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SJ 50033 2 94 半导体分立器件 3CK2904、3 CK2904A、3CK2905和 3CK2905A型PNP硅小功率开关 晶体管详细规范2

时间：2012-5-28 14:42:50 作者：标准吧 来源：SJ 阅读：1279次
SJ 50033 2 94 半导体分立器件 3CK2904、3 CK2904A、3CK2905和 3CK2905A型PNP硅小功率开关 晶体管详细规范2
 

续表1

 

    GB 4587

 

 

  极限值

 

  检验或试验

 

 

  方  法

 

    条    件

 LTPD

 

  符  号

 

 

最小

 

最大

单位

 

2905A

正向电浇传输比

3CK2904

 3CK2905

 3CK2904A

 3CK2905A

正向电流传输比

3CK2904

 3CK2905

 3CK2904A

 3CK2905A

集电板一发射极

饱和压降

集电极一发射极

饱和压降

基极一发射极

饱和压降

基极一发射极

饱和压降

 

2.8

 

 

 

 

2.8

 

 

 

 

2.3

 

2.3

 

2.4

 

2.4

 

 

 VCE= - 10V,IC= l50mA

脉冲法（见4.5.1）

 

 

 

VCE=10V, Ic=500mA

脉冲法（见4.5.1）

 

 

 

IC= 150mA, IB=15mA

脉冲法（见4.5.1）

IC= 500mA, IB=50mA

脉冲法（见4.5.1）

IC= 150mA,IB=15mA

脉冲法（见4.5.2）

IC= 500raA,IB=50mA

脉冲法（见4.5.1）

 

 

hFE4

 

 

 

 

hFE5

 

 

 

 

VCE(at)1

VCE(at)2

 VBE(at)1

 

VBE(at)2

 

 100

 

 40

 40

 L00

l00

 

20

 30

 40

 50

 

 

 

-

 

-

 

-

 

 

-

 

 

 120

 120

 300

300

 

-

-

  -

-

-0.4

 

-1.6

 

-1.3

 

-2.6

 

 

 

-

-

-

-

 

-

-

-

-

  V

 

  V

 

  V

 

  V

 

A3分组

高温工作l

集电极一基极

截止电流

3CK2904

 3CK2905

 3CK2904A

 3CK2905A

低温工作：

正向电流传输比

3CK2904

 3CK2905

 3CK2904A

 3CK2905A

 

 

 

    2.1

 

 

 

 

 

    2.8

 

 

 

 

TA=±100℃

 

发射极一基极开路

VCB= - 50V

 

 

 

 

TA=-55℃

VCE=-10V．IC=10mA

 

 

 

 

    5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 tcl02

 

 

 

 

 

 

^疆

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  15

  30

  20

  5O

 

 

 

 

  20

  20

  lO

  IO

 

 

-

-

-

-

 

 

 

 

μA

μA

μA

μA

 

 

-

-

-

-

 

 

A4分组

小信号短路正向

电流传输比

（需要时）

3CK2904

3CK2905

 3CK2904A

 

    2.7.2

 

 

 

 

 

 

 VCE=- 1OV

IC= lmA

f=1KHz

 

 

 

    5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  25

  50

  40

 

 

 

 

 

-

  -

-

 

续表1

检验或试验

    GB 4587

 LTPD

 

  符  号

 

极限值

单位

 

 

  方  法

 

    条    件

 

最小

 

最大

3CK2905

特征频率

开路输出电容

输入电容

（输出开路）

饱和开启时间

饱和关闭时间

 

2.11

 

2.11.3

本规范

附录B

A4

A4

VCE=-20V, Ic=50mA

f=100MHz

VCB=-10V,IE=0

f=1MHz

VEB=-0.5V

Ic=0,f=1MHz

Ic=100 mA, IE=10 mA

Ic=100 mA

IR1=IF2=10mA

 

fT

 

 

Cabo

 

Cibo

 

tof

 

taf

 

100

200

 

 

 

-

 

 

-

 

 

-

 

-

-

-

 

 

 

8

 

 

30

 

 

45

 

300

-

MHz

 

 

 

pF

 

 

pF

 

 

ns

 

ns

A5、A6和A7分组不适用

 

 

 

 

 

 

 

 

表2  B组检验

检验或试验

    GB 4587

LTPD

 

 

  方  法

 

    条    件

B1分组

可焊性

标志的耐久性

2026

1022

 

15

B2分组

热冲击（温度循环）

密封

    a．细检漏

    b．粗检漏

    最后测试：

1051

1071

试验条件H

试验条件C

 

见表4步骤1、3和4

10

B3分组

  稳态工作寿命

 

 

  最后测试：

1027

VCB=-10V，Pax=600mW

TA= 25± 3℃

不允许器件散热器或强迫风冷

见表4步骤2和5

5

B4分组

  开帽内部且检

  （设计核实）

  健合强度

2075

2037

目标标准按鉴定时的设计

试验条件A

每批1个器件．

    O失效

 

    20(C=0)

B5分组

热阻

 

GB 4587

2，16

见4.5.3

13

 

续表2

 

    GJB 128

 

    检验和试验

 

 

  方  法

 

    条    件

    LTPD

 

断分组

高温寿命（不工作）

最后测试：

 

    1032

 

 

 TA= 200℃

见表4．步骤2和5

    7

 

 

 

表3 C组检验

 

    GJB 128

 

 

极限值

 

    检验或试验

 

 

方法

 

    条    件

LTPD

 

符号

 

 

最小

 

最大

单位

 

C1分组

外形尺寸

 

    2066

 

见图l

    15

 

 

 

 

 

 Q分组

热冲击（玻璃应力）

引出端强度

密封

a．细检漏

b．粗检漏

综合温度／湿度

同期试验

外观及机械试验

最后测试：

 

1056

2036

1071

 

 

1021

 

2071

 

 

试验条件A

试验条件E

 

试验条件H

试验条件C

 

 

 

见表4．步骤l、3和4

  lO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 C3分组

冲击

变频振动

恒定加速度

最后测试

 

2016

2056

2006

 

 

 

 

 

见表4．步骤1、3和4

  lO

 

 

 

 

 

 

 

 

C4分组

盐气（适用时）

 

1041

 

  15

 

 

 

 

 

C5分组

不适用

 

 

 

 

 

 

 

C6分组

稳态工作寿命

 

 

 

 

最后测试：

 

  1026

 

 

 

 

 

 

TA= 25±3℃

VCB=-10V

 Pax =600mW

不允许器件加散热器或强迫

风冷

见表4．步骤2和5

λ=10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

—9一


   续表3

 

    GJB 128

 

 

板llttl

 

    检验或试验

 

 

方法

 

    条    件

 LTPD

 

符号

 

 

最小

 

最大

单位

 

C7分组

高温工作;

集电极一发射极

饱和压降

 

低温工作：

基板一发射饭

饱和压降

 

 

 

    2.3

 

 

 

    2.4

 

 

 

TA=+150℃

Ic= 150mA

IB=15mA

脉冲法（见4.5.1）

TA=55℃

Ic=150mA

IB = 15mA

脉冲法（见4.5.1）

  5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  VCE(at3

 

 

 

 

  VCE(at)3

 

 

 

 

 

  -

 

 

 

 

 

 

 

-

 

 

-0.45

 

 

 

 

 

 

 

-1.6

 

 

  V

 

 

 

  V

 

 

 

表4 B组和C组的最后测试

 

 

    GB 4587

 

扳限值

 

步骤

 

    检验或试验

 

 

方法

 

    条    件

符  号

 

 

最小

 

最大

单位

 

    l

 

 

    2

 

 

    3

 

 

    4

 

 

 

 

    5

 

 

集电极一基极截止电流

3CK2904,3CK2905

 3CK2904A、3CK2905A

集电极一基极截止电流

3CK2904、3CK2905

 3CK2904A、3CK2905A

集电极-发射极饱和压降

 

 

正向电流传输比

 

 

3CK2904、3CK2904A

 3CK2905、3CK2905A

正向电流传输比

 

 

 2.1

 

 

 2.1

 

 

 2.3

 

 

 2.8

 

 

 

 

2.8

 

 

发射板一基极开路

VCB=-50V

 

发射极一基极开路

VCB=-50V

 

 Ic= 150mA

 IB =15mA

脉冲法（见4.5.1）

VCE= - 10V

Ic=l5OmA

脉冲法（见4.5.1）

 

 

VCE= - 10V

Ic= 150mA

脉冲法（见4.5.1）

ICBO1

 

 

 ICBO1

 

 

VCE(at)1

 

 

 

 

hFE4

 

 

 

 

  △hFE4

 

 

 

 

-

 

 

 

-

 

 

 

-

 

 

  40

  100

  初始值的

  ±25

 

 

   20

    10

 

   40

 

 

 

 

 

 

 

   120

   300

%

 

 

以

I认

 

ⅡA

 nA

 V

 

 

 

 

 

 

 

-

 

-

 

  注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。

5交货准备

5.1包装要求

    包装要求应按GJB 33的规定。

5.2贮存要求

    贮存要求应按GJB 33的规定。

5.3运输要求

    运输要求应按GJB 33的规定。

  6说明事项

6.1预定用途

    符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。

6.2订货资料

    合周或订贷单应规定下列内容；

    a.  本规范的名称和编号；’

    b．等级（见1.3.1）；

    c．数量l

    d．需要时，其他要求。．

’6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订贷单中规定（见3.2.1）。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。


    附录A

集电极一发射极击穿电压的测试方法

    （补充件）

A1  目的

    本测试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限

值。

A2测试电路

  测试电路见AI。

SJ 50033/2-94 半导体分立器件 3CK2904、3 CK2904A、3CK2905和 3CK2905A型PNP硅小功率开关 晶体管详细规范_2

图A1  集电极一发射极击穿电压测试电路

A3步骤

 

    电阻器R1为限流电阻．应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射板-基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。

 

    附录B

输人电容（输出端开路或短路）测试方法

（补充件）

Bl  目的

 

    本测试的目的是为了在规定的条件下．测试晶体管输入端的并联电容。

B2测试电路

    测试电路见图B1。

SJ 50033/2-94 半导体分立器件 3CK2904、3 CK2904A、3CK2905和 3CK2905A型PNP硅小功率开关 晶体管详细规范_2

    图B1 输入电容（输出端开路或短路）测试电路

B3步骤

    电桥输入端之间的直流电阻应小，并能传输所要求的发射极电流而不影响测试要求的精度。将规定的电压及电流加到引出端上，并将交流小信号加到输入端上。将开关s断开或闭合则取决于输出端在交流短路或开路状态。然后测试输入电容。电容读数仪应与连接的电路无关，从而消除寄生电容和电路布线所引起的误差。

附加说明：

本规范由中国电子技术标准化研究所归口。

本规范由中国电子技术标准化研究所、四四三一厂和济南半导体所共同负责起草。

本规范主要起草人：王长福、朱志光、钟泰富。

计划项目代号.BJ1104。 1279
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