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SJ 50033.25 94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:2153次
SJ 50033.25 94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

半导体分立器件2CW1001~2CW1005型

硅电压调整二极管详细规范

1范围

1.1主题内容

    本规范规定了2CW1001~2CW1005型硅电压调整二级管(以下简称器件)的详细要求。

1.2适用范围

    本规范适用于器件的研制、生产和采购。

1.3分类

    本规范根据器件质量保证等级进行分类。

1.3.1器件的等级  。

    按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP,GT和GCT表示。

2引用标准

    GB 6571—86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法

    GB 7581—87 半导体分立器件外形尺寸

    CJB 33--85  半导体分立器件总规范

    GJB128—86  半导体分立器件试验方法

3要求

3.1详细要求

    各项要求应按GJB 33和本规范的规定。

3.2设计、结构和外形尺寸

    器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和率规范的规定。

3.2.1引出端涂层

    引出端表面应镀锡。在不影响器件性能和标志的情况下,对引出端涂层另有要求时,可在合同或订货单中规定(见6.3条)。

3.2.2器件结构

    在硅芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构。这种器件为玻璃封接非空腔结构。

3.2.3外形尺寸

    外形尺寸应符合GB 7581中D2--10A型,见图1。

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                                                                 mm

D2~O2A

min

max

SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范2

0.45

0.56

SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

1.50

2.20

G

3.50

5.40

L

25.40

 

L1

 

2.50

L2

10.0

 

注:1)L2为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。

图1外形图

3.3最大额定值和主要电特性

3,3.1最大额定值

 

型   号

 

Pz1)

 

(mW)

IZM

 

(mA)

TOP

 

(℃)

Tstg

 

(℃)

2CW1001~1005

400

64

-55~+15O

-55~+175

注:1)当Tamb>50℃,按时4mW/℃的速率线性降额,见图2。

3.3.2主要电特性(Tamb=25℃)

 

 

型   号

 

VZ

I2=IZT

(V)

 

RZZ

 

(Ω)

IR1

IR=3.5V

Tamb=25℃

(SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范A)

aVZ

 

 

(%/℃)

2CW1001

2CW1002

2CW1003

2CW1004

2CW1005

 

 

6.2士5%

 

 

 

 

20

 

 

 

 

50

 

 

O.01

O.005

O.O02

O.001

O.0005

3.4电测试要求

    电测试应符合GB 6571及本规范的规定。

3.5标志

    标志应符合GJB 33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标志:

    a.  制造厂的识别;

    b.  检验批识别代码;

    e.  型号命名中的2C部分。

3.5.1极性标志

    器件的负极端应用鲜明的色带标志,以示出器件的极性。

4质量保证规定

4.1抽样和检验

    抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。

4.2鉴定检验

    鉴定检验应按GJB 33的规定.

4..3筛选(仅对GT和GCT级)

    筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1

极限值的器件应予以剔除。

    筛选(GJB 33表2)

    测试或试验

    3 热冲击(温度循环)

除低温为-55℃、循环10次外,其余同试验条件F

    4 恒定加速度

不要求

    5 密封

不要求

    6 高温反偏

不要求

    7 中间测试

V2、R22、IR1

    8 电老化

见4.3.1条

 

    9 最后测试

 

△RZ=初始值的士20%

 

△VZ=初始值的士2.5%

4.3.1电老化条件

    按GJB 128的1038方法试验条件B进行。
    IZ=64mA,t=96h、Tamb=25士5℃。

    安装条件:离管体1Omm处安装夹具固定二极管引线使其悬空。

4.3.2示波器显示检验

    伏安持性的反向击穿区应在适应的伏安特性范围内(见表5的第9栏),利用一个示波器进行观察,示波器的显示幅值应在水平和垂直两个方向上至少有5cm。在曲线弯曲起点处的电流应小于60SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范A,剔出伏安特性曲线轨迹中有明显的折线、双曲线、不连接曲线和曲线抖动的器件。

4.4质量一致性检验

    质量一致性检验应按GJB 33和本规范的规定。

4.4.1 A组检验

    A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。

4.4.2B组检验

    B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和参数变化量(⊿)的要求应按本规范表4的相应步骤的规定进行。

4.4.3C组检验

    C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和参数变化量(⊿)的要求应按本规范表4的相应步骤的规定进行。

4.5检验和试验方法

    检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。

4.5.1浪涌电流(IZSM

    应在二极管反向施加970mA的峰值电流,并且这些峰值电流应与电流IZT(7.5mA)迭加。

采用方波脉冲,脉冲宽度10ms.浪涌1次。

4.5.2调整电压(VZ)

    应在施加测试电流IZT为20s时,测量调整电压Vz值。测量期间在距离二极管管体lOmm

处的引线温度应保持25SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范℃。如果另有要求时,则可在加测试电流IZT为22~1O00ms时间内进行测量,并在合同或订货单中规定。

4.5.3电压调整(VZ(reg))

    电流为IZM (64mA值)的10%(6.4mA)维持20s,测试Vz的数值;再把电流增加到IZM

50%(32mA)维持20s,测出Vz的数值,这两个电压的变化值不应超过0.4V。试验期间基准点

温度同4.5.2。

4.5.4电压温度系数(SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

    在环境温度Tanb1=25SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范℃和Tanb2= Tanb1+50℃分别恒温不少于30min下,施加IZT(7.5mA)值20SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范s时,分别测出VZT1、VZT2(电流精度0.01mA、电压读出六位有效数字)。

    然后,按下式计算SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范=SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范 %/℃

    测试方法见GB 6571的2.2.3.1。

 

表1 A组检验

检验或试验

 

GB 4023

LTPD

 

符号

 

极限值

单位

 

方  法

条    件

最小值

最大值

A1分组

外观及机械检验

 

 

GJB 128

2071

 

见图1

 

5

 

 

 

 

 

 

A2分组

反向电流

 

调整电压

 

2.2.5

 

2.2.1.1

 

直流法

VR=600V

IZT=7.5mA

(见本规范4.5.2)

5

 

 

 

 

VR1

 

IZ

 

 

 

5.9

 

50

 

6.51

 

SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范A

 

V

  A3分组 

  高温工作

  反向电流

 

 

2.2.5

 

 

Tamb=125℃

直流法

VR=3.5V

5

 

 

 

 

 

IR2

 

 

 

 

120

 

 

SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范A

  A4分组

  微分电阻

 

 

 拐点微分电阻

 

 

2.2.2.1

 

 

2.2.2.1

 

IZ=7.5mA

Istg=IZT的10%

f=1000Hz

f=1000Hz

IZK=0.50mA

Istg=50SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范A

5

 

 

 

RZ2

 

 

RZ1

 

 

 

 

20

 

 

1000

 

Ω

 

 

Ω

 

 

  A6分组

  浪涌电流

 

  最后测试

 

附录A

A3

 

 

IZSM=970mA

(见本规范的4.5.1)

按表4,步骤1和3

1O

 

 

 

 

 

 

 

  A7分组

  示波器显示

  检验

 

本规范

4.3.2

 

5

 

 

 

 

  A8分组

  电压调整值

 

 

 

  电压温度

  系数

  2CW1001

  2CW1002

  2CW1003

  2CW1004

  2CW1005

 

本规范

4.5.3

 

IZ1=10%IZM

测出VZ1

IZ2=10%IZM

测出VZ2

IZT=7.5mA

(见本规范的4.5.4)

10

 

VZ(stg)

 

 

 

aVZ

 

 

0.4

 

 

 

 

 

0.1

0.005

0.002

0.001

0.0005

 

V

 

 

 

%/℃

 

表2 B组检验

检验或试验

 

GJB 128.

LTPD

 

方  法

条    件

B1分组

可焊性

 

 

标志的耐久性

 

    2026

 

 

    1022

 

焊料浸渍  T=250士5℃  t=5士0.5s

受试引出端数:浸入深度离器件本体2.5mm

 

    15

 

 

 

 

B2分组

热冲击(温度循环)

 

最后测试

 

    1051

 

 

 

除低温为-55℃、循环10次外,其余同试验条件F

见表4步骤的1和3

    10

 

 

 

B3分组

稳态工作寿命

 

 

最后测试

 

    1027

 

 

 

 

Iz=64mA

t=340h、Tamb=25土5℃

按装条件:见本规范4.3.1

见表4步骤的2和3

    5

 

 

 

 

B6分组

高温寿命

(非工作状态)

最后测试

 

    1032

 

 

 

Tamb=175SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

t=340h

见表4步骤的2和3

    7

 

 

 

 

表3 C组检验

检验或试验

 

GJB 128

LTPD

 

方  法

条    件

C1分组

外形尺寸

 

    2066

 

见图1

  15

 

 C2分组

热冲击(玻璃应力)

引出端强度   

拉力

 

弯曲试验

综和温度/湿度周期

检验

外观及机械检验

最后测试

 

1056

2036

 

 

 

1081

 

2071

 

 

试验条件B

 

试验条件A 受试引出端数:2

重量:1000g t=15±3s

试验条件F  重量500g

 

 

 

见表4步骤的1和3

  10   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C4分组

(适用时)盐气(腐蚀)

 

    1041

 

  15

 

C6分组

稳态工作寿命

 

最后测试

 

    1026

 

 

 

Iz=64mA  t=1000h、Tamb=25土5℃

按装条件:见本规范4.3.1

见表4步骤的2和3

SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范=10

 

 

 

 

表4 A、B、C组检验的电测试

检验或试验

 

GB 6571

符号

扳限位

方  法

条    件

最小值

最大值

1

2

3

4

 

 

 

 

 

 

反向电流

反向电流

调整电压

电压温度

系数

2CW1001

2CW1002

2CW1003

2CW1004

2CW1005

2.2.5

2.2.5

2.2.1.1

2.2.3.1

 

 

 

 

 

 

  直流法VR=3.5V

  直流法VR=3.5V

  IZ=7.5mA

  IZ=7.5mA

 

 

 

 

 

 IR1

 IR

 VZ

 aVZ

 

 

 

 

 

 

 

   5.9

 

 

 

 

 

50

100

6.51

 

 

0.01

O.005

O.002

0.001

0.0005

 SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范A

 SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范A

  V

%/℃

 

 

 

 

 

 

5交货准备

5.1包装要求

  包装要求应符合GJB 33的规定。

5.2贮存要求

  贮存要求应符合GJB 33的规定。

5.3运输要求

  运输要求应符合GJB 33的规定。

6说明事项

6.1预定用途

    符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。

6.2订货文件内容

    合同或订单中应载明下列内容;

    a.  本规范的名称和编号;

    b.  等级(1.3.1);

    c.  数量;

    d.  需要时,其他要求。

6.3对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订单中规定(见3.2.1条)。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订单中规定。

6.4温度降额曲线


SJ 50033.25-94 半导体分立器件2CW1001~2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

 

附加说明:

本规范由中国电子技术标准化研究所归口。

本规范由八七三厂起草。

本规范主要起草人:冯泰华、刘东才、于志贤。

计划项目代号:B11026。

2153
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