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GB 11499 1989 半导体分立器件文字符号 1

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:GB 阅读:660次
GB 11499 1989 半导体分立器件文字符号 1
 

中华人民共和国国家标准

半导体分立器件文字符号

Leter symbols tor discrete semiconductor devlcai

GB 11499-89

    本标准参照采用了下列国际标准:

    IEC 148(1979)半导体器件和微型集成电路文字符号

    IEC 747 半导体器件分立器件和集成电路

    IEC 747-1(1983)  第1部分总则

    IEC 747-2(1983)  第2部分整流二极管

    IEC 747-3(1983)  第3部分信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管

    IEC 747-5(1984)  第5部分光电子器件

    IEC 747-6(1983)  第6部分闸流晶体管

    IEC 747-8(1984)  第8部分场效应晶体管

    IEC 747-11(1985) 第11部分半导体分立器件分规范

的有关文字符号的内容,并补充了国内所需的有关文字符号。

1主题内容与适用范围

    本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号,本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。

2总则

2.1电流、电压和电功率的文字符号

2.1.1基本字母

    推荐的基本字母有:

    I.i-电流

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K电压

    P,GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K—电功率

    注,IEC 27号标准只把字母U和μ推荐为电压的备用符号,而在半导体器件领域中,v和GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K,被广泛使用,因此在本标准中v和GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K与u和μ是等效的.

2.1.1.2大写字母的使用

    大写基本字母用来表示。

    a.  最大(峰)值

    b.  平均值

    c.  直流值

    d.  方均根值

2.1.1.2小写字母的使用

    小写基本字母用来表示随时间变化的瞬态值。

2.1.2下标

2.1.2.1推荐的常用下标

    AV,av一平均

    P,f-正向

    M,m-最大(峰)值

    MIN min-最小值

    O,o-开路

    R,r-反向,作第二个下标时表示重复

    S,s-短路,作第二个下标时表示浪涌或不重复

    (BR)一击穿

    (ov) -过载

    tot-总的

2.1.2.2大写和小写下标的选择

    在2.1.2.1条中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母,应符合2.1.2.2.1和2.1-2.2.2条的要求。如果采用的下标多于一个,则应全用大写字母或全用小写字母。

2.1.2.2.1大写字母的使用

    大写字母用来表示:

    a.  无信号时的直流值

    例如'Ia

    b.  总的瞬态值

    例如,k

    c.  总的平均值

    例如lbav

    d.  总的最大(峰)值

    例如:Iw

2.1.2.2.2小写下标的使用

    小写下标仅用来表示变化的分量值。即:

    a.  交变分量的瞬态值

    例如.ib

    b.  交变分量的方均根值

    例如lb

    c.  交变分量的最大(峰)值

    例如。lb

    d.  交变分量的平均值

    例如:lbav

2.1.2.5关于下标的补充规定

2.1.2.5.1  电流的下标

    如果需要指明电流流过的引出端,则用第一个下标来表示,

    例如:IB,ib,iυ,Ib

2.1.2.5.2电压的下标

    如果需要指明被测电压的两个端点,则可用前两个下标表示,第一个下标表示器件的一个端点、第二个下标表示参考点或电路的节点.

    例如GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

     若不会发生混淆,则第二个下标可以省略。

2.1.2.5.5电源电压和电源电流的下标

    电源电压和电源电流可用重复相应引出端的下标来表示.

    例如Ucc或Vcc,IEE

    注:如果需要指明参考引出蛸,剐要使用第三个下标.

    例如UCE或VCCE

2.1.2.5.4具有多个同种引出端的器件的下标

    如果器件的同种引出端多于一个,则下标用相应引出端的文字符号并在其后面跟着一个数字来表示,在多个下标的情况下,需加上连字符号,以免误解.

    例如:IB2 -流经第二基极引出端的直流电流

    GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K第二基极引出端与发射极引出端之间的直流电压

2.1.2.5.5复合器件的下标

    对于复合单元器件的下标,改用一个数字再加上一个下标字母来表示,在有多个下标的情况下,需加上连字符号,以免误解。

    例如:Izc -流经第二单元集电极引出端的直流电流

   GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K第一单元和第二单元集电极引出端之间的直流电压

2.1.5基本符号表

    下表是对2.1.1和2.1.2条各项规则的应用说明

基本符号表

 

基  本  字  母

小  写

大  写

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

交变分量的瞬态值

 

 

 

无特殊记号或下标者:

交变分量的方均根值

有特殊记号或下标者.   

交变分量的最大(峰)值

 

交变分量的平均值

 

 

 

 

 

 

 

 

总的瞬态值

 

 

无特殊记号或下标者。

无信号时的直流值

有特殊记号或下标者,

总的最大(峰)值

总平均值

 

2.1.4规则应用示例

    图1表示的是由直流和交变分量组成的晶体管集电极电流


                                                                                              GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

    图1规则应用示倒

2.2电参数的文字符号规则

2.2.1定义

    在本标准中,“电参数”这一术语适用于四端矩阵参数、等效电路元件、阻抗和导纳、电感和电容.

2.2.2基本字母

2.2.2.1推荐的基本字母

    下面列出了用于半导体器件电参数的重要的基本字母

    B,b一电纳,四端矩阵导纳参数(y)的虚部

    c-电容

    G,g一电导,四端矩阵导纳参数(y)的实部

    H,h-四端矩阵的混合(五)参数

    L-电感

    R,r-电阻,四端矩阵阻抗参数(z)的实部

    X,z-电抗;四端矩阵阻抗参数(Z)的虚部

    Y.y-导纳;四端矩阵导纳参数(Y)

    Z,z-阻抗;四端矩阵阻抗参数(Z)

2.2.2.2大写字母的使用

    大写字母用来表示。

    a.  外电路的电参数或器件仅作为其一部分的电路的电参数

    b.  各种电感、电容

2.2.2.5小写字母的使用

    小写字母用来表示器件固有的电参数(电感和电容除外,见2.2.2.2条b)

2.2.5下标

2.2.5.1推荐的常用下标

    下面列出了用于半导体器件电参数的重要的常用下标;

    F,f-正向,正向传输

    I,i-输入

    O,o-输出

    T-耗尽层

    R,r-反向,反向传输

    11 -输入

    22 -输出

    12 -反向传输仅用于四端矩阵参数,见2.2.3.1条

    21 -正向传输

  1-输入

  2一输出可用于除四端矩阵参数之外的所有电参数

    注:其它的推荐下标,可见本标准的其它各章.

2.2.3.2大写和小写下标的选择

    在2.2.3.1条中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母应符合2.2.3.2.1和2-2.3.2.2条的要求,如果采用的下标多子一个.则应全用大写字母或全用小写字母.

    例如:hPE.yRE,hfe

 2.2.3.2.1大写下标使用

    大写下标用来表示静态(直流)值

    例如;h21E或hFE -共基极组态中正向电流传输比的静态值

    RE-发射极外接电阻的直流值

2.2.3.2.2小写下标的使用

    小写下标用来表示小信号值

    例如:h21e或hfe-共发射极组态中,短路正向电流传输比的小信号值

    Ze= Re+ jXe-外接阻抗的小信号值

2.2.3.3四端矩阵参数的下标

    四端矩阵的每个参数按如下规则来规定.

2.2.3.3.1第一下标

    第一字母下标或两个数字的下标(均选自2.2.3.1条中的下标)表示输入、输出、正向传输或反向传输。

    例如:hi1或hi

    h22或ho

    h21或hf

    h12或hr

 2.2.3.3.2第二下标

    第二下标是用来表示电路组态的.在不会发生混淆时,这些下标可以省略,。

    例如: h21e或hfe.h21E或hFE

    如果只写为hf.财电路组态必须是已知的,如果只写为h21,则电路组态及参数类别(小信号值或静态值)都必须是已知的。

2.2.4实部和虚部的区分

    如果需要区分电参数的实部和虚部,不必再附加新的下标,如果已经有了实部和虚部的基本符号,则可采用,

例如Ze=Re+jXe    .

    yfe=Gfe+jBfe

    如果还没有这种符号、或虽有但不适用:则应使用下面的符号。

    Re(h1lb)等,表示.h11b等的实部

    Im(hllb)等,表示hllb等的虚部

2.3其它量的文字符号

2.3.1概述

    如果下述各分条款尚未推荐某个文字符号,则可采用IEC 27号标准中的通用文字符号,如果IEC27尚未推荐.则可采用ISO推荐的相应符号.

2.3.2时间、持续时间

    基本文字符号是t.

    例如,上升时间tr

2.3.3温度

2.3. 3.1基本文字符号

    基本文字符号是t,当有可能与表示“时间”的t发生混淆时(例如在一个数据表中).应用字母θ或θ来代替t.如果用θ或θ来代替不合适,则可用字母T(通常用它表示热力学温度)来代替,但要以不发生混淆为前提.

例如tamb,θamb.Tamb=250C

2.3.3.2推荐的常用下标

  amb-环境

  case-管壳

  J,j-结

  stg-贮存,存储

2.3.4频率

    基本符号是?,

    例如:最高振荡频率- ?max

2.4通用文字符号

    本标准中通用文字符号有。

    环境温度- Tamb

    管壳温度- Tcase

    基准温度- Tref

    结温—Tj

    最高结温- Tju

    等效结沮——T(Vj.Teff

    贮存温度- Ttag

    工作温度- Top

    热阻-Rth

    瞬态热阻抗-Z (th)

    脉冲条件下的热阻抗-Z(th)p

    结到环境的热阻一R(th)j-a

    结到管壳的热阻一R(th)j-c

    降额系数一Kt

    结电容-Cj

    给定偏压电容-Cvj

    …伏下的总电容-Ctot(…v)

    零偏压总电容-C(tot)0

    管壳电容-Ccase

    总电容-Ctot

    分布电容-Cp

    延迟时间-td

    开通延迟时间一td(on)

    关断延迟时问-td(off)

    上升时间—-tr

    存储时间一ts

    下降时间—tf

    开通时间一ton

关断时问- toU

    噪声一N,n

    噪声系数一Fm,F

    平均噪声系数- FAV

    点噪声系数-F

    输出噪声比-N,

    两蝤口等效输入噪声电压一Vn

    两靖口等效输入噪声电流-In

    噪声温度一Tn

    基准噪声温度一T0,Ta0

    注.其它下标与Rth的下标组合而可能发生误解时,则应将下标th放在括号中,成为R(th)

3整流二极管

3.1整流:极警下标的补充规定

3.1.1电压、电流和功率的下标

  A,a-阳极

  K,k-阴极

  O-整流输出的平均值

 (TO)–阀值

3.1.2电参数的下标

  T-斜率

  R,r一恢复,整流

  w-工作

3.2文字符号

3.2.1电压

名    称

文字符号

    备    注

正向直流电压

反向直流电压

正向峰值电压(最高正向电压)

正向平均电压

反向工作峰值电压(最高反向工作电压)

反向重复峰值电压(最高反向重复电压)

反向不重复峰值电压(反向瞬态峰值电压)

正向恢复电压

正向恢复峰值电压

阚值电压

击穿电压(雪崩击穿电压)

瞬态击穿电压

 

VF

VR

V FM

V F(AV>

VRWM

VRRM

VRSM

VFR

VFRM

V(TO)

V(BR)

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/KGB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K(BR)

 

 

 

 Io为规定值

 

 

 

 

 

 

仅适用于雪崩整流二极管

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

 

名    称

文字符号

备    注

正向赢流电流

正向重复峰值电流

正向过载电流

正向(不重复)浪涌电流

整流输出平均电流

反向直流电流

正向平均电流

反向平均电流

反向恢复电流

反向峰值电流

IF

IFRM

 I<ov)

IFSM

Io

IR

IF(AV)

IR(AV)

 

IRM

 

 

 

 

 

 

 

Io为规定值

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K


                                                                                5.2.5功率

名    称

文字符号

备    注

正向功率耗散

反向功率耗散

开通功率耗散

开通平均功率耗散

开通瞬态总功率耗散

开通峰值功率耗散

关断功率耗散

关断平均功率耗散

关断瞬态总功率耗散

关断峰值功率耗散

反向重复峰值功率耗散

反向(不重复)浪涌功率耗散

PF

PR

 

PFT(AV)

PFT

PFTM

 

PRQ<AV)

PRQ

PRQM

PRM

PRSM

 

 

名    称

文字符号

备    注

正向斜率电阻

整流效率

恢复电荷

转折点温度

结温升

温度系数

正向电流衰减率

脉冲时间

重复频率

周期

正向恢复时间

反向恢复时间

反向重复峰值能量

反向不重复峰值能量

rT

ηr

QX

Tbreak

ΔTj

a

di/dt

tp

?o

T

tfr

trr

ERRM

ERSM

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

 

 

 

 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

 

图5   

                                                                                 

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

    图6

4信号二极管(包括开关=极管)和调整二极管

4.1信号:极管(包括开关二极管)

4.1.1信号二极管(包括开关二极管)下标的补充规定

4.1.1.1  电压、电流和功率的下标

    A.a-阳极

    K.k-阴极

    0-整流输出的平均值

4.1.1.2电参数的下标

    6,d-阻尼

    r,R-恢复、整流

    s-存储

4.1.2文字符号表

4.1.2.1  电压

名    称

文字符号

备    注

反向直流电压

反向平均电压

最高反向电压

正向恢复电压

正向直流电压

正向平均电压

反向瞬态总电压

正向瞬态总电压

反向浪涌电压

正向恢复峰值电压

击穿电压

瞬态击穿电压

 

VR

VR(AV)

VRM

VFR

VF

VF(AV)

VR

VF

VRSM

VFRM

V(BR)

 

и(BR)

 

4.1.2.2电流

名    称

文字符号

备    注

正向平均电流

正向峰值电流

正向直流电流

正向瞬态电流

正向浪涌电流

整流输出平均电流

反向直流电流

反向瞬态电流

反向峰值电流

反向重复峰值电流

反向不重复峰值电流

(反向浪涌电流)

IF(AV)

IFM

IF

iF

IFSM

IO

IR

iR

IRM

IRRM

IRSM

 

 

 

4.1.2.5功率

名    称

文字符号

备    注

浪涌功率

反向瞬态重复峰值能量

反向重复峰值能量

反向瞬态不重复峰值能量

反向不重复峰值能量

反向重复峰值功率耗散

反向不重复峰值功率耗散

最大功率耗散

PSA

ERRM

ERRM

ERSM

ERSM

PRRM

PrSLA

PM

 

 

 

仅适用于可控雪崩二极管

仅适用于可控雪崩二极管

 

 

 

4.1.2.4其它

名    称

恢复电荷

反向恢复时间

正向恢复时间

反向恢复电流

微分电阻

总电流灵敏度

增量电流灵敏度

阻尼系数

阻尼电阻

效率

电压检波效率

整流效率

功率检波效率

单脉冲能量

重复脉冲能量

工作点微分电阻

优值

占空比

最高工作频率

脉冲宽度

文字符号

Qr

trr

tfr

irr

 

Pi

pi

gd

ra,rd

 

17v

 

vP

EP,WP

EP(rep)

rop

M

D

fM

 

备    注

4.2调整:极管

4.2.1  电压基准二极管和电压调整二极管

4.2.1.1  电压基准二极管和电压调整二极管下标的补充规定

4.2.1.1.1电压、电流和功率的下标

  Z,z-工作

  K,k-拐点

4.2.1.1.2电参数的下标

  Z,z-工作

  K,k-拐点

4.2.1.2文字符号表

4.2.1.2.1  电压

名    称

文字符号

备    注

正向电压

工作电压

低于工作电压范围的反向直流电压

在工作电压范围内的噪声电压

最大工作电压

最小工作电压

VF

Vz

VR

Vnz

VZM

VZ(MIN)

 

 

 

不发生误解时,可使用符号y。

 

 

 

4.2.1.2.2电流

名    称

文字符号

备    注

正向电流。

在工作电压范围内的反向直流电流

电压低予工作电压范围的反向直流电流

拐点电流

在工作电压范围内的最大反向直流电流

浪涌电流

 

I

Iz

IR

IZK

IZM

 

IZSht

 

 

4.2.1.2.5其它

名    称

文字符号

备    注

在工作电压范围内的微分电阻

工作电压温度琴数

工作电压长期不稳定性

工作阻抗

拐点阻抗

最大稳压电流阻抗

在工作电压范围内的电压变化量

总功率耗散

rz

avz

 

Zz

Zzk

 

AVz

Ptor

 

保留符号Sz

仅适用于电压基准二极管

 

 

 

 

 

 

4.2.2电流调整二极管

4.2.2.1  电流调整二极管下标的补充规定

4.2.2.1.1电压、电流和功率的下标

  S.s-调整(工作)

  L-极限

  K,k-拐点

4.2.2.1.2电参数的下标

  S,s-调整(工作)

  K,k-拐点

4.2.2.2文字符号表

4.2.2.2.1电压

名    称

文字符号

备    注

正向电压

反向电压

调整电压(工作电压)

最大调整电压

极限电压

拐点电压

调整电流范围内的电压变化量

VF

VR

Vs

VSM

VL

VK

AVs

 

4.2.2.2.2电流

名    称

文字符号

备    注

反向电流

调整电流(工作电流)

极限电流

IR

Is

IL

 

 

名    称

文字符号

备    注

小信号调整电导

拐点电导

调整电流(工作电流)温度系数

调整电流(工作电流)变化量

gs

gK

ars

As

 

 

5射频:极管

    射频二极管常用直流参数的文字符号,参见第3章整流二极管.

5.1隧道=极管

5.1.1  隧道二极管的下标补充规定

5.1.1.1  电压、电流和功率的下标:

    P-峰点

    PP-峰点投影

    v-谷点

5.1.1.2电参数的下标

  s一串联

  p-分布

  r-电阻性的

5.1.2文字符号表

5.1.2.1  电压和电流

名    称

文字符号

备    注

 

峰点电压

 

VP

 

 

谷点电压

Vv

 

 

峰点投影电压

反向(直流)电压

峰点电流

谷点电流

VPP

VR

IP

Iv

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

峰谷电流比

 

IP/Iv

 

 

 

5.1.2.2等效电路参数

 

名    称

文字符号

备    注

电阻性截止频率

电抗性截止频率(自谐振截止频率)

谷点电容

?ro

?cx

Cv

 

 

5.2变容二极管

5. 2.1变容二极管的下标补充规定

5.2.1.1  电参数的下标

    c-截止

    eff -有效

    p-分布

    s-串联

    S-存储

    T-特性

5.2.2文字符号表

5.2.2.1等效电路参数

名    称

文字符号

备    注

分布电容

串联电感

串联电阻

低频结电阻

结电容

零偏压结电容

Cp

Ls

rs

rj

Cj

Cj0

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

 

5.2.2.2其它

名    称

文字符号

备    注

变容量

优值

有效优值

零偏压下的优值

给定偏压下的优值

截止频率

特征频率

存储电荷

载流子寿命

效率

电容温度系数

电容变化指数

电容变化系数

ΔC

Q

Qeff

Qo

Qv

?e

?r                

Qs

GB?11499-1989?半导体分立器件文字符号_1/K

η

ac

n

re

4C=Cjv -C j0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.5阶跃恢复(急变)二 极管

5- 3.1  阶跃恢复(急变)二极管的下标补充规定

5.3.1.1  电参数的下标

  c-截止

  s-串联

  st-阶跃

5.5.2文字符号表

名    称

文字符号

备    注

零偏压总电容

串联电阻

串联电感

微分电阻

阶跃时间

载流子寿命

截止频率

功率耗散

C(tot)0

rs

Ls

r

tst

 

?e

P

 

 

5.4体效应二极管

5. 4.1体效应二极管的下标补充规定

5.4.1.1电压、电流和功率的下标

    OP-工作

5.4.1.2电参数的下标

  o-中心

  P-脉冲

  S-串联

5.4.2文字符号表

5.4.2.1  电压、电流和功率

 

名    称

文字符号

备    注

中心频率

频率范围

带宽

串联电阻

效率

脉冲时间

占空比

频率不稳定率

?o

?o±Δ?

B

rs

η

tp

D

Δ?/?o

 

 

 

 

 

仅适用于体效应放大二极管

仅适用于体效应放大二极管

仅适用于耿二极管

 

5.5.1  PIN二极管的下标补充规定

5.5.1.1  电参数的下标

  j一插入

  IO-隔离

  r-恢复

  s-串联

5.5.2文字符号表

5.5.2.1  电流和功率

名    称

文字符号

备    注

最大正向电流

功率耗散

正向峰值功率

反向峰值功率

 FM

P

PFM

PRM

 

 

5.5.2.2其它

                                                                             

名    称

文字符号

备    注

零偏压总电容

隔离度

插入损耗

串联电阻

微分电阻

反向恢复时间

载流子寿命

C(tot)0

Iio

Li

ra

r

trr

t

 

 

5. 6.1雪崩二极管的下标补充规定

5.6.1.1  电压、电流和功率的下标

  OP-工作

5.6.1.2电参数的下标

  0一中心

5.6.2文字符号表

5.6. 2.1电压和功率

名    称

文字符号

备    注

工作电压

输出功率

Vof

Po

 

 

5.6.2.2其它

名    称

文字符号

    备    注

中心频率

频率范围

频率不稳定度

效率

?o

?o±Δ?

Δ?/?o

 

 

 

5.7混频和检波二极管

5.7.1  混频和检波二极管的下标补充规定

5.7.1.1功率与能量的下标

  cw-连续波

  M-烧毁

  P-脉冲

  rep -重复

  RF-射频

5.7.1.2电参数的下标

  rt一射频

  c-变频

  if ,i-中频

  I-插入

  m-测量

  o-基准,总

  r-比

  rcp -重复

 s-标准,串联

  vf,v-视频

op-工作

5.7.2文字符号表

5.7.2.1功率与能量

名    称

文字符号

备    注

连续波功率

射频功率

平均射频功率

脉冲射频功率

烧毁能量

重复脉冲能量

单脉冲能量

 

Pcw

PRIV

PRF(AV)

PRFP

 

EP(rep)

 

Ep

 

 

名    称

文字符号

备    注

正切讯号灵敏度

总电流灵敏度

电流增量灵敏度

电压灵敏度

在考虑中

β1

βi

在考虑中

暂用Tss,STS

 

 

暂用Sv,β

5.7.2.5噪声特性

名    称

文字符号

备    注

总平均噪声系数

标准总平均噪声系数

测量总平均噪声系数

标准中频平均噪声系数

测量中频平均噪声系数

测量视频平均噪声系数

Eo(av)

Fos(av)

Fom(av)

Fia(Av)

Fim(av)

Fvm(av)

 

 

名    称

文字符号

备    注

导纳

中频(终端)阻抗

射频阻抗

视频阻抗

串联电感

电压驻波比

变频损耗

变频插入损耗

波长

理想化因子

工作点微分电阻

优值

频率响应

Уt

Zif

Zrf

Zvf

Ls

Sv

Le

Lci

A

n

rOP

Q

 

 

 

 

 

 

也可用V.S.W.R

 

 

 

 

 

 

 

6光电子器件

6.1发光器件’

6.1.1发光器件的下标补充规定

6.1.1.1  电压、电流和功率的下标

    OP-工作

6.1.1.2光电参数的下标

    A-象

    C-截止

    cw-连续波

    d-微分

    E,e-辐射

    ex -外

    h-高度 

    m-模

    p-脉冲

    s-串联

    v-光通量

    w-宽度

    上一垂直

    0一平行

6.1.2文字符号表

6.1.2.1  电压、电流和功率

名    称

文字符号

备    注

正向电压

反向电压

击穿电压

正向电流

反向电流

最大工作电流

最大正向峰值电流

阈值电流密度

阈值电流

 

辐射功率

光通量

最大功率耗散

输出光功率

平均辐射功率

脉冲辐射功率

连续(波)辐射功率

VF

VR

V (aR)

IF

IR

Iopm

IFM

Jth

Ith

I(TO)

 

 

Pm

Po

PAV

Pp

Pcw

 

 

 

 

 

 

 

 

 

仅适用于激光二极管

 

 

 

 

 

 

 

                                                                                

名    称

文字符号

备    注

辐射功率效率

光通量效率

(光强度效率)

微分辐射功率效率

(微分辐射强度效率)

微分光通量效率

(微分光强度效率)

外量子效率

半强度角

角偏差

峰值发射波长

频谱辐射带宽

纵模数

模间隙

发射面积宽度

发射面积高度

象散

正向串联电阻

微分电阻

发光强度

辐射强度

给定平面内的发散角

垂直结平面发散角

结平面发散角

消光比

增益

阈值增益

截止频率

相对强度噪声

载流子一噪声比

 

ηe

ηv

ηed

ηvd

ηex

θ1/2

Δθ

λp

Δλ

ηm

Sm

Sw

Sh

dA

ra

r

Iv

IE

 

θ

θ

ε

G

G(TO)

?e

RIN

 

 

 

C/N

仅适用于红外辐射二极管和激光二极管

仅适用于发光二极管

仅适用于红外辐射二极管和激光二极管

仅适用于发光二极管

 

 

 

 

 

仅适用于激光二极管

仅适用于激光二极管

仅适用于激光二极管

仅适用于激光二极管

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

仅适用于激光二极管

仅适用于激光二极管

 

 

660
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