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GB 11499 1989 半导体分立器件文字符号 2

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:GB 阅读:414次
GB 11499 1989 半导体分立器件文字符号 2
 

6.5光敏晶体管

6. 3.1光敏品体管的下标补充规定

6.5.1.1  电压、电流和功率的下标

  sat -饱和

  op-工作

6.5.1.2光电参数的下标

  c-截止

6.5.2文字符号表

6.5.2.1电压、电流和功率

名    称

文字符号

备    注

IB=O时的集电极一发射极电压

IE =0时的集电极一基极电压

I。-O时的发射极一基极电压

Ib—O时的发射极一集电极电压

IR-O时的集电极一发射极击穿电压

l。一O时的发射极一基极击穿电压

I。=O时的集电极一基极击穿电压

1B—O时的发射极一集电极击穿电压

集电极一发射极饱和电压

集电极(直流)电流

照射条件下的集电极电流

集电极一发射搬暗电流

V CEO

V CEO

V ESO

V Ea

V (BR)cEO

V (BR)EBO

V (BR)Ca0

V (BR)ECO

VCEsat

Ic

IC(H) ,IC(e)

ICEO

 

 

 

基极不存在任何外部连接时

 

 

 

基极不存在任何外部连接时

 

 

 

 

                                                                         

 

6.3.2.2其它

名    称

文字符号

备    注

噪声等效功率

倍增因子

光谱灵敏度

峰值响应波长

角偏差

载止频率

NEP

M

S

λp

△θ

?e

 

仅适用于雪崩光敏晶体管

 

 

 

 

6.4光耦合器

6. 4.1光耦合器的下标补充规定

6.4.1.1  电压、电流和功率的下标

    IO-隔离

    sat -饱和

    sus -维持

    w-工作

6.4.1.2光电参数的下标

  C-截止

  Ctr -电流传输比

  IO-隔离

6.4.2文字符号表

6.4.2.1  电压、电流和功率

名    称

文字符号

备    注

直流隔离电压

重复峰值隔离电压

浪涌隔离电压

基极开路,集电极一发射极电压

发射极|开路.基极有外部连接时的集电极一纂极

电压

集电极开路,基极有外部连接时的发射极一基极

电压

基极无外部连接端时的发射极一集电极电压

集电极一发射极维持电压

发射极一集电极击穿电压

集电极一基极击穿电压

发射极一基极击穿电压

输入二极管的正向电压

输入二极管的反向电压

集电极一发射极饱和电压

集电极一基极电压

输入二极管的正向电流

 

V10

VIORM

VIOSM

VCEO

VCBO

 

VEBO

 

VECO

VCE0(sus)

V(BR) ECO

V(BR)CB0

V(BR)EBO

VF

VR

VCEsat

VCB

IF

 

 

续表

名    称

文字符号

    备    注

输入二极管的反向电流

集电极直流电流

集电极一发射极暗电流

集电极一基极暗电流

输出晶体管功率耗散

总功率耗散

IR

IC

ICEO

ICBO

Ptrn

Ptot

 

 

6.4.2.2其它

名    称

文字符号

备    注

(正向)电流传输比的静态值

小信号短路(正向)电流传输比

截止频率

输入一输出电容

隔离电阻

hF(ctr)、hF

hf(ctr)、hf

?ctr

Cio

rio

 

 

7闸流管

7.1  闸流管下标的补充规定

7.1.1  电压、电流和功率的下标

    A,a-阳极

    K,k-阴极

    G,g-控制极(门极)

    D,d-断态,不触发

    T,t-通态,触发

    H.h-维持

   (BO) -转折

    Q,q-关断

    (TO) -阈值

    RC-反向导通态

7.1.2电参数的下标

  t一开通

  q_关断

  T-斜率

  RMS-有效,方均根值

  L--擎住

  C-换向

  w-工作

7.2文字符号表

7. 2.1主电压、阳极,阴极电压

名    称

文字符号

备    注

断态直流电压

断态峰值电压

断态工作峰值电压(最高断态工作电压)

VD

VDM

VDWM

 

 

续表

名    称

文字符号

备    注

断态重复峰值电压

断态不重复峰值电压

转折直流电压

通态直流电压

最低通态电压

通态阈值电压

反向直流电压

反向工作峰值电压(最高反向工作电压)

反向重复峰值电压

反向不重复峰值电压

反向击穿电压

通态平均电压

通态峰值电压

逆导通阐值电压

 

VDRM

VJISM

V(HO)

VT

VTMIN

VT(TO)

VR

VRWM

VRRM

VRSM

V(HR)

VT(AV)

VTM

 

VRC(TO)

 

 

 

 

 

 

 

仅适用于反向阻断闸流管

仅适用于反向阻断闸流管

仅适用于反向阻断闸流管

仅适用于反向阻断闸流管

 

 

仅适用于逆导通三极闸流管

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

7.2.2主电流、阳极电流、阴极电流

图10

名    称

文字符号

备    注

断态商流电流

断态峰值电流

断态重复峰值电流

断态不重复峰值电流

通态电流

通态平均电流

通态电流的有效值(通态均方根值)

通态峰值电流

转折直流电流

维持直流电流

通态过载电流

通态重复峰值电流

 

ID

IDM

IDRM

IOSM

IT

 

IT(RMS)

ITM

I(DO)

iH

I(ov)

 

ITRM

 

 


续表

名    称

文字符号

备    注

通态不重复浪涌电流

反向阻断直流电流

反向重复峰值电流

反向不重复峰值电流

反向恢复电流

擎住电流

反向击穿直流电流

反向峰值电流

逆导通直流电流

逆导通平均电流

逆导通峰值电流

逆导通过载电流

逆导通浪涌电流

ITSM

IR

IRRM

IRSM

iRR

IL

I(BR)

IRNI

IRC

IRC(AV)

IRCM

IRC(OV)

IRCSM

 

 

 

 

 

 

 

 

仅适用于逆导通三极闸流管

仅适用于逆导通三极闸流管

仅适用于逆导通兰板闸流管

仅适用于逆导通三极闸流管

仅适用于逆导通兰极闸流管

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

7.2.5控制极(门极)电压

图11

名    称

文字符号

备    注

控制极正向直流电压

控制极正向峰值电压

控制极反向直流电压

控制极反向峰值电压

控制极触发直流电压

控制极最低触发电压

控制极不触发直流电压

控制极关断直流电压

VFG

VFGM

VRG

VRGM

VGT

VGTMIN

VGD

VGQ

 

 

7.2.4控制极(门极)电流

名    称

符    号

备    注

控制极正向直流电流

控制极正向峰值电流

控制极反向直流电流

控制极反向峰值电流

控制极触发直流电流

控制极不触发直流电流

控制极关断直流电流

IFO

IFOM

IRG

IRGM

IGT

IGD

IGQ

 

 

7.2.5时间量

名    称

文字符号

备    注

控制极控制开通时间

控制极控制关断时间

电路换向恢复时间(电路换向关断时间)

控制极控制延迟时间

控制极控制上升时间

断态恢复时间

维持断态时间间隔

反向恢复时间

tgt

tgq

tq

tgd ,td

tgr,tr

tdr

tH

trr

 

 

 

只在不会发生误解时才能使用符号td

只在不会发生误解时才能使用符号tr

仅适用于逆导通三极闸流管

 

仅适用于反向阻断闸流管

 

7.2.6其它

名    称

文字符号

备    注

逆导通斜率电阻

通态斜率电阻

通态电流临界上升率

‘换向通态电流临界下降率

换向电压临界上升率

 

断态电压临界上升率

恢复电荷

断态恢复电荷

对通态电流的热阻

对逆导通电流的热阻

通态电流脉冲总能量

rRC

rT

di/dt

di/dt (c)

dv/dt (c)

(dv/dt (c0m)

dv/dt

Qr

Q dr      

Rth(T)

Rth( RC )

EP,WP

仅适于逆导通三极闸流管

 

 

仅适用于双向闸流管和逆导通三极闸流管

逆导通三极闸流管应优先选取符号dv/dt

(c)

 

 

仅适用于逆导通三极闸流管

仅适用于逆导通三极闸流管

仅适用于逆导通三极闸流管

 

 

  7.2.7功率

名    称

文字符号

备    注

通态功率耗散

反向功率耗散

断态功率耗散

导通功率耗散

导通平均功率耗散

导通总瞬时功率耗散

导通峰值功率耗散

关断功率耗散

关断平均功率耗散

关断总瞬时功率耗散

PT

PR

PD

 

PTT(Av)

PTT

PTTM

 

PRQ(AV) ,PDQ(AV)

pRQ pDQ

 

续表

名    称

文字符号

备    注

关断峰值功率耗散

控制极平均功率耗散

控制极峰值功率耗散

逆导通功率耗散

总功率耗散

PRQM ,PDQM

PG(AV)

POM

PRC

Ptot

 

 

8双极型晶体管

8.1  双极型晶体管的下标补充规定

8.1.1  电压、电流和电功率的下标

  B,b -基极端

  C,c一集电极端

  E,e-发射极端

  fl-浮置

  pt-穿通

  R-规定电阻(当不作为第一下标使用时)

  sat -饱和

  X-规定电路

8.1.2电参数的下标

  B,b-基极,共基极

  C,c-集电极,共集电极

  E,e-发射极,共发射极

  L-大信号

  sat -饱和

  S,s一存储

  sus -维持

  osc -振荡

8.2文字符号表

8. 2.1电压

名    称

文字符号

备    注

集电极一基极(直流)电压

基极-集电极(直流)电压

集电极一发射极(直流)电压

发射极,集电极(直流)电压

发射极一基极(直流)电压

基极一发射极(直流)电压

IE:一0时的集电极一基极(直流)电压

c=O时的发射极-基极(直流)电压

IB-0时的集电极一发射极(直流)电压

RBE -R时的集电极-发射极(直流)电压

VBE=O时的集电极·发射极(直流)电压

V8E=x时的集电极·发射极(直流)电压

IE—O时的集电极一基极击穿电压

Ic=o时的发射极一基极击穿电压

VCB

VBC

VCE

VEC

VEB

 

VCBO

VEBO

VCEO

VCER

VCES

VCEX

V(BR)CBO

V(BR)EBO

 

 

 

 

 

 

IC一定

IE一定

IC一定

IC一定

IC -定

发射极一基极反偏

IC -定

IE -定

 

 

名    称

文字符号

备    注

lB -0时的集电极一发射极击穿电压

RBE =R时的集电极一发射极击穿电压

y BE -X时的集电极一发射极击穿电压

VnE=O时的集电极一发射极击穿电压

IE-O时的发射极-基极浮置电压

穿通电压

集电极一发射极饱和电压

基极一发射极饱和电压

IB =O时的集电极-发射极维持电压

RBE=R时的集电极一发射极维持电压

自动增益控制电压

提前电压

V (HR)CEO

V (nR)CER

V (BR)CEX

V (BR)CES

V EHfl

V pt

V CEsnt

V BEsat

VCED(sus)

V CER (sus)

VAGC

VEY

IC -定

IC一定

IC -定

IC -定

VCB -定

 

IC一定

IE一定

 

 

 

 

 

8.2.2电流

名    称

文字符号

备    注

集电极(直流)电流

基极(直流)电流

发射极(直流)电流

IE=0时的集电极,基极截止电流

IB=O时的集电极一发射极截止电流

RBE =R时的集电极·发射极截止电流

VBE=0时的集电极一发射极截止电流

VBE=X时的集电极,发射极截止电流

VBE=X时的基极-发射极截止电流

IC =0时的发射极-基极截止电流

自动增益控制电流

IC

IB

IE

ICBO

ICEO

ICER

ICES

ICEX

IBEX

IEBO

IAGC

 

 

 

VCB -定

VCE -定

VCE—定

VCE-定

VCE一定

VCE-定

VCE一定

 

 

8.2.5功率

名    称

文字符号

备    注

总输入功率耗散

集电极功率耗散

集电极最大允许功率耗散

输入功率

输出功率

振荡功率

Ptot

Pc

PCM

Pi

Po

Posc

 

 

8.2.4规定偏置下的静态参数

名    称

文字符号

备    注

共发射极正向电流传输比的静态值

共发射极输入阻抗的静态值

大信号本征正向电流传输比

h21E,hFE

h11E,h1E

h21EL,hFEL

 

8.2.5规定偏置和频率的小信号参数

名    称

 

文字符号

 

备    注

 

小信号共发射极短路输入阻抗

小信号共基极短路输入阻抗

小信号共发射搬开路反向电压传输比

小信号共基极开路反向电压传输比

小信号共发射极短路正向电流传输比

小信号共基极短路正向电流传输比

小信号共发射搬开路输出导纳

小信号共基极开路输出导纳

小信号共发射极短路输入阻抗的实部

小信号共基极短路输入阻抗的实部

小信号共发射极短路输入阻抗的虚部

小信号共基极短路输入阻抗的虚部

共发射极(输出交流短路)输入电容

共基极(输出交流短路)输入电容

共发射极(输出交流开路)输入电容

共基极(输出交流开路)输入电容

共发射极(输入交流开路)输出电容

共基极(输入交流开路)输出电容

共发射极(输入交流短路)输出电容

共基极(输入交流短路)输出电容

共发射极(输入交流短路)反向传输电容‘

共基极(输入交流短路)反向传输电容

集电极一基极电容

小信号共发射极短路输入导纳

小信号共基极短路输入导纳

小信号共发射极短路反向传输导纳

小信号共基极短路反向传输导纳

小信号共发射极短路正向传输导纳

小信号共基极短路正向传输导纳

小信号共发射极短路输出导纳

小信号共基极短路输出导纳

小信号共发射极短路反向传输导纳的模

小信号共基极短路反向传输导纳的模

小信号共发射极短路反向传输导纳的相位

小信号共基极短路反向传输导纳的相位

小信号共发射极短路正向传输导纳的模

小信号共基极短路正向传输导纳的模

小信号共发射极短路正向传输导纳的相位

小信号共基极短路正向传输导纳的相位

输入反射系数

输出反射系数

正向传输系数

反向传输系数

 

hlle h ie

hllb,h ib

h12e h re

hl2b ,h rb

h2le,h fe

h21b,h tb

h22e,h oe

h22b,h ob

Re(hlle)

Re(hllb)

Im(hile)

Im(h11b)

Clles,Cies

Cllbs,Cib

Ciieo,Cieo

Cllbo,Cibo

C22eo,Coeo

C22bo,Cobo

C22es,Coes

C22bs,Cobs

Cl2es,Cres

C12bs,Crbs

Cc,

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/KУ11e, Уie

У11b , Уib

Уl2ere

У12b, Уrb

У2lefe

У21b, Уfb

У22e, У0e

У22b,   yob

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/KGB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/KGB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

φУ12e, φУre

φУ12b, φУrb,

      GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K,GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K,GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

φУ21e, φУfe,

φУ21b, φУfb,

Sll

S22

S21

S12

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

 

适用于具有隔离的器件端和分离屏蔽

  引线的晶体管

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

 

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K


 8.2.6Л形等效电路参数

名    称

文字符号

备    注

基区本征电阻

 

 

rbb

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

 

基极一发射极本征电导

 

g b'e

 

 

 

基极一发射极本征电容

 

基极一集射锻本征电容

基极一集射极电容

 

本征跨导

 

 

C b'e

 

C b'e

Cbc,Cc

 

gm

 

 

 

8.2.7频率参数

名    称

文字符号

备    注

共发射极截止频率

共基极截止频率

共集电极截止频率

?h21e, ?hfe

?hyb,?hfb

?h21e, ?hfc

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

正向传输系数为l时的频率

?S, ?ls

 

 

 

特征频率

 

?T

 

 

 

最高振荡频率

 

?max

 

 

8.2.8开关参数

名称

文字符号

 

备    注

 

延迟时间

上升时间

存储时间

下降时间

开通时间

关断时问

 

td

tr

ts

tf

ton

tuff

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

 

 

 

  8.2.9其它

    名    称

    文字符号

    备    注

 

噪声功率

 

有效噪声带宽

 

Pn

 

B

 

 

 

 

 

插入功率增益

Sv原用v. S. W. R.

GP,Gp

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

 

 

转换功率增益

混频功率增益

 

 

G1,Gi  

 

 

脉冲平均时间(脉冲宽度)

脉冲时间

占空比

 

GT,Gt

G mix

 

 

 

资用功率增益

效率

集电极效率

饷和电流传输比

 

tp

D

 

 

 

 

小信号集电极一发射极饱和电阻

 

G1 ,Gi

 

 

h21Esaf, hFEsit

 

集电极.发射极饱和电阻的静态值

存储电荷

 

Rce(sat)

 

 

 

 

rCE(sat )

Qs

 

 

 

8. 2.10其它电路参数

名    称

文字符号

备    注

发射极电源(直流)电压

基极电源(直流)电压

集电极电源(直流)电压

发射极外接电阻

基极外接电阻

集电极外接电阻

基极发射极间外接电阻

信号源电阻

负载电阻

负载电容

VEE

VBB

VoC

RE

RB

Rc

RBE

RG

RL

CL

 

 

9场效应晶体管

9.1  场效应晶体管的下标补充规定

  D,d-漏,漏极,共漏

  G,g-栅,栅极,共栅

  S,s-源、源极,共源

  B,b;U,u-衬底

  T;th;(TO) -阈值

9.2文字符号表

9.2.1场效应管通用文字符号

9.2.1.1电压

名    称

文字符号

备    注

漏一源(宣流)电压

栅-源(直流)电压

栅—源截止电压

 

栅一源阈值电压

正向栅-源(直流)电压

反向栅一源(直流)电压

栅—漏(直流)电压

源-衬底(直流)电压

漏一衬底(直流)电压

栅一衬底(直流)电压

栅一栅电压

漏源短路时的栅一源击穿电压

栅—源击穿电压

源极直流电源电压

漏极直流电源电压

栅极直流电源电压

VDS

VGS

V GS(OFF)

VGS(off)

VOST, VGS(th),VGS(TO)

V GSF

V GSR

VGD

VSB, V SU

V DB ,VDU

VOB, VGU

VG142

V (RR)GSS

V (BR)GS

Vss

V DD

VGG

 

 

仅适用于结型场效应晶体管和耗尽型

绝缘栅场效应晶体管

仅适用于增强型绝缘栅场效应晶体管

 

 

 

 

 

 

仅适用于多栅器件

 

 

 

 

 

 

9.2.1.2电流

名    称

文字符号

备    注

漏极(直流)电流

漏极截止电流

规定栅-源条件的漏极电流

规定(外部)栅一源电阻条件的漏极电流

VCs=0时的漏极电流

最大漏一源电流

源极(直流)电流

源极截止电流

VOD=O时的源极电流

栅极(直流)电流

正向栅极电流

反向栅极电流

源极开路的栅极截止电流

漏极开路的栅极截止电流

漏-源短路的栅极截止电流

漏-源短路的栅极漏泄电流

规定漏源电路条件的栅极截止电流

衬底电流

ID

ID(OFT),IDoff

IDSX

IDSR

IDSS

IDSM

Is

IS(OFF) ,ISoff    

Iscs

IG

IGF

IGR

IGDO

IGSO

IGSS

IGSS

IGSX

IB,Iu

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

仅适用于结型场效应晶体管

仅适用于结型场效应晶体管

仅适用于结型场效应晶体管

仅适用于绝缘栅场效应晶体管

 

 

 

9.2.1.5功率

名    称

文字符号

备    注

漏-源(直流)功率耗散

漏-源最大功率耗散。

PDS

PIXM

 

 

9. 2.1.4电阻(或电导)和电容

名    称

文字符号

备    注

漏-源电阻

栅-源电阻

栅-漏电阻

VDS=O或Vds=0时的栅电阻

漏-源通态电阻

漏一源断态电阻

小信号漏一源电阻

小信号栅-源电阻

小信号栅-漏电阻

开路栅-源电容

开路栅一漏电容

开路漏-源电容

共源极组态短路输入电容

(栅一源电容) 

共源极组态短路输出电容

(漏一源电容)

共源极组态短路输入电导

共源极组态短路输出电导   

输入交流短路共源反向传输电容

共漏极组态短路输出电容

rDS ,rdS

rGS,rgs.

rGD,rgd

rGSS ,rgss 

r DS(ON),rds(on), rDson

Rds(OFF),rd(off),rDsoff

rds

rgs

rgd

Cgso

Cgdo

Cdao

Ciss, Cllss

 

Coss,C22ss

 

giss

goss

C rss ,C12ss

Cods,C22ds

 

 

 

 

 

 

 

 

 

漏一源和栅-漏交流开路

漏一源和栅-源交流开路

栅一漏和栅一源交流开路

 

漏一源交流短路

 

栅一源交流短路

 

 

 

栅-漏交流短路

 

9.2.1.5小信号共源组态У参数和n型等效电路参数

名    称

文字符号

备    注

小信号共源组态短路输入导纳

 

小信号共源组态短路反向传输导纳

 

小信号共源组态短路正向传输导纳

 

小信号共源组态短路输出导纳

 

小信号共源组态短路反向传输导纳的模

小信号共源组态短路反向传输导纳的相位

小信号共源组态短路正向传输导纳的模

小信号共源组态短路正向传输导纳的相位

栅一源电导

栅—漏电导

漏一源电导

正向跨导

栅-源电容

栅一漏电容

漏—源电容

Уis=Re(Уis)+jωCis

y11s= Re(У11s)+ jωCis

yrs= Re(Уrs)+ jωCrs

y12s= Re(У12s)+ jωC12s

yfs= Re(Уfs)+ jωIM(yfs)

y21s= Re(У21s)+ jωIM(y21s)

Уos=Re(Уos)+jωCos

У22s=Re(У22s)+jωC22s

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/KGB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

φУrs,φУ12s,

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/KGB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

φУfs,φУ21s,

ggs

ggd

gds

gms,gm

Cgs

Cgd

Cds

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K型等效电路参数

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K型等效电路参数

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K型等效电路参数

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K型等效电路参数

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K型等效电路参数

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K型等效电路参数

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K型等效电路参数

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

一‰

图20

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

9.2.1.5小信号共源组态У参数和n型等效电路参数

名    称

文字符号

备    注

小信号共源组态短路输入导纳

 

小信号共源组态短路反向传输导纳

 

小信号共源组态短路正向传输导纳

 

小信号共源组态短路输出导纳

 

小信号共源组态短路反向传输导纳的模

小信号共源组态短路反向传输导纳的相位

小信号共源组态短路正向传输导纳的模

小信号共源组态短路正向传输导纳的相位

栅一源电导

栅一漏电导

漏一源电导

正向跨导

栅-源电容

栅一漏电容

漏一源电容

Уis=Re(Уis)+jωCis

y11s= Re(У11s)+ jωCis

yrs= Re(Уrs)+ jωCrs

y12s= Re(У12s)+ jωC12s

yfs= Re(Уfs)+ jωIM(yfs)

y21s= Re(У21s)+ jωIM(y21s)

Уos=Re(Уos)+jωCos

У22s=Re(У22s)+jωC22s

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/KGB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

φУrs,φУ12s,

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/KGB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

φУfs,φУ21s,

ggs

ggd

gds

gms,gm

Cgs

Cgd

Cds

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

靠型等效电路参数

托型等效电路参数

霄型等效电路参数

K型等效电路参数

耳型等效电路参数

丌型等效电路参数

兀型等效电路参数


 

 GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

9.2.1.6其它

    图22

小信号共源组态y参数和打等效电路参数

名    称

文字符号

备    注

功率增益

共源功率增益

资用功率增益(有用功率增益)

最大资用功率增益

(共源组态)截止频率

漏极电流温度系数

漏-源电阻温度系数

沟道一管壳热阻

附加功率效率

最高振荡频率

工作频率

Gp    

GPs

GA, Ga

Ga(max)

fyfs

aID

ards

R (th)j-c ,R (th)ch-c

ηadd

?max

?op

 

 

9.2.2配对场效应管文字符号

名    称

文字符号

备    注

栅极泄漏电流之差

 

栅极截止电流之差

 

Vcs=o时的漏极电流之比

小信号共源输出电导之差’

小信号共源正向传输电导之差

栅一源电压之差

栅-源电压之差在不同温度下变化量的绝对值

小信号共源正向传输电导之比

IGl-IG2

 

IC1-IG2

 

IDSSl/IDSS2

g0s1-g0s2

gfs1-gfs2

VCSl-VGS2

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_2/K

gfS1/gfs2

仅适用于绝缘栅场效应晶体

管,较大值者减去较小值者

仅适用于结型场效应晶体管,

较大值者减去较小值者

取较小值者作为分子

较大值者减去较小值者

较大值者减去较小值者

较大值者减去较小值者

 

取较小值者作分子

 

9.2.5砷化镓微波场效应管文字符号

名    称

文字符号

备    注

沟道温度

ldB增益压缩输出功率

ldB增益压缩功率增益

Tj.Tch

PO(1dB)

GP(ldB)

 

 

10.1.2.2磁敏电阻器件

名    称

文字符号

备  注    ’

零磁感应电阻

磁场B时电阻

磁阻比

磁阻系数

磁阻线性系数

磁阻平方系数

磁阻灵敏度

磁阻线性灵敏度

磁阻平方灵敏度

电阻温度系数

线性误差

平方律误差

临界平方律功率

最大功率耗散

栅格磁阻平方灵敏度

栅格磁阻线性灵敏度

强场下栅格磁阻器件的磁阻

弱场下栅格磁阻器件的磁阻

磁阻平方灵敏度的温度系数

磁阻线性灵敏度的温度系数

金属栅格系数

Ro

RB

RB/Ro

m

ml

ms

S

Sl

Ss

a

El

ES

Pe

Pm

SSn

Sl

RBn

Ron

pSH

plB

n

 

 

10.1.2.3磁敏二极管

名    称

文字符号

备  注

负载电阻

零场电压

零场电流

正向磁敏电压

负向磁敏电压

磁灵敏度

最大功率耗散

反向电流

正向磁敏电压温度系数

负向磁敏电压温度系数

零场电压温度系数

响应时间

 

RL

Vo

IO

△V+

△V-

SB

Pm

IR

av+

av-

avo

tres

 

 

 

给定磁场大小和方向

给定磁场大小和方向

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.1.2.4磁敏三极管

名    称

文字符号

备  注

负载电阻

磁灵敏度

零场集电极电流

正向集电极磁敏电流

负向集电极磁敏电流

基极电流

最大基极电流

RL

SB

ICHO

ΔIc+

ΔIc_

IB

IBM

 

 

 

正磁场时

负磁场时

 

 

续表

名    称

文字符号

备  注

最大功率耗散

正向磁敏电流温度系数

负向磁敏电流温度系数

响应时间

Pm

aI+

aI_

tres

 

 

10.2温度传感器

名    称

文字符号

备    注

最大功率耗散

测温范围

输出电压

反向电流

电压温度系数

线性度

互换精度

时间常数

输出阻抗

Pm

TL -TH

VF

IR

S

L

M

r

zo

 

 

附加说明:

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会提出.

本标准主要起草人:顾振球、李戌德、陈勤。

 

414
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