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SJ T 10267 91 电子元器件详细规范半导体集成电路CFT 1 5型高速运算放大器

时间：2012-5-28 14:42:50 作者：标准吧来源：SJ 阅读：1608次

中华人民共和国电子工业行业标准

电子元器件详细规范

半导体集成电路CFT-1 5型高速运算放大器

Detail specification for electronic components

Semiconductor integrated circuit-CFT15 type high-speed operational amplifier

本标准规定了半导体集成电路CF715型高速运算放大器质量评定的全部内容。

本标准符合GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》的要求。

中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。

中华人民共和国机械电子工业部

IECQ

评定器件质量的依据：

GB 4589.1《半导体器件分立器件和集

成电路总规范》

GB/T 12750《半导体集成电路分规范(不

包括混合电路)》

SJ/T 10267-91

CF715型精密运算放大器详细规范

订货资料：见本规范第7章。

1机械说明

外形依据：GB 7092《半导体集成电路外

形尺寸》。

外形图：按GB 7092

2 简要说明

双极型集成特殊运算放大器

半导体材料：硅

封装：空封、非空封

电原理图：见本规范第11章。

品种：

型环境温度封装号形式	75℃ (C)	-55～125℃ (M)
陶瓷直插(D)	CF715CD	CF715MD
黑瓷直插(J)	CF715CJ	CF715MJ
金属圆壳(T)	CF715CT	CF715MT

D型

5.3条及5.3.1条中D14S3

J型

5.4条及5.4.1条中J14S3

T型

5.6.1条及5.6.2条

引出端排列：

SJ/T 10267-91 电子元器件详细规范半导体集成电路CFT-1 5型高速运算放大器

引出端符号名称：见本规范第11章。

标志：按GB 4589.1第2.5条及本规范第6章。

3 质量评定类别

II IIIA IIIB IIIC

参考数据：

VS=±15V

A_VD=30000V/V

S_R=100V/μs（A_VF=-1）

t_set=800ns

按本规范鉴定合格的器件，其有关制造厂的资料，可在现行合格产品目录中查到。

4极限值（绝对最大额定值）

若无其它规定，适用于全工作温度范围。

条款号	参数		符号	数值		单位
				最小	最大
4.1	电源电压		V_S	－	±18	V
4.2	差模输入电压		V_ID	－	±15	V
4.3	共模输入电压		V_IC	－	±15	V
4.4	内部功耗^D	T型	P_D	－	500	mW
		D、J型		－	670
4.5	工作温度范围	C	Tamb	O	70	℃
		M		-55	125
4.6	贮存温度范围		Tstg	-65	150	℃
4.7	耐焊接热(60s)		Th	－	300	℃

注：1）当电源电压小于±15V时，共模输入电压的极限值等于电源电压。

2)T型封装:70℃以上，线性降额6.3mW／℃:D、J型封装:70℃以上，线性降额8.3mW/℃。

5电工作条件和电特性

电特性的检验要求见本规范第8章。

5.1 电工作条件

若无其它规定，适用于全工作温度范围。

条款号	参数	符号	数值				单位
			CF715M		CF715C
			最小	最大	最小	最大
5.1.1	电源电压	V_S		±15		±15	V

5.2常温电特性

Vs=±15V Tamb=25℃

条款号	特性和条件	符号	规范值						单位	试验
			CF715M			CF715C
			最小	典型	最大	最小	典型	最大
5.2.1	输入失调电压 R=50Ω V₀=0 V_IC=0	V_IO	－	2.0	5.0	－	2.0	7.5	－	A3
5.2.2	输入失调电流 R=50Ω V₀=0 V_IC=0	I_IO	－	70	250	－	70	250	nA	A3
5.2.3	输入偏重电流 R=50Ω V₀=0 V_IC=0	I_IB	－	400	75	－	400	1500	nA	A3

续表

条款号	特性和条件		符号	规范值						单位	试验
				CF715M			CF715C
				最小	典型	最大	最小	典型	最大
5.2.4	共模输入电压范围 R_s=50kΩ K_CMR≥74JB		V_ICR	±10	±12	－	±10	±12	－	V	A3
5.2.5	开环电压增益 R_L≥2kΩV₀=±10V		A_VD	84	90	－	80	90	－	dB	A3
5.2.6	电源电流 R_L=∞		I_B	－	5.5	7.0	－	5.5	10	mA	A3
5.2.7	功耗 R_L=∞		P_D	－	165	210	－	165	300	mW	A3
5.2.8	瞬态响应单位增益 V_I=400mV	上升时间	tr	－	30	60	－	30	75	ns	A4
5.2.8	瞬态响应单位增益 V_I=400mV	过冲因数	K_ov	－	25%	40%	－	25%	50%		A4
5.2.9	转换速率 R_L=2kΩ C_L=3.9PF	A_V=100	S_R	－			－	70	－	V/μs	A4
		A_V=10		－			－	38	－
		A_V=1		15	18	－	10	18	－
		A_V=-1		－	100	－	－	100	－
5.2.10	共模抑制比 R_S≤10 kΩ V_IC=±10V R_L≥2kΩ		K_CMR	－	－	－	74	92	－	dB	A3
5.2.11	电源电压抑制比 R_S≤10 kΩΔV₀=±10V		K_SVR	－	－	－	－	45	400		A3

5.3全温电特性

V_S=±15V M. -55～125℃ C：0～70℃

条款号	特性和条件		符号	规范值						单位	试验
				CF7I5M			CF715C
				最小	典型	最大	最小	典型	最大
5.3.1	输入失调电压 R₁=50ΩV_O=0 V_IC=0		V_IO	－	－	7.5	－	－	10	mV	A3a/A3b
5.3.2	输入失调电流 R=50 kΩ V_IO=0 V_IC=0	Tamb=125℃ Tamb=70℃ Tamb=0℃ Tamb=-55℃	I_IO	－－－－	－－－－	250 －－ 800	－－－－	－－－－	－ 250 750 －	nA nA nA nA	A3a A3a A3b A3b

续表

条款号	特性和条件		符号	规范值						单位	试验
				CFTISM			CF715C
				最小	典型	最大	最小	典型	最大
5.3.5	输入偏置电流 R=50 kΩ V_IC=0	Tamb=125℃ Tamb=70℃ Tamb=0℃ Tamb=-55℃	I_IB	－－－－	－－－－	750 －－ 4.0	－－－－	－－－－	－ 1500 － 7.5	nA nA μA μA	A3a A3a A3b A3b
5.3.4	开环电压增益 R_L≥2kΩV₀=±10V		A_VD	80	－	－	78	－	－	dB	A3a/A3b
5.3.5	输出峰-峰电压 R_L≥2 kΩ		V_OPP	±10	±13	－	±10	±13	－	V	A3a/A3b
5.3.8	共模抑制比 R_S≤10 kΩV_IC=±10V R_L≥2kΩ		K_CMR	7'4	92	－	－	－	－	dB	A3a/A3b
5.3.7	电源电压抑制比 R_S≤10 KωΔV₀=±10V		K_SVR	－	45	300	－	－	－	－	A3a/A3b

6标志

器件上的标志示例t

a． D、J型

SJ/T 10267-91 电子元器件详细规范半导体集成电路CFT-1 5型高速运算放大器

若受器件尺寸限制时，允许将“检验批识别代码”、“质量评定类别”标在器件背面。

b． T型

若在管壳侧面打印，则将器件正放，从“引出端识别标志”起按逆时针方向依次标志:制造单位商标、型号、认证合格标志、检验批识别代码、质量评定类别。

7订货资料

若无其它规定，订购器件至少需要下列资料：

a．产品型号；

b．详细规范编号；

c. 质量评定类别；

d．其它。

8试验条件和检验要求

抽样要求，根据采用的质量评定类别，按GB/T 12750第9章的有关规定。

A组检验的抽样要求

分组	AQL
	II 类		II 类
	IL	AQL	IL	AQL
A1	II	O.65	II	O.65
A3	II	O.15	II	O.15
A3a	84	1.O	S4	1.O
A3b	S4	1.0	S4	1.0
A4	S4	1.O	S4	1.O

B组、C组和D组检验的抽样要求

分组	LTPD
	II类	II类
	II类	A	B	C
B1	15	15	15	15
C1	20	20	20	20
C3	15	15	15	15
B4 C4	lO	10	10	10
B5	10	10	10	lO
C6	20	20	20	20
C7	15	15	15	15
B8 C8	10	5	7	10
C9	15	5	7	15
C11	20	20	20	20
D8	10	5	7	lO

A组——逐批

全部试验均为非破坏性的（见GB 4589.1第3.6.6条）

检验或试验

引用标准

条件

若无其它规定．Tamb=25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

A1分组

外部目检

GB 4589.1

第4.2.1.1条

标志清晰，表面无损伤和气孔

A3分组

25℃下的静态

特性

GB 3442《半导

体集成电路运

算（电压）放大

器测试方法的

基本原理》

按本规范5.2.1至5.2.7条，

5,2.10至5.2.11条

按本规范5.2.1至5.2.7条，

5.2.10至5.2.11条

A3a分组

最高工作温度

下的静态特性

GB 3442

Tamb按本规范4.5条规定的最

大值。

条件：按本规范5.3条

同本规范5.3条

A组—逐批（续）

检验或试验

引用标准

条件

若无其它规定，Tamb=25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

A3b分组

最低工作温度

下的静态特性

GB 3442

Tamb按本规范4.5条规定的最

小值。

条件：按本规范5.3条

同本规范5.3条

A4分组

25℃下的动态

特性

GB 3442

接本规范5.2.8条至5.2.9条

按本规范5.2.8条至5.2.9条

B组——逐批

标有（D）的试验是破坏性的（见GB 1589.1第3.6.6条）

检验或试验

引用标准

条件

若无其它规定，Tamb= 25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

B1分组

尺寸

GB 4589.1第4.2.2条及附

录B

按本规范第1章

B4分组

可焊性

GB 4590(半导体集成电路

机械和气候试验方法》

第2.5条

按方法b（槽焊法）

按2.5.6条

浸润良好

B5分组

温度快速变化

随后进行：

电测量

密封：细检漏

粗检漏

GB 4590第3.1条

GB 4590第3.12条

GB 4590第3.13条

T_A=-65℃ T_B=150"C

循环次数：10次 t1=5min

同A3分组恢复2h

按规定

同A3分组

B组—逐批（续）

检验或试验

引用标准

条件

若无其它规定，死胁一25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

B8分组

电耐久性

(168h)

最后测量

（同A3分组）

测试参数：V_IO

I_IO

I_IS

A_VD

VI_CR

V_OPP

K_CMR

I_S

P_D

GB/T 12750

第12.3条

温度：按本规范4.6条规定的

最大值，试验线路见本规范第

10.3条

同A3分组

1.1 ! X USL^D

1.5×USL

1.3×USL

O.9×LSL^D

O.9×LSL

O.9×LSL.

O.9×LSL

1.3×USL

CRRL分组

就B4、B5、B8分组提供计数检查结果。

注:1）USL=规范的上限值，LSL=规范的下限值。

C组—周期

标有(D)的试验是破坏性的（见GB 4589.1第3.6.6条）

检验或试验

引用标准

条件

若无其它规定，Tamb=25℃

（见GB 4589,1第4章）

检验要求

规范值

C1分组

尺寸

GB 4559.1第4.2.2条及附

录B

按本规范第1章

C3分组

引线强度

拉力(D)

弯曲(D)

GB 4590第2.1条

GB 4590第2.2条

外加力的值按2.1条表1

外加力的僵按2.2条表2

按2.1.5条

无损伤

C4分组

耐焊接热(D)

最后测量

（同A3分组）

GB 4590

第2.6条

按方法I(260"C槽焊)

同A3分组

C组——周期（续）

检验或试验

引用标准

条件

若无其它规定．Tamb=25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

C6分组^D

稳态加速度(D)

（空封器件）

最后测量

（同A3分组）

GB 4590第2.10条

加速度：按规定

同A3分组

C7分组

稳态湿热(D)

（空封器件）

最后测量

（同B8分组）

GB 4590

第3.6条

严格度D：时间56d

同B8分组

C8分组

电耐久性(l000h)

最后测量

（同B8分组）

GB/T 12750

第12.3条

同B8分组

C9分组

高温贮存(D)

最后测量

（同B8分组）

GB 4590

第3.3条

l000h温度:150℃

同B8分组

Cll分组

标志耐久性

GB 4590

按GB 4590第4.3.2条

方法1

按4.3.2条

CRRL分组

就C3、C4、C6、C7、C8、C9、C11分组提供计数检查结果。

注：1）连续三次通过后，周期可放宽为一年一次。

9 D组

D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行，其后每年进行一次。

检验或试验

引用标准

条件

若无其它规定，Tamb= 25℃

（见GB 4589.1第4章）

检验要求

规范值

D8分组

电耐久性(D)

最后测量

（同B8分组）

GB/T 12750

第12.3条

II类：2000h

III类：3000h

其它同B8分组

同B8分组

10附加资料

10.1 引用GB 3442的特性测试

参数	测试方法
V_IO	GB 3442第2.1条
I_IO	GB 3442第2.3条
I_IB	GB 3442第2.5条
I_S(P_D)	GB 3442第2.6条
V_OPP	GB 3442第2.14条
K_SVR	GB 3442第2.11条
K_CMR	GB 3442第2.8条
V_ICR	GB 3442第2.15条
tr（KOV）	GB 3442第2.22条
S_R	GB 3442第2.9条
tset	GB 3442第2.10条
A_VD	GB 3442第2.7条

10.2特性曲线

a.不同补偿条件下的开环频响特性 b．不同补偿条件下的闭环频响特

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10.3电耐久性试验电路

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10.4设计参考资料

条款号	特性和条件	符号	规范值						单位
			CF715M			CF715C
			最小	典型	最大	最小	典型	最大
10.4.1	输入电阻	R_ID	－	1.0	－	－	1.O	－	MΩ
10.4.2	输出电阻	R_OS	－	75	－	－	75	－	Ω
10.4.3	建立时间 A_VF=1 V_o=±15V	test	－	800	－	－	800	－	ns

11型号说明

11.1 电原理图

11.2调零电路

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11.3同相输入放大的频书补偿电路

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A_VF	C1(pF)	C2(pF)	C3(pF)
1000	10	－	－
100	50	－	250
10^D	100	500	1000
l	500	2000	1000

注：1）增益为10时，补偿可简化掉C2、C3，而在7、10端接200pF电容。

11．4电压跟随器的接线图

二极管是为了防止阻塞加上的。

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11.5反相输入放大的频率补偿电路

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A_VF（Rr／R1）	C1	C2、C3	CV
A_VF（Rr／R1）	pF
1000kΩ/lkΩ	－	－	－
100kΩ/lOkΩ	150	30～100	－
lOOkΩ/lOkΩ	150	30～100	3

11.6高速反相器电路

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11.7反相电压转换速率测试参考电路

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11.8引出端符号名称

引出端符号	名称
COMP_I	补偿l
CASCODE	共发-共基
IN_－	反相输入
IN₊	同相输入
V_-	负电源
OUT	输出
COMP₂	补偿2
V₊	正电源
COMP₃	补偿3
COMP₄	补偿4

附录A

筛选

（补充件）

II类器件：t生产厂自行规定筛选条件．

III类器件:筛选项目和条件如下：

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1608

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