SJ T 10268 91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CF253型低功耗运算放大器

中华人民共和国机械电子工业部

    IECQ

评定器件质量的依据：

GB 4589.1《半导体器件  分立器件和集成

电路总规范》

GB/T 12750《半导体集成电路分规范（不包

括混合电路）》

SJ/T 10268-91

CF253型低功耗运算放大器详细规范

订货资料：见本规范第7章。

1机械说明

    外形依据：GB 7092《半导体集成电路外

形尺寸》。

    外形图：按GB 7092

 2  简要说明

    双极型集成特殊运算放大器

    半导体材料：硅

封装：空封

电原理图：见本规范第11章。

品种：

    T型

5.6.1条及5.6.2条

    J型

5.4条及5.4.1条中JO8S2

引出端排列：

    引出端符号名称：见本规范第11章。

    标志：按GB 4589.1第2.5条及本规范第6章。

3 质量评定类别

II    IIIA  IIIB   IIIC

参考数据：

PD=3.3mW（含偏置电阻，最大值）

    按本规范鉴定合格的器件，其有关制造厂的资料，可在现行合格产品目录中查到。

条款号

参    数

符号

数    值

单位

最小

最大

4.1

电源电压

V_S

－

±18

V

4.2

允许功耗

P_D

－

500

mW

4.3

差模输入电压

V_IO

－

±30

V

4.4

共模输入电压

V_IC

－

±l5^D

V

4.5

工作温度范围

C

Tamb

-20

80

℃

E

-40

85

M

-55

125

4.6

贮存温度范围

Tstg

-65

150

℃

条款号

参    数

符号

数    值

单位

最小

最大

5.1.1

电源电压

V_S

±3

±l5

V

5.1.2   

外偏置电阻（接V₊）

R_DJ

0.2

1.0

MΩ

5.1.5

补偿电容

C_C

－

30

pF

条款号

特性和条件

符号

规  范  值

单位

试验

最小

典型

最大

5.2.1

输入失调电压

V_S =±3～±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF

V_IC=0 V_O=0 R_I=50Ω

V_IO

－

1.0

5.0

mV

A3

5.2.2

输入失调电压

V_S =±3～±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF

V_IC=0 V_O=0 R_I=20kΩ

I_IO

－

4

50

nA

A3

条款号

特性和条件

符号

规  范  值

单位

试验

最小

典型

最大

5.2.3

输入偏置电流

V_S =±3～±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF

V_IC=0 V_O=0 R_I=20kΩ

I_IB

－

20

100

－

nA

A3

5.2.4

输入电阻

V_S =±3～±15V  R_BI =1 MΩ

R_ID

1

6

－

MΩ

C2a

5.2.5

开环电压增益

V_S =±3～±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF

R_I=2KωV_O=±10V

A_VD

90

110

－

dB

A3

5.2.6

电源电流^D

V_S =±15V  R_BI =1 MΩ

I_S

－

40

80

μA

A3

5.2.7

输出峰-峰电压

R_BI =1 MΩCc=30pF

R_L≥2kQ

V_S =±15V

V_OPP

±lO

±13.5

－

V

A3

V_S =±3V

－

±1.5

－

5.2.8

共模抑制比

V_S =±3～±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF

V_O=±10V

K_CMR

80

100

－

dB

A3

5.2.9

电源电压抑制比

V_S =±15VΔV_S =±2V R_BI =1 MΩ

C_C=30pF

K_SVR

80

100

－

dB

A3

条款号

    特性和条件

符号

    规  范  值

单位

试验

    CF253C

CF253E,CF253M

  最小

  典型

  最大

  最小

  典型

  最大

  5.3.1

  输入失调电压

  V_S =±3～±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF

V_IC=0 V_O=0 R_I=50kΩ

  V_IO

－

  1.0

  5.0

－

  1.0

  6.O

  mV

 A3a/A3b

 5.3.2

  输入失调电流 V_S =±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF V_IC=0 V_O=0 R_I=20kΩ

  I_IO

－

    4

    80

－

    4

  100

  nA

  A3a/A3b

条款号

特性和条件

符号

规  范  值

单位

试验

CF253C

CF253E、CF253M

最小

典型

最大

最小

典型

最大

5.5.5

输入偏置电流

R=20kΩV_S =±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF V_IC=0V V_O=0V

I_IB

－

20

120

－

20

125

nA

A3a/A3b

5.5.4

开环电压增益

V_S =±15V  R_BI =1 MΩC_C=30pF R_I=20 kΩV_O=±10V

A_VD

86

110

－

84

110

－

dB

A3a/A3b

分  组

AQL

II类

II类

IL

AQL

IL

AQL

A1

II

O.65

Ⅱ

0.65

A3

II

0.15

Ⅱ

0.15

A3a

S4

1.0

S4

1.O

A3b

S4

1.O

S4

1.0

分  组

LTPD

Ⅱ类

Ⅱ  类

A

B

C

B1

15

15

15

15

C1

20

20

20

20

C2a

15

15

15

15

C3

15

15

15

15

B4 C4

10

10

10

10

B5

10

10

10

10

C6

20

20

20

20

C7

15

1.5

15

15

B8 C8

10

5

7

10

C9

15

5

7

15

C11

20

20

20

20

D8

lO

5

7

10

检验或试验

引用标准

条  件

若无其它规定，Tamb=25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

A1分组

外部目检

GB 4589.1

第4.2.1.1条

标志清晰，表面无损伤和气孔

A3分组

25℃下的静态

特性

GB 3442《半导

体集成电路运

算（电压）放大

嚣测试方法的

基本原理》

按本规范5.2.1至5.2.3条。

5.2.5至5.2.9条

按本规范5.2.1至5.2.3条。

5.2.5至5.2.9条

A3a分组

最高工作温度

下的静态特性

GB 3442

Tamb按本规范4.5条规定的最

大值。

条件：按本规范5.3条

按本规范5.3条

A3b分组

最低工作温度

下的静态特性

GB 3442

Tamb按本规范4.5条规定的最

小值。

条件：按本规范5.3条

按本规范5.3条

    检验或试验

    引用标准

    条  件

  若无其它规定，Tamb=25℃

  （见GB 4589.1第4章）

检验要求

  规范值

B1分组

尺寸

GB 4589.1第4.2.2条及附

录B

按_本规范第1章

B4分组

可焊性

GB 4590《半导体集成电路

机械和气候试验方法》

第2.5条

按方法b（槽焊法）

按2.5.6条

B5分组

温度快建变化

随后进行：

GB 4590第3.1条

温度按本规范第4.6条规定

循环次数：.10次t1= 5min

检验或试验

引用标准

条  件

若无其它规定，Tamb=25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

C1分组

尺寸

GB 4589.1第4.2.2条

及附录B

按本规范第1章

C2a分组

环境温度下的电特性

按本规范第5.2.4条

按本规范5.2.4条

C3分组

引线强度

拉力(D)

弯曲(D)

GB 4590第2.1条

GB 4590第2.2条

外加力的值按2.1条表1

外加力的值按2.2条表2

按2.1.5条

无损伤

检验或试验

引用标准

条  件

著无其它规定，Tamb=25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

C4分组

耐焊接热(D)

最后测量

（同A3分组）

GB 4590

第2.6条

按方法1(260℃槽焊)

同A3分组

同A3分组

C6分组^D

稳态加速度(D)

（空封器件）

最后测量

（同A3分组）

GB 4590

第2.10条

加速度：按规定

同A3分组

同A3分组

C7分组

稳态湿热(D)

最后测量

（同A3分组）

GB ,1590

第3.6条

严格度D：时间56d

同A3分组

同A3分组

C8分组

电耐久性(1 00 0h)

最后测量

（同B8分组）

OB/T 12750

第12.3条

同B8分组

同B8分组

同B8分组

C9分组

高温贮存(D)

最后测量

（同A3分组）

GB 4590

第30 3条

温度150℃ 时间：1000h

同A3分组

同A3分组

C11分组

标志耐久性

GB 4590

第4.3条

按GB 4590第4.3.2条，方

法1

按GB 4590第4.3.2

条

CRRL分组

就C2a、C3、C4、C6、C7、C8、C9和C11分组提供计数榆查结果。

    检验或试验

    引用标准

    务  件

    若无其它规定，Tamb=25℃

    (见GB 4589.1第4章)

  检验要求

    规范值

D8分组

电耐久性(D)

最后测量

（同B8分组）

GB/T12750

第12.3条

I类：2000h

 I类：3000h

其它同JI8分组

同B8分组

同B8分组

参  数

测  试  方法

V_IO

GB 3442第2.1条

αV_IO

GB 3442第2.2条

I_IO

GB 3442第2.3条

I_IB

GB 3442第2.5条

I_S

OB 3442第2.6条

V_OPP

GB 3442第2.14条

K_SVR

GB 3442第2.11条

K_CMR

GB 3442第2.8条

R_ID

GB 3442第2.12条

A_VD

GB 3442第2.7条

条款号

特性和条件

符号

规  范  值

单位

CF253C

CF253E,CF253M

最小

典型

最大

最小

典型

最大

10.4.1

输入失调电压温度系数

αV_IO

－

3

－

－

3

－

μV／℃

引出端符号

名  称

引出端符号

名  称

COMP1

补偿l

BI

偏置

IN_-

反相输入

OUT

输出

IN₊

同相输入

V₊

正电源

V_-

负电源

COMPz

补偿2