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SJ 5003339 94 半导体分立器件2CZ106型硅开关整流二极管详细规范

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:671次
SJ 5003339 94 半导体分立器件2CZ106型硅开关整流二极管详细规范

半导体分立器件

2CZ106型硅开关整流二极管详细规范

1范围

1.1主题内容

    本规范规定了2CZ106型硅开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。

1.2适用范围.

    本规范适用于器件的研制、生产和采购。

1.3分类

    本规范根据器件质量保证等级进行分类.

1.3.1器件的等级

    按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。

2引用文件

  GB 4023—86  半导体分立器件  第2部分 整流二极管

  GB 6571—86  小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法

  GB 7581—87  半导体分立器件外形尺寸

  GJB 33--85   半导体分立器件总规范

  GJB 128--86  半导体分立器件试验方法

3要求

3.1详细要求

    各项要求应按GJB 33和本规范的规定。

3.2设计、结构和外形尺寸

    器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。

3.2.1引出端涂层

引出端表面应为镀锡。对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单中规定(见6.3)。

3.2.2器件结构

    器件采用玻璃钝化封装。在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构。

3.2.3外形尺寸

    外形尺寸应符合GB 7581有D2—l0A型,见图1。

SJ 50033,39-94 半导体分立器件2CZ106型硅开关整流二极管详细规范

SJ 50033,39-94 半导体分立器件2CZ106型硅开关整流二极管详细规范

 

图1  外形图

注:1)L2为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。

3.3最大额定值和主要电特性

3.3.1最大额定值

 

 

型  号

 

 

  VRSM

 

 

 

  (V)

  VRLM

 

 

 

  (V)

   IO1)

 

 

 

  (A)

   IFSM

 Io= 1A

Tp=10ms

TA = 80℃

  (A)

    TOP

 

 

 

    ℃

    Tstg

 

 

 

    ℃

低气压

 

 

 

  (Pa)

2CZ106B

    75

    50

l

30

-55~±150

-55~±175

1066.5

 2CZ106C

    150

    lOO

 2CZ106D

    300

    200

 2CZ106E

    400

    300

 2CZ106F

    600

    400

 2CZ106G

    750

    500

 2CZ106H

    900

    600

 2CZ106J

  1050

    700

 2CZ106K

  1200

    800

 

注:1)TA>80℃时,按l4.3mA/C的速率线性降额(见图2)

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3.3.2主要电特性(TA=25℃)

 

 

 

    型 号

VFMI

IFM=3V

 

(v)

IR2

VR=VRWM

 

(μA)

IR2

VR=VRWM

TA=125℃

(μA)

trr

IF=50mA

VF=10V

RL=75Ω

(μs)

    max

   max

  max

   max

2CZ106B

 

 

 

 

    1.65

 

 

 

 

 

 

 

    3

 

 

 

 

 

 

 

    50

 

 

 

 

 

 

 

    3.0

 

 

 

 2CZ106C

 2CZ106D

 2CZ106E

 2CZ106F

 2CZ106G

 2CZ106H

 2CZ106J

 2CZ106K

 

3.4电测试要求

    电测试应符合GB 4023、GB 6571及本规范的规定。

3.5标志

    标志应符合GJB 33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标志:

a.制造厂的识别;

b.检验批识别代码;

    c.型号命名中的2C部分。

3.5.1极性

    器件的负极端应采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性。

4质量保证规定

4.1抽样和检验

    抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。

4.2鉴定检验

    鉴定检验应按GJ8 33的规定。

4.3筛选(仅对GT和GCT级)

筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表l进行,超过本规范表l极限值的器件应予剔除。

筛    选

(GJB 33表2)

测试或试验

 

3.热冲击

除低温为-55℃外,其余同试验条件F

4.恒定加速度

不要求

5.密封

不要求 

6.电老化

TA=25℃,VR=VRWM,IO=1A,?=50Hz

 

9.最后测试

 

 

本规范表l和A2分组

△Ir1=初始值的l00%或0.3μA,取较大者;

△VFW1=±0.1V

4.4质量一致性检验

    质量一致性检验应按GJB 33的规定进行.

4.4.1 A组检验

    A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。

4.4.2B组检验

    B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)要求应按本规范表4的步骤进行。

4.4.3C检验

    C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行.最后测试和变化量(△)要求应按本规范表4的步骤进行。

4.5检验和试验方法

检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。

4.5.1稳态工作寿命

    在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压,接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流,整流电流的正向导通角应不大于180°不小于150°。

4.5.2脉冲测试

    脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1的规定。

4.5.3浪涌电流

    在规定的温度下,对器件通以额定正向平均电流,然后施加规定的正向(不重复)浪涌电流。

表l A组检验

检验或试验

 

GB 4023

LTPD

 

符号

 

极限值

 

 

  方  法

 

    条    件

 

最小值

 

最大信

    A1分组

    外观及机械检验

  GJB l28

    2071

 

    5

 

 

 

 

 

    A2分组

    正向电压

 

 

 

    反向电流

 

Ⅳ-1.2.3

 

 

Ⅳ-14.1

 

 IFM=3V

 Tp=lOms

占空因数

≤2%

VR=VRWM

    5

 

 

 

 

 

 

VFM1

 

 

 

 ?R1

 

 

 1.65

 

 

 

 3

 

 V

 

 

 

μA

  A3分组

  高温工作:

  反向电流

  正向电压

 

 

 

  低温工作:

  正向电压

 

 

 

 

 

Ⅳ-14.1

Ⅳ-1.2.3

 

 

 

 

Ⅳ-1.2.3

 

 

 TA=125℃

  VR= VRWM

  IFM=3A

 Tp=lOms

  占空因数

  ≤2%

  TA=-55℃

  IFM=3A

 Tp=lOms

  占空因数

  ≤2%

    5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IR2

VFM2

 

 

 

 

VFM3

 

 

 

50

 1.65

 

 

 

 

 2.0

 

 

 

 

 

μA

V

 

 

 

 

 V

 

 

 

    A4分组

    反向恢复时间

 

 

 

 

 GB 6571

2.1.4.2.2

 

 

 

  IF=50mA

  VR= 10V

  RL= 75Ω

  脉冲前沿小于0.1tn

    5

 

 

 

 

 

tn

 

 

 

 

 

3.0

 

 

 

 

μs

 

 

 

  A6分组

  浪涌电流

 

 

 

  最后测试

 

  本规范

  4.5.3

 

 

 

 

TA= 80℃

IO=1A  IFSM=30A

脉宽lOms每间隔lmin

 1次浪涌,共10次

按表4,步聚l和2

  lO

 

 

 

 

 

 

 

 

 


表2 B组检验

检验或试验

 

GIB 128

LTFD

 

符号

 

极限值

单位

 

 

方法

 

    条    件

 

最小值

 

最大值

B1分组

可焊性

标志的耐久性

 

2026

 1022

 

 

  '

    15

 

 

 

 

 

B3分组

热冲击

 

最后测试:

 

105l

 

 

 

  除低温为- 55℃外,其余同

试验条件F-1

  按表4,步聚1和2

  10

 

 

 

 

 

 

 

 B3分组

稳态工作寿命

 

最后测试

1027

 

 

 

Io=1A

 VR=VRWM

?=50Hz  正弦半波

按表4,步骤1、2知3

    5

 

 

 

 

 

 

 

B6分组

高沮寿命

(非工作状态)

最后测试:

 

1032

 

 

 

 TA=175℃

 

按表4.步聚l、2和3

    7

 

 

 

 

 

 

 

表3 C组检验

检验或试验

 

GJB 128

LTPD

 

符号

 

极限值

 

 

  方  法

 

    条    件

 

最小值

 

最大值

Cl分组

外形尺寸

 

    2066

 

见图l

 15

 

 

 

 

 

 C2分组

热冲击

引出端强度

拉力

 

弯曲试验

综合温度/湿度

周期试验

外观及机械检验

最后测试:

 

1056

2036

 

 

 

1021

 

2071

 

 

试验条件B

 

试验条件A

m=2000g  t=15g

试验条件E

省略顼处理

 

 

按表4,步聚1和2

 10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  C5分组

  (适用时)

低气压

 

试验期间测试

 

 

    1001

 

 

 

 

气压(见3.3.1)

t=60s

 

15

 

 

 

 

 

 

    -

 

 

 

 

  ,

 

 

 

 

 

续  表3

检验或试验

 

GJB  l28

LTPD

 

符号

 

极限值

 

 

  方  法

 

    条    件

 

最小值

 

最大值

反向电流

 

GB 4023

IV-1.4.1

 VR=VRWM

 

 

  IR1

 

 

    3

 

    μA

 

C6分组

稳态工作寿命

 

最后测试:

 

    1026

 

 

Io=1A;VR=VRWM

?=50Hz  正弦半波

按表4,步骤1、2知3

λ=10

 

 

 

 

 

 

 

 

表4 A、B和C组检验的电测试

检  验

 

GJB 128

符号

 

极限值

单位

 

 

方法

 

条    件

 

最小值

 

最小值

l

 

 

2

3

 

正向电压

 

 

反向电流

反向电流变化

 

IV-1.2.3

 

 

IV-l.4.1

IV-l.4.1

 

 IFM=3A

 Tp=lOms

  占空因数

  ≤2%

VR=VRWM

VR=VRWM

 VFM1

 

 

IR1

△IR11)

 

 

 

 

 

初始值的

0.3μA,取

 1.65

 

 

 3

100%或

较大者。

V

 

 

μA

 

 

注:1)本测试中,IRl超过A组极限值的器件不应接收。

5交货准备

5.1包装要求

    包装要求应按GJB 33的规定。

5.2贮存要求

    贮存要求应按GJB 33的规定。

5.3运输要求

    运输要求应按GJB 33的规定。

6说明事项

6.1预定用途

    符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。

6.2订货资料

    合同或订货单应规定下列内容;

    a.  本规范的名称和编号;

    b.  等级(见1.3.1);

    c.  数量;

    d.  需要时,其他要求。

6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3.2.1).

如使用单位需要时,典现特性曲线等可在合同或订货单中规定。

附加说明:

本规范由中国电子技术标准化研究所归口。

本规范由中国电子技术标准化研究所和八七三厂共同起草。

本规范主要起草人:金贵永、刘东才。

计划项目代号:BJ11006。

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