SJ 50597 12 94 电子行业军用标准 半导体集成电路Ju320C25 40、u320C25 50型数字信号处理器详细规范 6

    方法和条件

  项  目

  B级器件

  B1级器件

    说    明

内部目检

方法2010 试验

条件B

方法．2010,试验

条件B

稳定性烘烤

（不要求终点谢

量）

方法1008，试验

条件C：

方法1008．试验

条件C；

24h,150℃

温度循环

方法1010，试验

条件C

方法1010,试验

条件C

可用方法1011试验条件^替代。

假定加速庹

方法2001,试验

条件D，仅‘Y1

方向

方法2001,试验

条件Dt仅Y1

方向

目  检

可在“密封”筛选后进行，导I线脱落、外壳破裂、封盖脱落为失效。

    方法和条件

    项    目

  B级器件

  Bl级器件

    说    明

中间（老化散）

电测试

A1，A7分组

A1、A7分组

由锕造厂选择是否进行．

老  化

穷法1015,试验

条件D或E．

125"C,160h

方法015，试验

条件D或E，

125℃,160h

采用本规范网4所示的线路或与其等效的线路。

中间（老化后）

电测试）

A1、A7分组

A1、A7分组

PDA计算

5%

lO%

按A1、A7分组，若老化前未进行中间电测试，那么老化后AI、A7分组检出的所有失效数都应计入

PDA。若老化前进行中间电测试，那么老化筛选

前，引起的失效数不计入PDA．

最终电测试

A2  A3, A8,

A9,A10,All

 A2、A3,A9

本项试验盾，若改变器件的引线侩覆或者返工，则应再进行AI和A7分组试验．

密封

  细检漏

  粗检漏

方法1014

方法1014

外部目检   

方法2009

方法2009

鉴定或质量一

致性检验的试

验样品抽取

方法5005

 3.5条

方法5005

 3.5条

    LTPD

    试    验

    B级器件

    B1级器件

A1分组

  25℃下静态测试 

     2

    2

 A2分组

    125℃下静态测试

    3

    3

 A3分组

  55℃下静态测试

    5

    5

 A4分组

  2S℃下的动态测试

    2

    2

 A7分组

  25℃下的功能测试

    2

    2

 A8分组

  最高和最低工作温度的功能测试

    5

    不要求

A9分组

  25℃下的牙关测试

    2

    2

 AIO分组

  125℃下开关测试

    3

    不要求

All分组

    55V下开关测试

    5

    不要求

    方法和条件

样品数／接收数

    试  验

B级和B1级器件

  或LTPD

    说    明

BI分组

  尺寸

方法2016

    2(0)

R2分组

  抗溶性

方法2015

    4(0)

    方法和条件

样品数／接收数或LTPD

    试  验

B级和Bl级器件

    说    明

B3分组

  可焊性

方法'2022或2003,

焊接温度245士5℃

    15

LTPD采对引线数而言，但被试器件效不应少于3个

B4分组

  内部目检和

  机械检查

方法2014

    1(0)

B5分组

  键合强度

  1)热压焊

  2)超声焊

方法2011,试睑条

件C或D

    7

 LTPD系对键合数丽言，但被测器件数至少4个

 B8分组

  1)电测试

  2)静电放电

  灵敏度

  3)电测试

A1分组（见本规范

表2和衰3）

GJB 1649

 AI分组（见本规范

表2和表3）

    15（0)

仅在初始鉴定或产品重新设计时进行．

  B9分组

    V弘P试验

接本规范第4.5.3

条

    15

附加分组

    方法和条件

    说  明

    试  验

    B级器件

    B1级器件

    LTPD

Cl分组

  稳态寿命

  终点电测试

方法1005．试验条件

D，125℃1000h

 A2、A8(仅125℃)A10

方法1005，试验条件

D．125℃,1000h

A2、A8（仅125℃）

    5

采用本规范图4所示

的线路或与其等效的

线路。

C2分组

  温度循环

  恒定加速度

  密封

    细检漏

    粗检漏

方法1010，试验条件C

方法2001，试验条件

D,Y1方向

方法I014

方法1010,试验条件C

方法ZO01．试验条件

D,Y1方向

方法1014

    15

    方法和条件

    试  验

    B级器件

    B1级器件

    LTPN

    说  明

  目检

  终点电测试

按方法1010或1011

的目检判据

A2、A5(仅125 ℃)AI0

按方法1010或1011

的目检判据

A2、A5(仅125℃)

C3分组

  1 25℃下开关测试

不要求

A1O分组

    3

C4分组

  一55℃下开关测

  试

不要求

A1l分组

    5

    方法和条件

  样品数／

    试  验

    B绒器件

    B1级器件

  接收敷

  或LTPD

    说    明

DI分组

  尺寸

方法2016

方法2016

    15

 D2分组

  引线牢厨性

  密封   

    细检漏

    粗检漏

方法2004~试验条件

B2

方法1014

方法2004,试验条件

B2

方法1014

    15

片式载体采用试验条件D

 D3分组

  热冲击

  温度循环

  抗潮湿

  密封

    细检漏

    粗检漏

  目检

  终点电测试

方法I011.,试验条件

B．15次循环

方法i010,试验条件

C，100次循环

方法1001

方法1004

方法l004和101(!的

目检判据

A2、A8(仅I85E')AIO

方法1011，试验条件

A．15次循环

方法1.010．试验条件

C，10次循环

方法1004

方法1004

按方法I004和i010

的H捻判据

A8、A8(仅(125C)

    15

做抗潮湿试验时，对于B1

级器件可用GB 4590第3.6

条替代。时间,56<t．片式载体不要求引线弯曲应力利预处理。

可在抗潮湿试验后和密封

试验前进行．

    方法和条件

  样品数／

    试  验

    B级器件

    B1级器件

  接收数

  或I．TPD

    说    明

  D4分组

    机械冲击

    变频振动

    恒定加速度

    密封

    细榆漏

    粗检漏

    目检

    终点电测试

方法2002，试验条件B

方法2007．试验条件A

方法2001．试验条件

D,Y1方向

方法1014

按方法2002或2007

的目检判据

A2、A5(仅125℃)A10

方法2002，试验条件

方法2007，试验条件

方法2001，试验条件

D,YI方向

方法1014

按方怯2002或2007

的目检判据

A2，A5(仅125℃)

    15

用于D3分组的样品可用

于D4分组。

D5分组

  盐雾

  密封

    细检漏

    粗榆漏

  日检

方法1009．试验条件A

方法1014

按方法1009的日检判

据

方法1009．试验条件^

方法1014

接方法1009的目检判

据

    15

对BI级器件，当使用方不

要求时，盐雾试验可不做。

片式载体不要求引线弯曲

应力的预处理．

D6分组

  内部水汽含

  量

方法I013,,l00℃时最大水汽含量为5000pp~

不饔求

3(O)或5(1)

当试验3个器件出现1个

失效时，可加试两个器件并

且不失效，若第一次试验样

品（3个或S个器件）失效，

可在鉴定机构认可的另一

实验室进行第二次试验．若试验通过，则该批应被接收。

D7分组

  引线涂覆

  粘附强度

方法2025

方法2025

    15

LTPD东对引线数而言．

不适合予片式载体．

  符  号

  名  称

    1/0

    功  能  说  明

  A0～A15

地址总绒

    0

    可对整个外部数据存储器、程序-俘锗器及l/0口寻址。当系统处于保持方式时，AO～A15处于高阻态。

  D0～D15

数据总线

    1/0

    在320C25和外部数据／程序存储器或I/O器件之间多路复

用传输数据。当无输出或当复位（RS）或保持（HOLD）被确认时处于高阻态。

  数据．程序

  和l/0空间

  选择

    0

    通常处于高电平，当进行特殊的外部空间通信时才置低电

平。在保持方式下处于高阻态。

  READY

数据准备

就绪

    l

    表示外部设备巳准备好与320C25交换数据。如粜外部设备

没准备好(READY=0)，320C25再等待一个周期再检测

READY信号．READY也表示在丽（总线请求）信号之后，总线

让与外部设备。

    R/W

读／写

    0

    表示与外设通信时数据传输方向。通常处1：读方式(R/W=

1)．当执行写操作时，则为低电平。在保持力’式F处于高阻态。

    STRB

选通

    O

    除了表示外部总线周期被确认为低电平外，总是高电平。在保持方式下处于高阻态。

总线请求

    0

    当320C,25请求访问外部全局数据存储器空间时，此信号被确认。当总线有效和全局数据存储器有效用作总线处理时，器件的READY信号被确认。

保持输入

    l

    当该信号为骶电平时．320C25置数据、地址及控制线于高阻态。

保持响应

    0

    表示320C25已处于保持方式。此时，外郝处理器可以访问．

320C25的局部外部存储器。

    SYNC

同步输入

    允许两个或两个以上韵320C25的时钟同步，低电平有效并

且必须在CPIN上升沿被确认。

分支控

制输入

    I/O

    用BIOZ指令控制。如果BIO为低电平，320C25执行分支程

序，在B10Z指令取时，这个信号有效．

    IACK

中断响应

    0

    仅当CPOUTI为低电平时有效．表示接受了中断，而且程序

转移到A0～A15所指定的中断矢量位置。

INT0～INT2

外部用户

中断输入

    I

    利用中断屏蔽寄存器及中断方式伉可使中断优先或屏蔽．

  MP／MC

微处理器／

微计算机

方式选择

    I

    当其为低电平时，该端使内部ROM映射到程序存储器的低

4K字节．

  符  号

  名    称

    I/0

    功  能  说  明

    MSC

微状态完

成

    O

    仅当320C25完成一个存储器操作，例如指令取或数据存储器读／写，在CPOUTI为低时，该信号低电平有效。MSC可用来产生用于低速存储器的一个等待状态的READY信号。

    RS

复位输入

    I

    使320C25终止执行，并强制程序记数器到零．当该信号变成高电平时，在程序存储器零位置开始执行。RS影响各种寄存器和状态位。

    XF

外部标志

输出

    0

    软件可编程的锁存信号。存多处理器配置中用于对其它处理器加信号，或用作通用的输出引出端。

  CPOUTI

主时钟输

出

    O

    频率为CPIN的四分之一。在四分之一相位(Q3)开始时上

升，在四分之一相位(Ql)开始时下降。

  CPOUT2

剐时钟输

土“

    0

    在四分之一相位(Q2)开始时上升，在四分之一相位(Q4)开始时下降．

    Xl

外接晶体

    0

    用乎内部振荡器外接晶体连接端。当不接晶体时该端悬空。

  X2/CPIN

  外接晶体

    I

    用于从晶体到内部振荡器的输入端，当不接晶体时，CPIN

为外时钟输入。

    CPR

接收时钟

输入

    I

    从DR（数据接收）引出端到RSR（串行口接收移位寄存器）

传送数据的外部时钟信号．当串行口传输时，该信号必须存在．

    CPX

发送时钟

输入

    I

    从XSR（串行日发送移位寄存器）到DX（散据发达）引出端传送数据的外部时钟信号。瑚串行口传输时，该信号必须存在．

    DR

串行数据

接收输入

    I

    通过DR引出端，把串行数据接收到RSR（串行订接收移位

寄存器）中。

  DX

串行数据

发送输出

    0

    串行数据从XSR（串行口发送移位寄存器）经DX引出靖发

送出云。当不发送时DX处于高阻态。

    FSR

帧同步接收

    I

    FSR脉冲的下降沿开始数据接收过程，也开始RSR的时钟。

    FSX

帧同步发送

    I/o

    FSX脉冲的下降沿开始数据发送过程，也开始XSR的时钟。

FSX通常为输入信号，但当状态寄存器的TXM置l时，该端则

为输出。