中华人民共和国电子行业军用标准
半导体集成电路
JC4520型CMOS双4位二进制同步计数器 SJ 50597/35-95
详细规范
Semiconductor integrated circuits
Detail specification for type JC4520
CMOS dnal 4-bit hinary up-counters
1范围
1.1主题|JJ容
本规范规定了半导体集成电路JC4520型CMOS双4位二进制同步计数器(以下简称器
件)的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。
1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。
1.3.1器件编号器件编号应按GJB 597《微电路总规范》第3.6.2条的规定。
1.3.1.1器件型号:
器件型号如下:
器件型号 |
器件名称 |
JC4520 |
CMOS双4位二进制同步计数器 |
1.3.1.2器件等级
器件等级应为GJB 597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。
1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB/T 7092《半导体集成电路外形尺寸》的规定。
封装形式如下:
类型 |
外形代号 |
D |
D16S3 |
F |
F16X2 |
H |
H16X2 |
J |
J16S3 |
1.4绝对最大额定值
绝对最大额定值如下:
项目 |
符号 |
数值 |
单位 | |
最小 |
最大 | |||
电源电压 |
VDD |
-0.5 |
18 |
V |
输入电压 |
Vi |
-0.5 |
VDD+0.5 |
V |
输入电流(每个输入端) |
│Ii│ |
— |
10 |
mA |
功耗 |
PO |
— |
200 |
mW |
贮存温度范围 |
Tng |
-65 |
175 |
℃ |
引线耐焊接温度(10s) |
Th |
— |
300 |
℃ |
结温 |
T1 |
— |
175 |
℃ |
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下:
项目 |
符号
|
条件
|
数 值 |
单位
| ||
最小 |
最大 | |||||
电源电压 |
VDD |
— |
3 |
15 |
V | |
工作环境温度 |
TA |
— |
- 55 |
125 |
℃ | |
时钟脉冲上升、下降 时间
|
Trcp tfcp |
VDD=5V |
— |
15 |
ps | |
VDD=10V |
— |
5 | ||||
VDD=15V |
— |
5 | ||||
上升时间、下降时间 |
tr tf |
VDD=5V |
— |
15 | ||
VDD=10V |
— |
15 | ||||
VDD=15V |
— |
5 | ||||
脉冲宽度
|
tw
|
Cp
|
VDD=5V |
— |
200 |
ns |
VDD=10V |
— |
100 | ||||
VDD=15V |
— |
70 | ||||
CR |
VDD=5V |
— |
250 | |||
VDD=10V |
— |
110 | ||||
VDD=15V |
— |
80
| ||||
EN
|
VDD=5V |
— |
400 | |||
VDD=10V |
— |
200 | ||||
VDD=15V |
— |
140 |
2引用文件
GB 3431.1--82 半导体集成电路文字符号 电参数文字符号
GB 3431.2--86 半导体集成电路文字符号引出端功能符号
GB 3439--82 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
GB 3834--83 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
GB 4590--84 半导体集成电路机械和气候试验方法
GB 4728.12--85 电气图用图形符号二进制逻辑单元
GB/T 7092--93 半导体集成电路外形尺寸
GJB 548--88 微电子器件试验方法和程序
GJB 597--88 徽电路总规范
GJB 1649--93 电子产品防静电放电控制大纲
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 597和本规范的规定。
本规范规定的Bl级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级器件。
3.2设计、结构和外形R寸
设计、结构和外形尺寸应符合GJB 597和本规范的规定。
3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列
逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。
引出端排列为俯视图。逻辑符号符合GB 4728.12的规定。
逻辑图(1/2)
注:①F、H、J型封装的引出端排列同D型封装。
3.2.2功能表
功能表如下:
输入 |
输出 | |||||
CP |
EN |
CR |
Q0 |
Q1 |
Q2 |
Q3 |
× |
× |
H |
L |
L |
L |
L |
↓ |
× |
L |
|
保持 | ||
× |
↑ |
L |
|
保持 | ||
× |
L |
L |
|
保持 | ||
H |
↓ |
L |
|
保持 | ||
↓ |
H |
L |
|
计数 | ||
L |
↓ |
L |
|
计数 |
注:①H—高电平;×—任意态;L—低电平。
波形图:
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构,存档备查。
3.2.4封装形式
封装形式应按本规范第1.3.1.3条的规定。
3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB 597第3.5.6条的规定。
3.4电特性
电特性应符台本规范表1的规定。
表1 电特性
特 性 |
符号 |
条 件 |
规 范 值
|
单位 | ||||||
(若无其他规定,VSS=0V)
|
VDD (V) |
TA= - 55℃ |
TA=25℃ |
TA=125℃ | ||||||
最小 |
最大 |
最小 |
最大 |
最小 |
最大 | |||||
输入正箝位电压
|
V1K+
|
VSS开路,输出端开路, IlK=1mA |
接地
|
— |
— |
— |
1.5
|
— |
— |
V
|
输入负箝位电压
|
V1K-
|
VSS接地,输出端开路, I1K=-1mA |
开路
|
— |
— |
— |
一6
|
— |
— |
V
|
电源电流 |
IDD |
V1L=OV,V1H=5V |
5 |
— |
0.5 |
— |
0.5 |
— |
15 |
μA |
V1L=OV,V1H=10V |
lO |
— |
1 |
— |
l |
— |
30 | |||
V1L=OV,V1H=15V |
15 |
— |
2 |
— |
2 |
— |
60 | |||
输出高电平电压 |
VOH |
V1L=OV,V1H=15V |
15 |
14.95 |
— |
14.95 |
— |
14.95 |
— |
V |
输出低电平电压 |
VOL |
V1L=15V,V1H=9V |
15 |
— |
0.05 |
— |
0.05 |
— |
0.05 |
V |
输入高电平电压 |
VlH |
VOH=4.5V或VOL=0.5V |
5 |
3.5 |
— |
3.5 |
— |
3.5 |
— |
V |
VOH=9V或VOL=lV |
1O |
7 |
— |
7 |
— |
7 |
— | |||
VOH=13.5V或VOL=l.5V |
15 |
11 |
— |
ll |
— |
ll |
— |
续表l
特 性 |
符号 |
条件 |
规 范 值 |
单位 | |||||||
(若无其他规定,VSS=0V) |
VDD (V) |
TA= - 55℃ |
TA=25℃ |
TA=125℃ | |||||||
最小 |
最大 |
最小 |
最大 |
最小 |
最大 | ||||||
输入低电平电压 |
V1L |
VOL=0.5V或VOH=4.5V |
5 |
— |
1.5 |
— |
1.5 |
— |
1.5 |
V | |
VOL=15V或VOH=9V |
10 |
— |
3 |
— |
3 |
— |
3 | ||||
VOL=1.5V或VOH=13.5V |
15 |
— |
4 |
— |
4 |
— |
4 | ||||
输出高电平电流 |
IOH |
V1=5V,VOH=4.0V |
5 |
0.64 |
— |
-0.51 |
— |
-0.36 |
— |
mA | |
V1=10V,VOH=9.5V |
10 |
-1.6 |
— |
-1,3 |
— |
-0.9 |
— | ||||
V1=15V,VOH=13.5V |
15 |
-4.2 |
— |
-3.4 |
— |
-2.4 |
— | ||||
输出低电平电流 |
I0L |
V1=0V,VOL=0.4V |
5 |
0.64 |
— |
0.51 |
— |
0.36 |
— |
mA | |
V1=0V,VOL=0.5V |
10 |
1.6 |
— |
1.3 |
— |
0.9 |
— | ||||
V1=0V,VOL=1.5V |
15 |
4.2 |
— |
3.4 |
— |
2.4 |
— | ||||
输入高电平电流 |
I1H |
V1H=I5V |
15 |
— |
— |
— |
lO |
— |
100 |
mA
| |
输入低电平电流 |
I1L |
V1H=OV |
15 |
— |
— |
— |
1O |
— |
-100 | ||
输入电容 |
Cl |
f=1MHz |
5 |
— |
— |
— |
7.5 |
— |
— |
pF | |
输入试验电压 |
V2AP |
Cl= 100pF,R2= l.5kΩ (见本规范4.5.3条) |
— |
— |
— |
400
|
— |
— |
— |
V
| |
传输延迟时间
|
tPLH
tPHL |
RL=200kΩ CL=50pF tr、tf=20ns f= 200kHz (见本规范图 2) |
CP,EN→Q |
5 |
— |
560 |
— |
560 |
— |
840 |
ns
|
10 |
— |
230 |
— |
230 |
— |
395 | |||||
15 |
— |
180 |
— |
160 |
— |
184 | |||||
CR→Q |
5 |
— |
650 |
— |
650 |
— |
975 | ||||
1O |
— |
225 |
— |
225 |
— |
337 | |||||
15 |
— |
170 |
— |
170 |
— |
255 | |||||
输出转换时间
|
tTLH tTHL
|
PL=200kΩ,CL=50pF tr、tf=20ns,f=200kHz (见本规范图2) |
5 |
— |
200 |
— |
200 |
— |
280 |
nS | |
10 |
— |
100 |
— |
100 |
— |
140 | |||||
15 |
— |
80 |
— |
80 |
— |
ll2 | |||||
最高时钟频率
|
fmax
|
RL=200kΩ,CL=50pF tr、tf=20ns,f=200kHz
|
5 |
1.5 |
— |
1.5 |
— |
1.1 |
— |
MHz | |
10 |
3 |
— |
3 |
— |
2.2 |
— | |||||
15 |
4 |
— |
4 |
— |
3 |
— |
3.5 电试验要求
器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按本规范表3的规定。
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