您的位置：标准吧 > 标准下载 > SJ 20162 92 半导体集成电路JT54LS283型LS TTL 四位二进制超前进位全加器详细规范1

SJ 20162 92 半导体集成电路JT54LS283型LS TTL 四位二进制超前进位全加器详细规范1

时间：2012-5-28 14:42:50 作者：标准吧来源：SJ 阅读：1927次

中华人民共和国电子行业军用标准

半导体集成电路JT54LS283型LS-TTL

四位二进制超前进位全加器详细规范 SJ 20162-92

Detail specification for types JT54LS283 4-bit

binary FULL ADDERS with fast carry of

LS-TTL semiconductor integrated circuits

1范围

1.1主题内容

本规范规定了半导体集成电路JT54LS283型LS -TTL4位二进制超前进位全加器（以下简称器件）的详细要求。

1.2适用范围

本规范适用于器件研制、生产和采购。

1.3分类

本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值和推荐工作条件分类。

1.3.1器件编号

器件编号应按GJB 597‘微电路总规范》第3.6.2条的规定。

1.3.1.1器件型号

器件型号如下：

器件型号	器件名称
JT54LS283	4位二进制超前进位全加器

1.3.1.2器件等级

器件等级应为GJB 597第3.4条规定的B级和本规范规定的B₁级。

1,3.1.3封装形式

封装形式如下：

字母	封装形式(GB7092《半导体集成电路外形尺寸》)
C	C20P3(陶瓷无引线片式载体封装)
D	D16S3(陶瓷双列封装)
F	FI6X2(陶瓷扁平封装)
H	HI6X2(陶瓷熔封扁平封装)
J	J16S3(陶瓷熔封双列封装)

1.3.2绝对最大额定值

绝对最大额定值如下：

参数	符号	数值		单位
参数	符号	最小	最大	单位
电源电压	V_CC	-0.5	7.0	V
输入电压	V₁	-1.5	7.0	V
贮存温度	T_stg	-65	150	℃
功耗¨	P_O	—	214	mW
引线耐焊接温度（10s）	T_b	—	300	℃
结温	T_i	—	175	℃

1.3.3推存工作条件

推存工作条件如下：

参数	符号	规范值		单位
参数	符号	最小	最大	单位
电源电压范围	V_CC	4.5	5.5	V
输入高电平电压	V_IH	2.0	—	V
输入低电平电压	V_IL	—	0.7	V
环境工作温度	T_A	-55	125	℃

2引用文件

GB 3431.1--82半导体集成电路文字符号电参数文字符号

GB 3431.2--86半导体集成电路文字符号引出端功能符号

GB 3439---82半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

GB 4590--84半导体集成电路机械和气候试验方法

GB 4728.12--85 电气图用图形符号二进制逻辑单元

GB 7092---93半导体集成电路外形尺寸

GJB 548--88微电子器件试验方法和程序

GJ'B 597--88微电路总规范

GJB 1649--93 电子产品防静电放电控制大纲

3要求

3.1详细要求

各项要求应按GJB 597和本规范的规定。

图1逻辑符号、逻辑图和引出端捧列

3.2设计、结构和外形尺寸

设计、结构和外形尺寸应按GJB 597和本规范的规定。

3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列

逻辑符号、逻辑图租引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。

3.2.2功能表

功能表如下：

输入

输出

CI_O=L

CI_O=H

A₁

A₃

B₁

B₃

A₂

A₄

B₂

B₄

F₁

F₃

F₂

F₄

C0₂

C0₄

F₁

F₃

F₂

F₄

C0₂

C0₄

注：表中，H为高电平、L为低电平。先由A_l、B₁、A₂、B₂、CIo的输入条件确定F₁、F₂输出和内部进位C0₂的值；然后再由C0₂、A₃、A₄、B₄的值来确定F₃、F₄、和C0₄。

3.2.3电原理图

制造厂在鉴定之前应将电原理图提交鉴定机构。电原理图应由鉴定机构存档备查。

3.2.4封装形式

封装形式应符合本规范1.3.1.3条的规定。

3.3引线材料和涂覆

引线材料和涂覆应按GJB 597第3.5.6条的规定。

3.4电特性

电特性应符合表l的规定。

表l电特性

特性	符号	条件¹^） (若无其他规定 -55℃≤T_A≤125 ℃)				规范值		单位
						最小	最大
输出高电电压	V_OH	Vcc=4.5 V，I_OH=-400μA，V_IH=2.0 V，V_IL=0.7V				2.5	—	V
输出低电平电压	V_OL	Vcc=4.5 V, ,I_OL=4mA V_IH=2.0 V，V_IL=0.7V				—	0.4	V
输入钳位电压	V_IK	Vcc=4.5V,I_IK=-l8mA T_A=25℃				—	-1.5	V
最大输入电压时输入电流	I_I	Vcc=5.5V V₁=7.0V	A₁～A₄,B₁～B₄			—	200	mA
			CI_O				100
输入高电平电流	I_IH	Vcc=5.5V V₁=2.7 V	A₁～A₄,B₁～B₄			—	40	μA
			CI_O				20
输入低电平电流	I_IL	Vcc=5.5V V₁=0.4V	A₁～A₄,B₁～B₄			—	-0.8	mA
			CI_O				-0.4
输出短路电流	I_OS²^）	Vcc=5.5V				-40	-100	mA
电源电流	I_CC	Vcc=5.5 V		所有输入接地		—	39	mA
				所有B端接地其它输入 V₁=4.5V		—	34
				所有输入 V₁=4.5V		—	-34
传输延迟时间	t_PHL	V_CC=5.0 V C_L=15pF R_L=2KΩ			任一A→Y	5	40	ns
	t_plh					5	39
	t_PHL				任一A→W	5	40
	tplh					5	40
	t_PHL	V_CC=5.0 V C_L=15pF R_L=560Ω			任一D→Y	5	35
	t_PLH					5	32

注：1）完整的测试条件列于表3。

2)每次只能短路一个输出端。

3.5电试验要求

各级器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各个分组的电测试按表3的规定。

表2电试验要求

GJB 548试验方法	分组（见表31
GJB 548试验方法	B级器件	B₁级器件
中间（老化前）电测试	A1	A1
中间（老化后）电测试	Al^l)	Al¹⁾
最终电测试	A2，A3，A7，A9	A2, A3, A7, A9
A组检验要求	A1, A2, A3, A7, A9, A10, All	A1,A2,A3, A7, A9
C组终点电测试	A1, A2, A3	A1, A2, A3
C组检验增加的电分组	不要求	A10, All
D组终点电测试（方法50051	A1, A2, A3	A1, A2, A3

注：1）该分组要求PDA计算（见4.2条）。

表3 JT54LS283电测试

组	符号	引用标准GB 3439	条件（若无其他规定，T_A= 25℃）		规范值		单位
					最小	最大
A1	V_OH	2.2	Vcc=4.5 V，所有输入V_IH= V，被测输出I_OH=400μA		2.5	—	V
	V_OL	2.5	V_CC=4.5V，所有输入V_IL=7V，被测输出I_OL=4mA		—	0.4	V
	V_IK	2.1	Vcc=4.5 V，被测输入V_IK=-18 mA		—	-1.5	V
	I_I	2.11	V_CC=5.5 V，被测输入V₁=7.0 V,其余所有输入V₁=0V	A₁～A₄， B₁～B₄	—	200	μA
				CI_O	—	l∞
	I_IH	2.12	Vcc=5.5 V．被测输入V₁=2.7 V，其余所有输入V₁=0V	A₁～A₄， B₁～B₄	—	40	μA
				CI_O	—	20
	I_IL	2.12	Vcc=5.5 V．被测输入V₁=0.4 V，其余所有输入V₁=4.5V	A₁～A₄， B₁～B₄	—	0.8	mA
				CI_O	—	0.4
	I_OS	2.21	Vcc=5.5 V．被有输入V₁=4.5 V，所测输出接地		-20	-100	mA
	I_CC	2.25	Vcc=5.5V	所有输入V₁=0V	—	39
				所有B端V₁=0V，其余输入V₁=4.5V	—	34	mA
				所有输入V₁=4.5V	—	34

续表3

	符号		引用标准GB 3439		条件（若无其他规定，T_A=25℃）		规范值		单位
							最小	最大
A2	T_A=125℃，除V_IK不测试外，参数、条件、规范值要求同A1分组
A3	T_A=55℃，除V_IK不测试外，参数、条件、规范值要求同A1分组
Al2	功能测试			V_CC=5.0 V，按功能表测试
	t_PHL	3.5		Vcc=5.0V, 本规范图2		Clo→任一F	—	24	ns
	t_PLH	3.4					—	24
	t_PHL	3.5				Clo→C_O4 A₄，B₄→C_O4	—	17
	tplh	3.4					—	22
	t_PHL	3.5				A2, B2→F2 A4, B4→F2	—	24
	t_PLH	3.4					—	24
	t_PHL	3.5		T_A=125℃， V_CC=5.0V, 见本规范图2		Clo→任一F	—	40	n蓐
	t_PLH	3.4					—	39
A10	t_PHL	3.5				Clo→C_O4 A₄，B₄→C_O4	—	35
	t_PLH	3.4					—	32
	t_PHL	3.5				A2, B2→F2 A4, B4→F2	—	40
	t_PLH	3.4					—	40
All	除T_A=55℃外，参数、条件、规范值均同A10分组

负载线路

SJ 20162-92 半导体集成电路JT54LS283型LS-TTL 四位二进制超前进位全加器详细规范_1

波形图

SJ 20162-92 半导体集成电路JT54LS283型LS-TTL 四位二进制超前进位全加器详细规范_1

注：①输入波形：f=l MHz，t₁≤15 ns，t_f≤6ns，t_W≤0.5μS。

②R_L=2 kΩ±5%（测F1—F4输出）；R_L=560Ω±5%（测C04输出）；C_L=15 pF(包括探头和夹具电容)，二极管为2CK76或其等效型号。

图2负载线路和波形图

3.6标志

标志应按GJB 597第3.6条的规定。

3.7微电路组的划分

本规范所涉及的器件为第11微电路组（见GJB 597附录E）。

4质量保证规定

4.1抽样和检验

除本规范另有规定外，抽样和检验程序应按GJ'B 597和GJB 548方法5005的规定。

4.2筛选

在鉴定检验和质量一致性检验之前，全部器件应按GJ'B 548方法5004和本规范表4的规定进行筛选。

表4筛选程序

若无其他规定，表中采用的方法系指GJB 548的试验方法。

项目	条件和要求				说明
	B级器件		B₁级器件
	方法	条件	方法	条件
内部目捡（封帽前）	2010	试验条件B	2010	试验条件B
稳定性烘焙（不要求终点电测试）	1008	试验条件C （150℃，24 h)	1008	试验条件C (150℃，24 h)
温度循环	1010	试验条件C	1010	试验条件C	可用方法1011试验条件A替代
恒定加速度	2001	试验条件E Y1方向	2001	试验条件D，Yi方向
目检					可在“密封”筛选后进行．引线断落、外壳破裂、封盖脱落为失效。
中间（老化前）电测试		本规范A₁分组		本规范A₁分组	由制造厂决定是否进行本筛选
老化	1015	试验条件D (125℃，160h)	1015	试验条件D(125℃，160h)	采用本规范图3线路
中间（老化后）电测试		本规范A₁分组		本规范A_l分组
允许的不合格品率(PDA)计算	5%，本规范A1分组，当不合格品率不超过10%时可重新提交老化，但只允许一次。		10%，本规范AI分组，当不合格品率不超过20% 时可重新提交老化，但只允许一次。		所有批．若老化前未进行中间电测试，则中间（老化后）电测试AI分组的失效也应计入PDA。
最终电测试		本规范A2、 A3, A9		本规范A2、A3, A9	本筛选后，若引线涂覆改变或返工，则应再进行A1分组测试。
密封细检漏粗检漏	10I4		1014
外部目检	2009		2009
鉴定或质量一致性检验的试验样品抽取	5005	第3.5条	5005	第3.5条

1927

下载说明：
1.请先分享，再下载
2.直接单击下载地址，不要使用“目标另存为”
3.压缩文件请先解压
4.PDF文件，请用PDF专用软件打开查看
5.如果资料不能下载，请联系本站

SJ 20162 92 半导体集成电路JT54LS283型LS TTL 四位二进制超前进位全加器详细规范1

相关国家标准

最新评论

发表评论