th(j-c)

1.0

C/W

表4 A组、B组和C组最后测试

步骤

检验

GB 4587

符号

极限值

单位

方法

条件

min

max

集电极-基极截止电流

2.1

发射极-基极开路

V_CB=V_CBO

发射极-基极开路

V_CB=V_CBO

I_CBO1

—

0.5

1.0

续表4

步骤

检验

GB 4587

符号

极限值

单位

方法

条件

min

max

正向电流传输比

2.3

2.8

V_CE=10V

I_C=3.5A

V_CE=10V

I_C=3.5A

h_FE1

⊿h_FE1¹⁾

初始值的

±25%

注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接收。

5交货准备

5.1包装要求

包装要求应按GJB 33的规定。

5.2贮存要求

贮存要求应按GJB 33的规定。

5.3运输要求

运输要求应按GJB 33的规定。

6说明事项

6.1合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层（见3.2.1）。

6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。

6.3直流安全工作区（见图2）。

SJ 50033.17-94 半导体分立器件3DK308型功率开关晶体管详细规范

附录A

集电极一发射极击穿电压测试方法

（补充件）

A1 目的

本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。

A2测试电路

SJ 50033.17-94 半导体分立器件3DK308型功率开关晶体管详细规范

注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。

图A1 集电极一发射极击穿电压测试电路

A3测试步骤

限流电阻R₁应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。

施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V_(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。

本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极电流及结温保持在安全值以内。

A4规定条件

a．环境温度T_A；

b．测试温度I_C。

附加说明：

本规范由中国电子标准化研究所归口。

本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。

本规范主要起草人：夏贤学、欧阳映和

计划项日代号：H901001、H901002

1950

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