SJ 2290—83 3DG 152型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准

               3DG 152型NPN硅外延平面     SJ2290—83

    本标准适用于3DG152型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率半导体三极管，该产品用于电子设备的大动态、低噪声高频放大电路中。

1该产品除本标准规定外，三类应符合SJ 281—76《三类半导体二、三极管总技术条件》的规定；二类应符合SJ 614—73《半导体三极管总技术条件》的规定。

2外型结构和尺寸应符合SJ 139—81《半导体三极管外形尺寸》的B-1型．应采用四根引线。

3  技术要求和试验方法

  3.1  电参数应符合参数规范表的规定.电参数的测试方法，应符合SJ 155~170—65《半导体三极管测试方法》的规定。

3.2  h_FE不分档．如需分档，按如下规定：

注：允许测试误差为±10%

  3.3环境试验后，按顺序测量下列电参数，反向电流和饱和压降应符合参数规范表的规范值，电流放大系数的相对变化不得超过±20%。

    a．反向电流；

    b．饱和压降；

    c．电流放大系数。

  5.4高温贮存和额定功率试验条件。

    b．额定功率试验条件: 功率为P_CM值，电压V_CB为1OV。

  5.5高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核。

   a． I_CBO不得大于规范值的两倍；

    b．h_FE的相对变化，不得超过±35%；

    c．V_BE（sat）的相对变化，不得超过+20%；

    d．V_CE(sat)的相对变化，不得超过0.1V+ V_CE(sat)初·20%；

    e．  反向击穿电压不得低于规范值．

4生产单位应在产品说明书、手册或样本中提供下列特性曲线：

 a．I_B—V_BE;

  b．I_C—V_CE；

  c．V_（BR）CEO、V_（BR）CBO—T_a；

  d．H_FE—T_a；

  e．H_FE—I_C；

f．f_T—I_C；

g．G_Fn—I_C ；

h．C_ob—V_CB；

I．I_CEO, I_CBO—T_a；

  j. G_Fn—f;；

  k. F_n—I_C；

l. F_n—f。

3DG152型NPN硅外延平面超高频小功率三极管规范表

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