6.5光敏晶体管
6. 3.1光敏品体管的下标补充规定6.5.1.1 电压、电流和功率的下标
sat -饱和
op-工作
6.5.1.2光电参数的下标
c-截止
6.5.2文字符号表
6.5.2.1电压、电流和功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
IB=O时的集电极一发射极电压 IE =0时的集电极一基极电压 I。-O时的发射极一基极电压 Ib—O时的发射极一集电极电压 IR-O时的集电极一发射极击穿电压 l。一O时的发射极一基极击穿电压 I。=O时的集电极一基极击穿电压 1B—O时的发射极一集电极击穿电压 集电极一发射极饱和电压 集电极(直流)电流 照射条件下的集电极电流 集电极一发射搬暗电流 |
V CEO V CEO V ESO V Ea V (BR)cEO V (BR)EBO V (BR)Ca0 V (BR)ECO VCEsat Ic IC(H) ,IC(e) ICEO |
基极不存在任何外部连接时
基极不存在任何外部连接时
|
6.3.2.2其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
噪声等效功率 倍增因子 光谱灵敏度 峰值响应波长 角偏差 载止频率 |
NEP M S λp △θ ?e |
仅适用于雪崩光敏晶体管
|
6.4光耦合器
6. 4.1光耦合器的下标补充规定
6.4.1.1 电压、电流和功率的下标
IO-隔离
sat -饱和
sus -维持
w-工作
6.4.1.2光电参数的下标
C-截止
Ctr -电流传输比
IO-隔离
6.4.2文字符号表
6.4.2.1 电压、电流和功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
直流隔离电压 重复峰值隔离电压 浪涌隔离电压 基极开路,集电极一发射极电压 发射极|开路.基极有外部连接时的集电极一纂极 电压 集电极开路,基极有外部连接时的发射极一基极 电压 基极无外部连接端时的发射极一集电极电压 集电极一发射极维持电压 发射极一集电极击穿电压 集电极一基极击穿电压 发射极一基极击穿电压 输入二极管的正向电压 输入二极管的反向电压 集电极一发射极饱和电压 集电极一基极电压 输入二极管的正向电流
|
V10 VIORM VIOSM VCEO VCBO
VEBO
VECO VCE0(sus) V(BR) ECO V(BR)CB0 V(BR)EBO VF VR VCEsat VCB IF |
|
续表
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
输入二极管的反向电流 集电极直流电流 集电极一发射极暗电流 集电极一基极暗电流 输出晶体管功率耗散 总功率耗散 |
IR IC ICEO ICBO Ptrn Ptot |
|
6.4.2.2其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
(正向)电流传输比的静态值 小信号短路(正向)电流传输比 截止频率 输入一输出电容 隔离电阻 |
hF(ctr)、hF hf(ctr)、hf ?ctr Cio rio |
|
7闸流管
7.1 闸流管下标的补充规定
7.1.1 电压、电流和功率的下标
A,a-阳极
K,k-阴极
G,g-控制极(门极)
D,d-断态,不触发
T,t-通态,触发
H.h-维持
(BO) -转折
Q,q-关断
(TO) -阈值
RC-反向导通态
7.1.2电参数的下标
t一开通
q_关断
T-斜率
RMS-有效,方均根值
L--擎住
C-换向
w-工作
7.2文字符号表
7. 2.1主电压、阳极,阴极电压
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
断态直流电压 断态峰值电压 断态工作峰值电压(最高断态工作电压) |
VD VDM VDWM |
|
续表
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
断态重复峰值电压 断态不重复峰值电压 转折直流电压 通态直流电压 最低通态电压 通态阈值电压 反向直流电压 反向工作峰值电压(最高反向工作电压) 反向重复峰值电压 反向不重复峰值电压 反向击穿电压 通态平均电压 通态峰值电压 逆导通阐值电压
|
VDRM VJISM V(HO) VT VTMIN VT(TO) VR VRWM VRRM VRSM V(HR) VT(AV) VTM
VRC(TO) |
仅适用于反向阻断闸流管 仅适用于反向阻断闸流管 仅适用于反向阻断闸流管 仅适用于反向阻断闸流管
仅适用于逆导通三极闸流管
|
7.2.2主电流、阳极电流、阴极电流
图10
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
断态商流电流 断态峰值电流 断态重复峰值电流 断态不重复峰值电流 通态电流 通态平均电流 通态电流的有效值(通态均方根值) 通态峰值电流 转折直流电流 维持直流电流 通态过载电流 通态重复峰值电流
|
ID IDM IDRM IOSM IT
IT(RMS) ITM I(DO) iH I(ov)
ITRM |
|
续表
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
通态不重复浪涌电流 反向阻断直流电流 反向重复峰值电流 反向不重复峰值电流 反向恢复电流 擎住电流 反向击穿直流电流 反向峰值电流 逆导通直流电流 逆导通平均电流 逆导通峰值电流 逆导通过载电流 逆导通浪涌电流 |
ITSM IR IRRM IRSM iRR IL I(BR) IRNI IRC IRC(AV) IRCM IRC(OV) IRCSM |
仅适用于逆导通三极闸流管 仅适用于逆导通三极闸流管 仅适用于逆导通兰板闸流管 仅适用于逆导通三极闸流管 仅适用于逆导通兰极闸流管 |
7.2.5控制极(门极)电压
图11
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
控制极正向直流电压 控制极正向峰值电压 控制极反向直流电压 控制极反向峰值电压 控制极触发直流电压 控制极最低触发电压 控制极不触发直流电压 控制极关断直流电压 |
VFG VFGM VRG VRGM VGT VGTMIN VGD VGQ |
|
7.2.4控制极(门极)电流
名 称 |
符 号 |
备 注 |
控制极正向直流电流 控制极正向峰值电流 控制极反向直流电流 控制极反向峰值电流 控制极触发直流电流 控制极不触发直流电流 控制极关断直流电流 |
IFO IFOM IRG IRGM IGT IGD IGQ |
|
7.2.5时间量
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
控制极控制开通时间 控制极控制关断时间 电路换向恢复时间(电路换向关断时间) 控制极控制延迟时间 控制极控制上升时间 断态恢复时间 维持断态时间间隔 反向恢复时间 |
tgt tgq tq tgd ,td tgr,tr tdr tH trr |
只在不会发生误解时才能使用符号td 只在不会发生误解时才能使用符号tr 仅适用于逆导通三极闸流管
仅适用于反向阻断闸流管 |
7.2.6其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
逆导通斜率电阻 通态斜率电阻 通态电流临界上升率 ‘换向通态电流临界下降率 换向电压临界上升率
断态电压临界上升率 恢复电荷 断态恢复电荷 对通态电流的热阻 对逆导通电流的热阻 通态电流脉冲总能量 |
rRC rT di/dt di/dt (c) dv/dt (c) (dv/dt (c0m) dv/dt Qr Q dr Rth(T) Rth( RC ) EP,WP |
仅适于逆导通三极闸流管
仅适用于双向闸流管和逆导通三极闸流管 逆导通三极闸流管应优先选取符号dv/dt (c)
仅适用于逆导通三极闸流管 仅适用于逆导通三极闸流管 仅适用于逆导通三极闸流管
|
7.2.7功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
通态功率耗散 反向功率耗散 断态功率耗散 导通功率耗散 导通平均功率耗散 导通总瞬时功率耗散 导通峰值功率耗散 关断功率耗散 关断平均功率耗散 关断总瞬时功率耗散 |
PT PR PD
PTT(Av) PTT PTTM
PRQ(AV) ,PDQ(AV) pRQ pDQ |
|
续表
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
关断峰值功率耗散 控制极平均功率耗散 控制极峰值功率耗散 逆导通功率耗散 总功率耗散 |
PRQM ,PDQM PG(AV) POM PRC Ptot |
|
8双极型晶体管
8.1 双极型晶体管的下标补充规定
8.1.1 电压、电流和电功率的下标
B,b -基极端
C,c一集电极端
E,e-发射极端
fl-浮置
pt-穿通
R-规定电阻(当不作为第一下标使用时)
sat -饱和
X-规定电路
8.1.2电参数的下标
B,b-基极,共基极
C,c-集电极,共集电极
E,e-发射极,共发射极
L-大信号
sat -饱和
S,s一存储
sus -维持
osc -振荡
8.2文字符号表
8. 2.1电压
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
集电极一基极(直流)电压 基极-集电极(直流)电压 集电极一发射极(直流)电压 发射极,集电极(直流)电压 发射极一基极(直流)电压 基极一发射极(直流)电压 IE:一0时的集电极一基极(直流)电压 c=O时的发射极-基极(直流)电压 IB-0时的集电极一发射极(直流)电压 RBE -R时的集电极-发射极(直流)电压 VBE=O时的集电极·发射极(直流)电压 V8E=x时的集电极·发射极(直流)电压 IE—O时的集电极一基极击穿电压 Ic=o时的发射极一基极击穿电压 |
VCB VBC VCE VEC VEB
VCBO VEBO VCEO VCER VCES VCEX V(BR)CBO V(BR)EBO |
IC一定 IE一定 IC一定 IC一定 IC -定 发射极一基极反偏 IC -定 IE -定 |
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
lB -0时的集电极一发射极击穿电压 RBE =R时的集电极一发射极击穿电压 y BE -X时的集电极一发射极击穿电压 VnE=O时的集电极一发射极击穿电压 IE-O时的发射极-基极浮置电压 穿通电压 集电极一发射极饱和电压 基极一发射极饱和电压 IB =O时的集电极-发射极维持电压 RBE=R时的集电极一发射极维持电压 自动增益控制电压 提前电压 |
V (HR)CEO V (nR)CER V (BR)CEX V (BR)CES V EHfl V pt V CEsnt V BEsat VCED(sus) V CER (sus) VAGC VEY |
IC -定 IC一定 IC -定 IC -定 VCB -定
IC一定 IE一定
|
8.2.2电流
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
集电极(直流)电流 基极(直流)电流 发射极(直流)电流 IE=0时的集电极,基极截止电流 IB=O时的集电极一发射极截止电流 RBE =R时的集电极·发射极截止电流 VBE=0时的集电极一发射极截止电流 VBE=X时的集电极,发射极截止电流 VBE=X时的基极-发射极截止电流 IC =0时的发射极-基极截止电流 自动增益控制电流 |
IC IB IE ICBO ICEO ICER ICES ICEX IBEX IEBO IAGC |
VCB -定 VCE -定 VCE—定 VCE-定 VCE一定 VCE-定 VCE一定
|
8.2.5功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
总输入功率耗散 集电极功率耗散 集电极最大允许功率耗散 输入功率 输出功率 振荡功率 |
Ptot Pc PCM Pi Po Posc |
|
8.2.4规定偏置下的静态参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
共发射极正向电流传输比的静态值 共发射极输入阻抗的静态值 大信号本征正向电流传输比 |
h21E,hFE h11E,h1E h21EL,hFEL |
|
8.2.5规定偏置和频率的小信号参数
名 称
|
文字符号
|
备 注
|
小信号共发射极短路输入阻抗 小信号共基极短路输入阻抗 小信号共发射搬开路反向电压传输比 小信号共基极开路反向电压传输比 小信号共发射极短路正向电流传输比 小信号共基极短路正向电流传输比 小信号共发射搬开路输出导纳 小信号共基极开路输出导纳 小信号共发射极短路输入阻抗的实部 小信号共基极短路输入阻抗的实部 小信号共发射极短路输入阻抗的虚部 小信号共基极短路输入阻抗的虚部 共发射极(输出交流短路)输入电容 共基极(输出交流短路)输入电容 共发射极(输出交流开路)输入电容 共基极(输出交流开路)输入电容 共发射极(输入交流开路)输出电容 共基极(输入交流开路)输出电容 共发射极(输入交流短路)输出电容 共基极(输入交流短路)输出电容 共发射极(输入交流短路)反向传输电容‘ 共基极(输入交流短路)反向传输电容 集电极一基极电容 小信号共发射极短路输入导纳 小信号共基极短路输入导纳 小信号共发射极短路反向传输导纳 小信号共基极短路反向传输导纳 小信号共发射极短路正向传输导纳 小信号共基极短路正向传输导纳 小信号共发射极短路输出导纳 小信号共基极短路输出导纳 小信号共发射极短路反向传输导纳的模 小信号共基极短路反向传输导纳的模 小信号共发射极短路反向传输导纳的相位 小信号共基极短路反向传输导纳的相位 小信号共发射极短路正向传输导纳的模 小信号共基极短路正向传输导纳的模 小信号共发射极短路正向传输导纳的相位 小信号共基极短路正向传输导纳的相位 输入反射系数 输出反射系数 正向传输系数 反向传输系数
|
hlle h ie hllb,h ib h12e h re hl2b ,h rb h2le,h fe h21b,h tb h22e,h oe h22b,h ob Re(hlle) Re(hllb) Im(hile) Im(h11b) Clles,Cies Cllbs,Cib Ciieo,Cieo Cllbo,Cibo C22eo,Coeo C22bo,Cobo C22es,Coes C22bs,Cobs Cl2es,Cres C12bs,Crbs Cc, У11e, Уie У11b , Уib Уl2e,Уre У12b, Уrb У2le,Уfe У21b, Уfb У22e, У0e У22b, yob , φУ12e, φУre φУ12b, φУrb, , , φУ21e, φУfe, φУ21b, φУfb, Sll S22 S21 S12
|
适用于具有隔离的器件端和分离屏蔽 引线的晶体管
|
8.2.6Л形等效电路参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 | ||
基区本征电阻
|
rbb
|
|||
基极一发射极本征电导 |
g b'e |
|
| |
基极一发射极本征电容
基极一集射锻本征电容 基极一集射极电容
本征跨导
|
C b'e
C b'e Cbc,Cc
gm
|
|
8.2.7频率参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 | ||
共发射极截止频率 共基极截止频率 共集电极截止频率 |
?h21e, ?hfe ?hyb,?hfb ?h21e, ?hfc |
|||
正向传输系数为l时的频率 |
?S, ?ls |
|
| |
特征频率 |
?T |
|
| |
最高振荡频率 |
?max |
|
8.2.8开关参数
名称 |
文字符号
|
备 注
|
延迟时间 上升时间 存储时间 下降时间 开通时间 关断时问
|
td tr ts tf ton tuff |
8.2.9其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
| ||
噪声功率
有效噪声带宽
|
Pn
B
|
|
|
| |
插入功率增益 |
Sv原用v. S. W. R. GP,Gp |
|
| ||
转换功率增益 混频功率增益
|
G1,Gi |
|
| ||
脉冲平均时间(脉冲宽度) 脉冲时间 占空比
|
GT,Gt G mix
|
|
| ||
资用功率增益 效率 集电极效率 饷和电流传输比 |
tp D
|
|
| ||
小信号集电极一发射极饱和电阻
|
G1 ,Gi
h21Esaf, hFEsit |
| |||
集电极.发射极饱和电阻的静态值 存储电荷 |
Rce(sat)
|
|
| ||
|
rCE(sat ) Qs |
|
| ||
8. 2.10其它电路参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
发射极电源(直流)电压 基极电源(直流)电压 集电极电源(直流)电压 发射极外接电阻 基极外接电阻 集电极外接电阻 基极发射极间外接电阻 信号源电阻 负载电阻 负载电容 |
VEE VBB VoC RE RB Rc RBE RG RL CL |
|
9场效应晶体管
9.1 场效应晶体管的下标补充规定
D,d-漏,漏极,共漏
G,g-栅,栅极,共栅
S,s-源、源极,共源
B,b;U,u-衬底
T;th;(TO) -阈值
9.2文字符号表
9.2.1场效应管通用文字符号
9.2.1.1电压
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
漏一源(宣流)电压 栅-源(直流)电压 栅—源截止电压
栅一源阈值电压 正向栅-源(直流)电压 反向栅一源(直流)电压 栅—漏(直流)电压 源-衬底(直流)电压 漏一衬底(直流)电压 栅一衬底(直流)电压 栅一栅电压 漏源短路时的栅一源击穿电压 栅—源击穿电压 源极直流电源电压 漏极直流电源电压 栅极直流电源电压 |
VDS VGS V GS(OFF) VGS(off) VOST, VGS(th),VGS(TO) V GSF V GSR VGD VSB, V SU V DB ,VDU VOB, VGU VG142 V (RR)GSS V (BR)GS Vss V DD VGG |
仅适用于结型场效应晶体管和耗尽型 绝缘栅场效应晶体管 仅适用于增强型绝缘栅场效应晶体管
仅适用于多栅器件
|
9.2.1.2电流
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
漏极(直流)电流 漏极截止电流 规定栅-源条件的漏极电流 规定(外部)栅一源电阻条件的漏极电流 VCs=0时的漏极电流 最大漏一源电流 源极(直流)电流 源极截止电流 VOD=O时的源极电流 栅极(直流)电流 正向栅极电流 反向栅极电流 源极开路的栅极截止电流 漏极开路的栅极截止电流 漏-源短路的栅极截止电流 漏-源短路的栅极漏泄电流 规定漏源电路条件的栅极截止电流 衬底电流 |
ID ID(OFT),IDoff IDSX IDSR IDSS IDSM Is IS(OFF) ,ISoff Iscs IG IGF IGR IGDO IGSO IGSS IGSS IGSX IB,Iu |
仅适用于结型场效应晶体管 仅适用于结型场效应晶体管 仅适用于结型场效应晶体管 仅适用于绝缘栅场效应晶体管
|
9.2.1.5功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
漏-源(直流)功率耗散 漏-源最大功率耗散。 |
PDS PIXM |
|
9. 2.1.4电阻(或电导)和电容
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
漏-源电阻 栅-源电阻 栅-漏电阻 VDS=O或Vds=0时的栅电阻 漏-源通态电阻 漏一源断态电阻 小信号漏一源电阻 小信号栅-源电阻 小信号栅-漏电阻 开路栅-源电容 开路栅一漏电容 开路漏-源电容 共源极组态短路输入电容 (栅一源电容) 共源极组态短路输出电容 (漏一源电容) 共源极组态短路输入电导 共源极组态短路输出电导 输入交流短路共源反向传输电容 共漏极组态短路输出电容 |
rDS ,rdS rGS,rgs. rGD,rgd rGSS ,rgss r DS(ON),rds(on), rDson Rds(OFF),rd(off),rDsoff rds rgs rgd Cgso Cgdo Cdao Ciss, Cllss
Coss,C22ss
giss goss C rss ,C12ss Cods,C22ds |
漏一源和栅-漏交流开路 漏一源和栅-源交流开路 栅一漏和栅一源交流开路
漏一源交流短路
栅一源交流短路
栅-漏交流短路 |
9.2.1.5小信号共源组态У参数和n型等效电路参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
小信号共源组态短路输入导纳
小信号共源组态短路反向传输导纳
小信号共源组态短路正向传输导纳
小信号共源组态短路输出导纳
小信号共源组态短路反向传输导纳的模 小信号共源组态短路反向传输导纳的相位 小信号共源组态短路正向传输导纳的模 小信号共源组态短路正向传输导纳的相位 栅一源电导 栅—漏电导 漏一源电导 正向跨导 栅-源电容 栅一漏电容 漏—源电容 |
Уis=Re(Уis)+jωCis y11s= Re(У11s)+ jωCis yrs= Re(Уrs)+ jωCrs y12s= Re(У12s)+ jωC12s yfs= Re(Уfs)+ jωIM(yfs) y21s= Re(У21s)+ jωIM(y21s) Уos=Re(Уos)+jωCos У22s=Re(У22s)+jωC22s φУrs,φУ12s, φУfs,φУ21s, ggs ggd gds gms,gm Cgs Cgd Cds |
型等效电路参数 型等效电路参数 型等效电路参数 型等效电路参数 型等效电路参数 型等效电路参数 型等效电路参数 |
一‰
图20
9.2.1.5小信号共源组态У参数和n型等效电路参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
小信号共源组态短路输入导纳
小信号共源组态短路反向传输导纳
小信号共源组态短路正向传输导纳
小信号共源组态短路输出导纳
小信号共源组态短路反向传输导纳的模 小信号共源组态短路反向传输导纳的相位 小信号共源组态短路正向传输导纳的模 小信号共源组态短路正向传输导纳的相位 栅一源电导 栅一漏电导 漏一源电导 正向跨导 栅-源电容 栅一漏电容 漏一源电容 |
Уis=Re(Уis)+jωCis y11s= Re(У11s)+ jωCis yrs= Re(Уrs)+ jωCrs y12s= Re(У12s)+ jωC12s yfs= Re(Уfs)+ jωIM(yfs) y21s= Re(У21s)+ jωIM(y21s) Уos=Re(Уos)+jωCos У22s=Re(У22s)+jωC22s φУrs,φУ12s, φУfs,φУ21s, ggs ggd gds gms,gm Cgs Cgd Cds |
靠型等效电路参数 托型等效电路参数 霄型等效电路参数 K型等效电路参数 耳型等效电路参数 丌型等效电路参数 兀型等效电路参数 |
9.2.1.6其它
图22
小信号共源组态y参数和打等效电路参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
功率增益 共源功率增益 资用功率增益(有用功率增益) 最大资用功率增益 (共源组态)截止频率 漏极电流温度系数 漏-源电阻温度系数 沟道一管壳热阻 附加功率效率 最高振荡频率 工作频率 |
Gp GPs GA, Ga Ga(max) fyfs aID ards R (th)j-c ,R (th)ch-c ηadd ?max ?op |
|
9.2.2配对场效应管文字符号
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
栅极泄漏电流之差
栅极截止电流之差
Vcs=o时的漏极电流之比 小信号共源输出电导之差’ 小信号共源正向传输电导之差 栅一源电压之差 栅-源电压之差在不同温度下变化量的绝对值 小信号共源正向传输电导之比 |
IGl-IG2
IC1-IG2
IDSSl/IDSS2 g0s1-g0s2 gfs1-gfs2 VCSl-VGS2 gfS1/gfs2 |
仅适用于绝缘栅场效应晶体 管,较大值者减去较小值者 仅适用于结型场效应晶体管, 较大值者减去较小值者 取较小值者作为分子 较大值者减去较小值者 较大值者减去较小值者 较大值者减去较小值者
取较小值者作分子 |
9.2.5砷化镓微波场效应管文字符号
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
沟道温度 ldB增益压缩输出功率 ldB增益压缩功率增益 |
Tj.Tch PO(1dB) GP(ldB) |
|
10.1.2.2磁敏电阻器件
名 称 |
文字符号 |
备 注 ’ |
零磁感应电阻 磁场B时电阻 磁阻比 磁阻系数 磁阻线性系数 磁阻平方系数 磁阻灵敏度 磁阻线性灵敏度 磁阻平方灵敏度 电阻温度系数 线性误差 平方律误差 临界平方律功率 最大功率耗散 栅格磁阻平方灵敏度 栅格磁阻线性灵敏度 强场下栅格磁阻器件的磁阻 弱场下栅格磁阻器件的磁阻 磁阻平方灵敏度的温度系数 磁阻线性灵敏度的温度系数 金属栅格系数 |
Ro RB RB/Ro m ml ms S Sl Ss a El ES Pe Pm SSn Sl RBn Ron pSH plB n |
|
10.1.2.3磁敏二极管
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
负载电阻 零场电压 零场电流 正向磁敏电压 负向磁敏电压 磁灵敏度 最大功率耗散 反向电流 正向磁敏电压温度系数 负向磁敏电压温度系数 零场电压温度系数 响应时间
|
RL Vo IO △V+ △V- SB Pm IR av+ av- avo tres |
给定磁场大小和方向 给定磁场大小和方向
|
10.1.2.4磁敏三极管
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
负载电阻 磁灵敏度 零场集电极电流 正向集电极磁敏电流 负向集电极磁敏电流 基极电流 最大基极电流 |
RL SB ICHO ΔIc+ ΔIc_ IB IBM |
正磁场时 负磁场时
|
续表
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
最大功率耗散 正向磁敏电流温度系数 负向磁敏电流温度系数 响应时间 |
Pm aI+ aI_ tres |
|
10.2温度传感器
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
最大功率耗散 测温范围 输出电压 反向电流 电压温度系数 线性度 互换精度 时间常数 输出阻抗 |
Pm TL -TH VF IR S L M r zo |
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附加说明:
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会提出.
本标准主要起草人:顾振球、李戌德、陈勤。
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