中华人民共和国国家标准
半导体分立器件文字符号
Leter symbols tor discrete semiconductor devlcai
GB 11499-89
本标准参照采用了下列国际标准:
IEC 148(1979)半导体器件和微型集成电路文字符号
IEC 747 半导体器件分立器件和集成电路
IEC 747-1(1983) 第1部分总则
IEC 747-2(1983) 第2部分整流二极管
IEC 747-3(1983) 第3部分信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管
IEC 747-5(1984) 第5部分光电子器件
IEC 747-6(1983) 第6部分闸流晶体管
IEC 747-8(1984) 第8部分场效应晶体管
IEC 747-11(1985) 第11部分半导体分立器件分规范
的有关文字符号的内容,并补充了国内所需的有关文字符号。
1主题内容与适用范围
本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号,本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。
2总则
2.1电流、电压和电功率的文字符号
2.1.1基本字母推荐的基本字母有:
I.i-电流
电压P,—电功率
注,IEC 27号标准只把字母U和μ推荐为电压的备用符号,而在半导体器件领域中,v和,被广泛使用,因此在本标准中v和与u和μ是等效的.
2.1.1.2大写字母的使用
大写基本字母用来表示。
a. 最大(峰)值
b. 平均值
c. 直流值
d. 方均根值
2.1.1.2小写字母的使用
小写基本字母用来表示随时间变化的瞬态值。
2.1.2下标
2.1.2.1推荐的常用下标
AV,av一平均
P,f-正向
M,m-最大(峰)值
MIN min-最小值
O,o-开路
R,r-反向,作第二个下标时表示重复
S,s-短路,作第二个下标时表示浪涌或不重复
(BR)一击穿
(ov) -过载
tot-总的
2.1.2.2大写和小写下标的选择
在2.1.2.1条中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母,应符合2.1.2.2.1和2.1-2.2.2条的要求。如果采用的下标多于一个,则应全用大写字母或全用小写字母。
2.1.2.2.1大写字母的使用
大写字母用来表示:
a. 无信号时的直流值
例如'Ia
b. 总的瞬态值
例如,k
c. 总的平均值
例如lbav
d. 总的最大(峰)值
例如:Iw
2.1.2.2.2小写下标的使用
小写下标仅用来表示变化的分量值。即:
a. 交变分量的瞬态值
例如.ib
b. 交变分量的方均根值
例如lb
c. 交变分量的最大(峰)值
例如。lb
d. 交变分量的平均值
例如:lbav
2.1.2.5关于下标的补充规定
2.1.2.5.1 电流的下标
如果需要指明电流流过的引出端,则用第一个下标来表示,
例如:IB,ib,iυ,Ib
2.1.2.5.2电压的下标
如果需要指明被测电压的两个端点,则可用前两个下标表示,第一个下标表示器件的一个端点、第二个下标表示参考点或电路的节点.
例如
若不会发生混淆,则第二个下标可以省略。
2.1.2.5.5电源电压和电源电流的下标
电源电压和电源电流可用重复相应引出端的下标来表示.
例如Ucc或Vcc,IEE
注:如果需要指明参考引出蛸,剐要使用第三个下标.
例如UCE或VCCE
2.1.2.5.4具有多个同种引出端的器件的下标
如果器件的同种引出端多于一个,则下标用相应引出端的文字符号并在其后面跟着一个数字来表示,在多个下标的情况下,需加上连字符号,以免误解.
例如:IB2 -流经第二基极引出端的直流电流
第二基极引出端与发射极引出端之间的直流电压
2.1.2.5.5复合器件的下标
对于复合单元器件的下标,改用一个数字再加上一个下标字母来表示,在有多个下标的情况下,需加上连字符号,以免误解。
例如:Izc -流经第二单元集电极引出端的直流电流
第一单元和第二单元集电极引出端之间的直流电压
2.1.5基本符号表
下表是对2.1.1和2.1.2条各项规则的应用说明
基本符号表
|
基 本 字 母 | ||
小 写 |
大 写 | ||
下
标
|
小
写
|
交变分量的瞬态值
|
无特殊记号或下标者: 交变分量的方均根值 有特殊记号或下标者. 交变分量的最大(峰)值
交变分量的平均值 |
符
号
|
大
写
|
总的瞬态值
|
无特殊记号或下标者。 无信号时的直流值 有特殊记号或下标者, 总的最大(峰)值 总平均值 |
2.1.4规则应用示例
图1表示的是由直流和交变分量组成的晶体管集电极电流
图1规则应用示倒
2.2电参数的文字符号规则
2.2.1定义
在本标准中,“电参数”这一术语适用于四端矩阵参数、等效电路元件、阻抗和导纳、电感和电容.
2.2.2基本字母
2.2.2.1推荐的基本字母
下面列出了用于半导体器件电参数的重要的基本字母
B,b一电纳,四端矩阵导纳参数(y)的虚部
c-电容
G,g一电导,四端矩阵导纳参数(y)的实部
H,h-四端矩阵的混合(五)参数
L-电感
R,r-电阻,四端矩阵阻抗参数(z)的实部
X,z-电抗;四端矩阵阻抗参数(Z)的虚部
Y.y-导纳;四端矩阵导纳参数(Y)
Z,z-阻抗;四端矩阵阻抗参数(Z)
2.2.2.2大写字母的使用
大写字母用来表示。
a. 外电路的电参数或器件仅作为其一部分的电路的电参数
b. 各种电感、电容
2.2.2.5小写字母的使用
小写字母用来表示器件固有的电参数(电感和电容除外,见2.2.2.2条b)
2.2.5下标
2.2.5.1推荐的常用下标
下面列出了用于半导体器件电参数的重要的常用下标;
F,f-正向,正向传输
I,i-输入
O,o-输出
T-耗尽层
R,r-反向,反向传输
11 -输入
22 -输出
12 -反向传输仅用于四端矩阵参数,见2.2.3.1条
21 -正向传输
1-输入
2一输出可用于除四端矩阵参数之外的所有电参数
注:其它的推荐下标,可见本标准的其它各章.
2.2.3.2大写和小写下标的选择
在2.2.3.1条中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母应符合2.2.3.2.1和2-2.3.2.2条的要求,如果采用的下标多子一个.则应全用大写字母或全用小写字母.
例如:hPE.yRE,hfe
2.2.3.2.1大写下标使用
大写下标用来表示静态(直流)值
例如;h21E或hFE -共基极组态中正向电流传输比的静态值
RE-发射极外接电阻的直流值
2.2.3.2.2小写下标的使用
小写下标用来表示小信号值
例如:h21e或hfe-共发射极组态中,短路正向电流传输比的小信号值
Ze= Re+ jXe-外接阻抗的小信号值
2.2.3.3四端矩阵参数的下标
四端矩阵的每个参数按如下规则来规定.
2.2.3.3.1第一下标
第一字母下标或两个数字的下标(均选自2.2.3.1条中的下标)表示输入、输出、正向传输或反向传输。
例如:hi1或hi
h22或ho
h21或hf
h12或hr
2.2.3.3.2第二下标
第二下标是用来表示电路组态的.在不会发生混淆时,这些下标可以省略,。
例如: h21e或hfe.h21E或hFE
如果只写为hf.财电路组态必须是已知的,如果只写为h21,则电路组态及参数类别(小信号值或静态值)都必须是已知的。
2.2.4实部和虚部的区分
如果需要区分电参数的实部和虚部,不必再附加新的下标,如果已经有了实部和虚部的基本符号,则可采用,
例如Ze=Re+jXe .
yfe=Gfe+jBfe
如果还没有这种符号、或虽有但不适用:则应使用下面的符号。
Re(h1lb)等,表示.h11b等的实部
Im(hllb)等,表示hllb等的虚部
2.3其它量的文字符号
2.3.1概述
如果下述各分条款尚未推荐某个文字符号,则可采用IEC 27号标准中的通用文字符号,如果IEC27尚未推荐.则可采用ISO推荐的相应符号.
2.3.2时间、持续时间
基本文字符号是t.
例如,上升时间tr
2.3.3温度
2.3. 3.1基本文字符号
基本文字符号是t,当有可能与表示“时间”的t发生混淆时(例如在一个数据表中).应用字母θ或θ来代替t.如果用θ或θ来代替不合适,则可用字母T(通常用它表示热力学温度)来代替,但要以不发生混淆为前提.
例如tamb,θamb.Tamb=250C
2.3.3.2推荐的常用下标
amb-环境
case-管壳
J,j-结
stg-贮存,存储
2.3.4频率
基本符号是?,
例如:最高振荡频率- ?max
2.4通用文字符号
本标准中通用文字符号有。
环境温度- Tamb
管壳温度- Tcase,¨
基准温度- Tref
结温—Tj
最高结温- Tju
等效结沮——T(Vj).Teff
贮存温度- Ttag
工作温度- Top
热阻-Rth
瞬态热阻抗-Z (th)
脉冲条件下的热阻抗-Z(th)p
结到环境的热阻一R(th)j-a
结到管壳的热阻一R(th)j-c
降额系数一Kt
结电容-Cj
给定偏压电容-Cvj
…伏下的总电容-Ctot(…v)
零偏压总电容-C(tot)0
管壳电容-Ccase
总电容-Ctot
分布电容-Cp
延迟时间-td
开通延迟时间一td(on)
关断延迟时问-td(off)
上升时间—-tr
存储时间一ts
下降时间—tf
开通时间一ton
关断时问- toU
噪声一N,n
噪声系数一Fm,F
平均噪声系数- FAV
点噪声系数-F
输出噪声比-N,
两蝤口等效输入噪声电压一Vn
两靖口等效输入噪声电流-In
噪声温度一Tn
基准噪声温度一T0,Ta0
注.其它下标与Rth的下标组合而可能发生误解时,则应将下标th放在括号中,成为R(th)
3整流二极管
3.1整流:极警下标的补充规定
3.1.1电压、电流和功率的下标
A,a-阳极
K,k-阴极
O-整流输出的平均值
(TO)–阀值
3.1.2电参数的下标
T-斜率
R,r一恢复,整流
w-工作
3.2文字符号
3.2.1电压
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向直流电压 反向直流电压 正向峰值电压(最高正向电压) 正向平均电压 反向工作峰值电压(最高反向工作电压) 反向重复峰值电压(最高反向重复电压) 反向不重复峰值电压(反向瞬态峰值电压) 正向恢复电压 正向恢复峰值电压 阚值电压 击穿电压(雪崩击穿电压) 瞬态击穿电压
|
VF VR V FM V F(AV> VRWM VRRM VRSM VFR VFRM V(TO) V(BR) (BR) |
Io为规定值
仅适用于雪崩整流二极管
|
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向赢流电流 正向重复峰值电流 正向过载电流 正向(不重复)浪涌电流 整流输出平均电流 反向直流电流 正向平均电流 反向平均电流 反向恢复电流 反向峰值电流 |
IF IFRM I<ov) IFSM Io IR IF(AV) IR(AV)
IRM |
Io为规定值
|
5.2.5功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向功率耗散 反向功率耗散 开通功率耗散 开通平均功率耗散 开通瞬态总功率耗散 开通峰值功率耗散 关断功率耗散 关断平均功率耗散 关断瞬态总功率耗散 关断峰值功率耗散 反向重复峰值功率耗散 反向(不重复)浪涌功率耗散 |
PF PR
PFT(AV) PFT PFTM
PRQ<AV) PRQ PRQM PRM PRSM |
|
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向斜率电阻 整流效率 恢复电荷 转折点温度 结温升 温度系数 正向电流衰减率 脉冲时间 重复频率 周期 正向恢复时间 反向恢复时间 反向重复峰值能量 反向不重复峰值能量 |
rT ηr QX Tbreak ΔTj a di/dt tp ?o T tfr trr ERRM ERSM |
|
|
|
|
图5
图6
4信号二极管(包括开关=极管)和调整二极管
4.1信号:极管(包括开关二极管)
4.1.1信号二极管(包括开关二极管)下标的补充规定
4.1.1.1 电压、电流和功率的下标
A.a-阳极
K.k-阴极
0-整流输出的平均值
4.1.1.2电参数的下标
6,d-阻尼
r,R-恢复、整流
s-存储
4.1.2文字符号表
4.1.2.1 电压
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
反向直流电压 反向平均电压 最高反向电压 正向恢复电压 正向直流电压 正向平均电压 反向瞬态总电压 正向瞬态总电压 反向浪涌电压 正向恢复峰值电压 击穿电压 瞬态击穿电压
|
VR VR(AV) VRM VFR VF VF(AV) VR VF VRSM VFRM V(BR)
и(BR) |
|
4.1.2.2电流
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向平均电流 正向峰值电流 正向直流电流 正向瞬态电流 正向浪涌电流 整流输出平均电流 反向直流电流 反向瞬态电流 反向峰值电流 反向重复峰值电流 反向不重复峰值电流 (反向浪涌电流) |
IF(AV) IFM IF iF IFSM IO IR iR IRM IRRM IRSM
|
|
4.1.2.5功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
浪涌功率 反向瞬态重复峰值能量 反向重复峰值能量 反向瞬态不重复峰值能量 反向不重复峰值能量 反向重复峰值功率耗散 反向不重复峰值功率耗散 最大功率耗散 |
PSA ERRM ERRM ERSM ERSM PRRM PrSLA PM |
仅适用于可控雪崩二极管 仅适用于可控雪崩二极管
|
4.1.2.4其它
名 称 恢复电荷 反向恢复时间 正向恢复时间 反向恢复电流 微分电阻 总电流灵敏度 增量电流灵敏度 阻尼系数 阻尼电阻 效率 电压检波效率 整流效率 功率检波效率 单脉冲能量 重复脉冲能量 工作点微分电阻 优值 占空比 最高工作频率 脉冲宽度 |
文字符号 Qr trr tfr irr
Pi pi gd ra,rd
17v
vP EP,WP EP(rep) rop M D fM
|
备 注 |
4.2调整:极管
4.2.1 电压基准二极管和电压调整二极管
4.2.1.1 电压基准二极管和电压调整二极管下标的补充规定
4.2.1.1.1电压、电流和功率的下标
Z,z-工作
K,k-拐点
4.2.1.1.2电参数的下标
Z,z-工作
K,k-拐点
4.2.1.2文字符号表
4.2.1.2.1 电压
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向电压 工作电压 低于工作电压范围的反向直流电压 在工作电压范围内的噪声电压 最大工作电压 最小工作电压 |
VF Vz VR Vnz VZM VZ(MIN) |
不发生误解时,可使用符号y。
|
4.2.1.2.2电流
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向电流。 在工作电压范围内的反向直流电流 电压低予工作电压范围的反向直流电流 拐点电流 在工作电压范围内的最大反向直流电流 浪涌电流
|
I Iz IR IZK IZM
IZSht |
|
4.2.1.2.5其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
在工作电压范围内的微分电阻 工作电压温度琴数 工作电压长期不稳定性 工作阻抗 拐点阻抗 最大稳压电流阻抗 在工作电压范围内的电压变化量 总功率耗散 |
rz avz
Zz Zzk
AVz Ptor |
保留符号Sz 仅适用于电压基准二极管
|
4.2.2电流调整二极管
4.2.2.1 电流调整二极管下标的补充规定
4.2.2.1.1电压、电流和功率的下标
S.s-调整(工作)
L-极限
K,k-拐点
4.2.2.1.2电参数的下标
S,s-调整(工作)
K,k-拐点
4.2.2.2文字符号表
4.2.2.2.1电压
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向电压 反向电压 调整电压(工作电压) 最大调整电压 极限电压 拐点电压 调整电流范围内的电压变化量 |
VF VR Vs VSM VL VK AVs |
|
4.2.2.2.2电流 | ||
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
反向电流 调整电流(工作电流) 极限电流 |
IR Is IL |
|
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
小信号调整电导 拐点电导 调整电流(工作电流)温度系数 调整电流(工作电流)变化量 |
gs gK ars As |
|
5射频:极管
射频二极管常用直流参数的文字符号,参见第3章整流二极管.
5.1隧道=极管
5.1.1 隧道二极管的下标补充规定
5.1.1.1 电压、电流和功率的下标:
P-峰点
PP-峰点投影
v-谷点
5.1.1.2电参数的下标
s一串联
p-分布
r-电阻性的
5.1.2文字符号表
5.1.2.1 电压和电流
名 称 |
文字符号 |
备 注 | ||||
峰点电压 |
VP |
|
| |||
谷点电压 |
Vv |
|
| |||
峰点投影电压 反向(直流)电压 峰点电流 谷点电流 |
VPP VR IP Iv |
|||||
峰谷电流比
|
IP/Iv
|
|
5.1.2.2等效电路参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
电阻性截止频率 电抗性截止频率(自谐振截止频率) 谷点电容 |
?ro ?cx Cv |
|
5.2变容二极管
5. 2.1变容二极管的下标补充规定
5.2.1.1 电参数的下标
c-截止
eff -有效
p-分布
s-串联
S-存储
T-特性
5.2.2文字符号表
5.2.2.1等效电路参数
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
分布电容 串联电感 串联电阻 低频结电阻 结电容 零偏压结电容 |
Cp Ls rs rj Cj Cj0 |
5.2.2.2其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
变容量 优值 有效优值 零偏压下的优值 给定偏压下的优值 截止频率 特征频率 存储电荷 载流子寿命 效率 电容温度系数 电容变化指数 电容变化系数 |
ΔC Q Qeff Qo Qv ?e ?r Qs η ac n re |
4C=Cjv -C j0
|
5.5阶跃恢复(急变)二 极管
5- 3.1 阶跃恢复(急变)二极管的下标补充规定
5.3.1.1 电参数的下标
c-截止
s-串联
st-阶跃
5.5.2文字符号表
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
零偏压总电容 串联电阻 串联电感 微分电阻 阶跃时间 载流子寿命 截止频率 功率耗散 |
C(tot)0 rs Ls r tst
?e P |
|
5.4体效应二极管
5. 4.1体效应二极管的下标补充规定
5.4.1.1电压、电流和功率的下标
OP-工作
5.4.1.2电参数的下标
o-中心
P-脉冲
S-串联
5.4.2文字符号表
5.4.2.1 电压、电流和功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
中心频率 频率范围 带宽 串联电阻 效率 脉冲时间 占空比 频率不稳定率 |
?o ?o±Δ? B rs η tp D Δ?/?o |
仅适用于体效应放大二极管 仅适用于体效应放大二极管 仅适用于耿二极管 |
5.5.1 PIN二极管的下标补充规定
5.5.1.1 电参数的下标
j一插入
IO-隔离
r-恢复
s-串联
5.5.2文字符号表
5.5.2.1 电流和功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
最大正向电流 功率耗散 正向峰值功率 反向峰值功率 |
FM P PFM PRM |
|
5.5.2.2其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
零偏压总电容 隔离度 插入损耗 串联电阻 微分电阻 反向恢复时间 载流子寿命 |
C(tot)0 Iio Li ra r trr t |
|
5. 6.1雪崩二极管的下标补充规定
5.6.1.1 电压、电流和功率的下标
OP-工作
5.6.1.2电参数的下标
0一中心
5.6.2文字符号表
5.6. 2.1电压和功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
工作电压 输出功率 |
Vof Po |
|
5.6.2.2其它
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
中心频率 频率范围 频率不稳定度 效率 |
?o ?o±Δ? Δ?/?o
|
|
5.7混频和检波二极管
5.7.1 混频和检波二极管的下标补充规定
5.7.1.1功率与能量的下标
cw-连续波
M-烧毁
P-脉冲
rep -重复
RF-射频
5.7.1.2电参数的下标
rt一射频
c-变频
if ,i-中频
I-插入
m-测量
o-基准,总
r-比
rcp -重复
s-标准,串联
vf,v-视频
op-工作
5.7.2文字符号表
5.7.2.1功率与能量
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
连续波功率 射频功率 平均射频功率 脉冲射频功率 烧毁能量 重复脉冲能量 单脉冲能量
|
Pcw PRIV PRF(AV) PRFP
EP(rep)
Ep |
|
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正切讯号灵敏度 总电流灵敏度 电流增量灵敏度 电压灵敏度 |
在考虑中 β1 βi 在考虑中 |
暂用Tss,STS
暂用Sv,β |
5.7.2.5噪声特性 | ||
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
总平均噪声系数 标准总平均噪声系数 测量总平均噪声系数 标准中频平均噪声系数 测量中频平均噪声系数 测量视频平均噪声系数 |
Eo(av) Fos(av) Fom(av) Fia(Av) Fim(av) Fvm(av) |
|
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
导纳 中频(终端)阻抗 射频阻抗 视频阻抗 串联电感 电压驻波比 变频损耗 变频插入损耗 波长 理想化因子 工作点微分电阻 优值 频率响应 |
Уt Zif Zrf Zvf Ls Sv Le Lci A n rOP Q
|
也可用V.S.W.R
|
6光电子器件
6.1发光器件’
6.1.1发光器件的下标补充规定
6.1.1.1 电压、电流和功率的下标
OP-工作
6.1.1.2光电参数的下标
A-象
C-截止
cw-连续波
d-微分
E,e-辐射
ex -外
h-高度
m-模
p-脉冲
s-串联
v-光通量
w-宽度
上一垂直
0一平行
6.1.2文字符号表
6.1.2.1 电压、电流和功率
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
正向电压 反向电压 击穿电压 正向电流 反向电流 最大工作电流 最大正向峰值电流 阈值电流密度 阈值电流
辐射功率 光通量 最大功率耗散 输出光功率 平均辐射功率 脉冲辐射功率 连续(波)辐射功率 |
VF VR V (aR) IF IR Iopm IFM Jth Ith I(TO)
Pm Po PAV Pp Pcw |
仅适用于激光二极管
|
名 称 |
文字符号 |
备 注 |
辐射功率效率 光通量效率 (光强度效率) 微分辐射功率效率 (微分辐射强度效率) 微分光通量效率 (微分光强度效率) 外量子效率 半强度角 角偏差 峰值发射波长 频谱辐射带宽 纵模数 模间隙 发射面积宽度 发射面积高度 象散 正向串联电阻 微分电阻 发光强度 辐射强度 给定平面内的发散角 垂直结平面发散角 结平面发散角 消光比 增益 阈值增益 截止频率 相对强度噪声 载流子一噪声比
|
ηe ηv ηed ηvd ηex θ1/2 Δθ λp Δλ ηm Sm Sw Sh dA ra r Iv IE
θ⊥ θ∥ ε G G(TO) ?e RIN
C/N |
仅适用于红外辐射二极管和激光二极管 仅适用于发光二极管 仅适用于红外辐射二极管和激光二极管 仅适用于发光二极管
仅适用于激光二极管 仅适用于激光二极管 仅适用于激光二极管 仅适用于激光二极管
仅适用于激光二极管 仅适用于激光二极管
|