SJ 2271—83 3DG104型NPN硅外延平面超高频小功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准

                  3DG104型NPN硅外延平面     SJ/2271—83

    本标准适用于3DG104型NPN硅外延平面超高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。

1该产品除本标准规定外，三类应符合SJ 281—76《三类半导体二、三极管总技术条件》的规定；二类应符合SJ 614—73《半导体三极管总技术条件》的规定。

2外型结构和尺寸应符合SJ 139--81《半导体三极管外形尺寸》的B-1型．

3技术要求和试验方法

  3.1  电参数应符合参数规范表的规定，电参数的测试方法，应符合SJ 155～170—65《半导体三极管测试方法》的规定。

3.2 h_FE不分档。如需分档，按如下规定：

    注：允许测试误差为±10%。

  3.5环境试验后，按顺序测量下列电参数，反向电流和饱和压降应符合参数规范表的规范值，电流放大系数的相对变化不得超过±20%。

    a．反向电流；

    b．饱和压降；

    c．电流放大系数。

  3.4高温贮存和额定功率试验条件：

    b．额定功率试验条件：功率为P_CM值，电压矿V_CB为lOV。

  5.5高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核：

    a．I_cbo不得大于规范值的两倍；

    b．h_FF的相对变化，不得超过±35%；

    c．V_BE(sat)的相对变化，不得超过+20%；

    d．V_CE(sat)的相对变化，不得超过0.1V+V_CE(sat)初，20%；

    e．反向击穿电压不得低于规范值。

4  生产单位应在产品说明书、手册或样本中提供下列特性曲线：

    a．I_B—V_BE

    b．I_C—V_CE

c．V_（BR）CEO、V_（BR）CBO—T_a；

 d．h_FE—T_a；

f. f_T—I_c；

g.  G_p—I_c；

h. C_Ob—V_CB；

i. I_CEO、I_CBO—T_a。

3DG104型NPN硅外延平面超高频小功率三极管规范

续表