2AP1~2AP8,2AP21和2AP27型锗检波二极管
27A锗半导体检波二极管(以下简称产品).该产品主要用于无线电电子设备的检波、整流、限幅电路中.1.产品除应符合本标准规定外,尚应符合SJ908--74《半导体二极管(二类)总技术条件》的规定.
2.产品外形尺寸应符合部标准$3206--78《半导体=极管外形尺寸》的规定.管壳上的极性符号应为“→︱—”
3.环境试验项目、顺序及环境后考核标准按SJ908--74《半导体二极管(二类)总技术条件》第23条和第24、25条.
4.技术要求与试验方法t
(2)产品电参数应符合电参数规范表的规定,其测试方法应符合部标准SJ171~180—77、SJI230~1231--77《锗检波和开关二极管测试方法》的规定.
(2)产品经振动强度试验、机械冲击试验、变频振动试验、热冲击试验,交变潮热试验后,测量产品的JS类电参数,以不超过电参数规范表的规定为合格.
(3)瞬间断路试验[SJ908--74《半导体二极管(二类)总技术条件》第12条],本试验应与机械冲击试验结合进行.将产品管身紧固在台上,其规范按SJ908--74《半导体二极管(二类)总技术条件》第6条
(2)款的规定,所加正向电流应大于产品正向特性的拐点值,用显示灵敏度不低子lμS的“瞬间断路监测仪”作监测,如试验中出现断路现象,试验后测量产品的JS类电参数,如超过电参数规范表的规定则判为瞬旬断路试验及机械冲击试验不合格,符合电参数规范表的规定则仅判为瞬间断路试验不合格.
(4)高温性能试验【SJ908--74《半导体二极管(二类)总技术条件》第1 3条)】,将产品置于70"C士2℃的环境中、加上最高反向工作电压和最大整流电流,工作15分钟,以此时产品的整流电流与电参数规范表规定的整流电流的变化率不超过士l5%为合格.
(5)低温性能试验【SJ008--74《半导体=极管(二类)总技术条件》第14条】,将产品置于- 55±3℃的低温箱中,放置l小时之后,加最高反向工作电压和最大整流电流,以此时产品的整流电流与电参数规范表规定的整流电流的变化率不超过±15%为合格,要求对每个产品在30秒内测完.
(6)短期寿命试验【SI908--74《半导体二极管(二类)总技术条件》第16条】,在室温下,将产品加最高反向工作电压和最大整流电流进行该项试验,试验后考核产品的JS类电参数,以不超过电参数规范表的规定为合格.
(7)高温贮存试验【SJ908--74《半导体二极管(二类)总技术条件》第17条】,将产品在电参数规范表规定的产品结温下连续贮存,试验后在室温下放置2小时,考核JS类电参数,以不超过电参数规范表的规定为合格.
(8)频率特性试验;此试验按部标准SJ177—77《锗检波二极管频率特性的测试方法》的规定进行.所加负载电阻为75Ω.按定义用标准电压表作监视,以频率为0.1MHZ时的整流电压为标准,然后坛加频率到150MHZ,此时产品的检流电压下降不得超过0.1MHZ时的整流电压的50%.
该试验每半年进行一次,从成品检合格的产品中抽取lO支,频率特性试验后允许有2支不合格,若不合格产品数超过2支时,应另抽取加倍数量产品进行该项试验,若仍有2支以上产品不合格,则该产品应停产整顿质茧,直到此项试验合格。2AP1~7 2AP21,2AP27,2AP27A型锗检波二极管电参数规范表
电参数
型号 |
IF (mA) |
VR (V) |
VR (V) |
IOM (mA) |
VBM1① (V) |
VBM2② (V) |
TJM (℃) |
CO (Pf) |
外形部标 (SJ206-78) |
2AP1 |
>=2.5 |
>=10 |
>=40 |
16 |
20 |
20 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP2 |
>=7.5 |
>=25 |
>=45 |
16 |
30 |
30 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP3 |
>=5.0 |
>=25 |
>=45 |
25 |
30 |
30 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP4 |
>=2.5 |
>=50 |
>=75 |
16 |
50 |
45 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP4B |
>=2.5 |
>=50 |
>=75 |
16 |
50 |
45 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP5 |
>=2.5 |
>=75 |
>=110 |
16 |
75 |
55 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP6 |
>=2.5 |
>=100 |
>=150 |
12 |
100 |
65 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP7 |
>=5.0 |
>=100 |
>=150 |
12 |
100 |
70 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP21 |
>=50 |
7 |
|
50 |
10 |
10 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP27 |
2-10 |
150 |
|
8 |
150 |
115 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP27A |
>=210 |
150 |
|
8 |
150 |
115 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
测试条件 |
VF=1V |
IR=200RA |
IR=400μA |
|
|
|
|
|
|
试验类别 |
JS |
JS |
LX |
C |
C |
C |
C |
C |
|
注①此参数为低温性能试验,短期寿命的试验条件
②此参数为高性能试验的试验条件
2AP8型锗检波二极管电参数范规表
电参
型号 |
IF (mA) |
VR (V) |
VR (V) |
IO (mA)
|
IOM (mA) |
VRM (mA) |
TJM ℃ |
CO (pf) |
外形部标 (SJ206-78) |
2AP8A |
>=4 |
>=10 |
>=20 |
>=5 |
35 |
15 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
2AP8B |
>=6 |
>=10 |
>=20 |
>=8 |
35 |
15 |
75 |
<=1 |
EA-3型 |
测试条件 |
VF=1V |
IR=100μA |
IR=500μA |
f=70MHz Vin=1.5V |
|
|
|
f=70MHz V=-5V |
|
试验类别 |
JS |
JS |
LX |
LX |
C |
C |
C |
C |
|
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