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SJ 50033 2 94 半导体分立器件 3CK2904、3 CK2904A、3CK2905和 3CK2905A型PNP硅小功率开关晶体管详细规范1

时间：2012-5-28 14:42:50 作者：标准吧来源：SJ 阅读：1087次

中华人民共和国电子行业军用标准

半导体分立器件

2904A、3CK2905和

3CK2905A型PNP硅小功率开关 SJ 50033/2一94

晶体管详细规范

1.1主题内容

本规范规定了3CK2904、3CK2904A, 3CK2905和3CK2905A型PNP硅小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。

1.2适用范围

本规范适用于器件的研制、生产和采购。

1.3分类

本规范根据器件质最保证等级进行分类

1.3.1器件的等级

按GJB 33（半导体分立器件总规范）1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。

2引用文件

GB 4587 – 84 双极型晶体管测试方法

GB 7581 – 87 半导体分立器件外形尺寸

GJB 33 - 85半导体分立器件总规范

GJB 128 - 86半导体分立器件试验方法

3要求

3.1详细要求

各项要求应按GJB 33和本规范的规定。

3.2设计、结构和外形尺寸

器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。

3.2.1引出端材料和涂层

引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡和浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6.3）。

3.2.2器件结构

采用PNP硅外延平面型结构。

3.2.3外形尺寸

外形尺寸按GB 7581的A3-02B型及如下规定。见图1。

	A3-02B
	最小	公称		最大
A	6.10			6.60
φa			5.08
Φb₁				1.01
Φb₂	0.4.7		0I'9	0.508
φD	8.64			9.39

续表

	A3-O2B
	最小	公称	最大
φD₁	8.01	0.787	8.50
j	0.712		0.863
K	O．740		1.14
L	12.5		25.O
L₁			1.27

图1 外形尺寸

3.3最大额定值和主要电特性（T_A=25℃）

3.3.1最大额定值

型号

P_act¹⁾

(w)

P_act²⁾

(w)

V_CBO

(V)

V_CEO

(V)

V_EBO

（V)

I_C

(mA)

T_abc和T₁

(℃)

3CK2904

3CK2905

-60

一4O

-5

3CK2904A

3CK2905A

0.6

3.O

-60

-5

600

-65～+200

注：l）T_A>25℃，按3.43mW/℃的速率线性降额。

2) Tc>25℃，按17.2mW/℃的速率线性降额。

3.3.2主要电特性

参数

极限值

符号（单位）

测试条件

型号

最小值

最大值

h_FE1

V_CE=-10V

I_C=0.1mA

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

h_FE2

V_CE=-10V

Ic= l.OmA

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

100

175

450

175

450

h_FE3

V_CE=-10V

Ic= lOmA

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

100

续表

参数

极限值

符号（单位）

测试条件

型号

最小值

最大值

h_FE4¹^）

V_CE=-10V

Ic= 150mA

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

100

120

300

120

300

h_FE5¹^）

V_CE=-10V

Ic= 500mA

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

f_T(MHz)

V_CE=-10V

Ic = 50mA

f=100MHz

所有型号

200

C_abo(pF)

V_CB=-10V

I_E=0

f=1MHz

所有型号

t_an(ns)

Ic = lOO mA

I_B=lOmA

所有型号

t_aff(ns)

Ic = lOOmA

I_B1=I_B2=lOmA

所有型号

300

注:1）脉冲法（见4.5.1）

3.4电测试要求

电测试应符合GB 4587及本规范的规定。

3.5标志

器件的标志应按GJB 33的规定。

4质量保证规定

4.1抽样和检验

抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。

4.2鉴定检验

鉴定检验应按GJB 33的规定。

4.3筛选（仅对GT和GCT级）

筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。

一4一

筛选（见GJB 33表2）	测试和试验
7．中间参数测试	I_CBO1和h_FE4_、I_CES
8．功率老化	见4.3.1
	按本规范表l的A2分组；
9．最后测试	△I_CBO1=初始值的100%或5nA, 取其较大者；△h_FE4=±15%

4.3.1功率老化条件

功率老化条件如下：

T_A=25℃±3℃

V_cB=- 30V

P_tot= 600mW

注：允许器件上加散热器或强迫风冷。

4质量一致性检验

质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。

4.4.1A组检验

A组检验应按GJB 33和本规范表l的规定进行。

4.4.2B组梭验

B组检验应接GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)要求应按本规

范表4的步骤进行。

4.4.3C组检验

C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。

4.5检验和试验方法

检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：

4.5.1脉冲测试

脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1的规定。

4.5.2输入电容

本试验成按本规范附录B规定的方法进行。

4.5.3热阻（仅进行签定试验）

本试验应采用如下细节：

a．施加功率时的集电极电流应为90mA。

b．集电集一发射极电压为10V。

c．基准温度的测量点为管壳。

d. 基准点浓度应力25℃。

e 安装方法应是管壳带散热器。

f 最大极限应为50℃/W。

一5一

表l A组检验

GB 4587

极限值

检验或试验

方法

条件

LTPD

符号

最小

最大

单位

A1分组

外观及机械检验

GJB 128

207l

A2分组

集电极一基极

击穿电压

集电极一基极

击穿电压

集电极一发射极

击穿电压

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

集电极一基极

截止电流

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK290SA

发射极一基极

截止电流

集电极一发射极

截止电流

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

正向电流传输比

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

正向电流传输比

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

3CK2905A

正向电流传输比

3CK2904

3CK2905

3CK2904A

2.9.2．1

2.9.2.2

本规范

附录A

2.1

2.2

2.14

2.8

发射极一基极开路

Ic=l0μA

集电极一基极开路

I_E=l0μA

发射极一基极开路

I_C=10mA

脉冲法（见4.5.1）

发射极一基极开路

V_CB=-50V

集电极一基极开路

V_CB= -4V

基极-发射极短路

V_CE= -40V

V_CE= - 60V

V_CE= - 10V．I_C=0.lmA

V_CE= - 10V．I_C=1.0mA

V_（BR）CEO

V_(BR)EBO

V_（BR）CEO

I_CBO1

I_CEO

I_CBO

I_CES

h_FE1

h_FE2

h_FE3

-60

-5

-40

-60

100

175

450

175

450

μA

1087

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