微波铁氧体单晶器件名词术语和定义
l 引言
微波铁氧体单晶器件是利用铁氧体单晶材料的旋磁效应制成的旋磁微波器件,如旋
磁滤波器、旋磁振荡器等。
微波铁氧体单晶器件具有工作频率范围宽,可磁调谐,线性度好、可靠性高等特
点,广泛用于宽频带工作的微波设备和测量仪器中,是宽频带侦察接收机、干扰机、扫
频仪、频谱分析仪、频率合成器等设备和仪器中的核心器件。
2 目的
统一微波铁氧体单晶器件的名词术语及其定义。
3 范圈
本标准规定了旋磁滤波器、旋磁振荡器的名词术语及其定义。本标准也可作为定义
其它微波铁氧体单晶器件的名词术语的依据。
4 旋磁溶波叠的名词术语及其定义
4.1旋磁滤波器
至少含有一个施磁谐振子的滤波器。分带通滤波器和带阻滤波器。
4.2频率响应曲线
滤波器的损耗与频率的关系曲线。(见图4.1)
4.3工作颇率范围
满足各项规定指标的中心频率的调谐范围。
4.4三分贝带宽
在带通滤波器的频率响应曲线上,比插入损耗大三分贝的两点间的频带宽度,以
MHz计。(见图4.1a)A)
4.5通带
对带通滤波器,通带为三分贝带宽,(见图4,1a )A)
对带阻滤波器,通带为其频率响应曲线边缘外的工作频率范围。
4.6插入损耗
对带通滤波器,为通带内传输损耗的最小值,以dB计。(见图4.1a )B)。
对带阻滤波器,为通带内传输损耗的最大值,以dB计。(见图4.1b)B)。
中华人民共和国电子工业部1988-03-09发布 1988-10-01实施
图4.1旋磁滤波器的频率响应曲线a) 带通滤波器
b) 带阻滤波器
A一3dB宽带 G--波纹与假响应组合
B一插入损耗 H一通带假响应
C一失谐隔离 J一边缘假响应
D一失谐假响应 K一抑制度
E一近带外隔离 L一阻带带宽
F一通带波纹 fo一中心频率
4.7抑制度
相对于插入损耗的衰减量,以dB计。(见图4.1b)K)。
4.8阻带宽度
在规定抑制度下的两点间的频带宽度,以MHz计。(见图4.1b)L)
4.9中心频率
对带通滤波器,为通带两端点的频率的算术平均值。(见图4.1a)f)。
对带阻滤波器为阻带两端点的频率的算术平均值。(见图4,1b)f)。
4.10通带波纹
对带通滤波器,由于过耦合引起的通带内波纹的峰一峰值,以dB计。(见图
4.1a)F)。
4.11通带电压驻波比
通带内最小的电压驻波比。
4.12假响应
由静磁模或其它寄生模式引起的附加频率响应。可分为:
a.通带内假响应:在通带内相对于正常化频率响应曲线对应点的衰减量,以dB计。
(见图4.1a)、b)H)。
b.边缘假响应:在频率响应曲线边缘上波纹的峰—峰值,以dB计.(见图4.1a)J).
c.失谐假响应.对带通滤波器在频率喻应曲线边缘外相对于插入损耗的衰减量,
以dB计。(见图4.1a)D).
4.13波纹与假响应组合
对带通滤波器,在通带内有波纹和假响应时,相对于插入损耗的最大衰减,以dB计。
(见图4.1a ;G)。
4.14级数
滤波器中的旋磁谐振子数目。
4.15选择性
带通滤波器频率响应曲线边缘的斜率,以每通带倍频程每级多少,以dB计。
4.16通带外隔离
对带通滤波器,在频率响应曲线边缘上规定频率处,相对于输入功率的衰减量,以
dB计.(见图4.1a )E)。
4.17失谐隔离
对带通滤波器,在频率响应曲线边缘外,相对于输入功率的衰减量的最小值,以
dB计。(见图4.1a)C)
4.18限幅电平
在输入功率曲线上,IdB压缩点处测得的输入功率电平,以dBm计。.<见图4.2)。
4.18阶跃响应时间
在阶跃调谐时,滤波器中心频率进入并维持在以稳态频率为中心的规定误差带内所
需要的最短时间。(见图4.3)。
图4.2限幅特性 图4.3阶跃响应时间
4.20扫描延迟
在规定的扫描速度下,线性电流连续扫描时,中心频率相对于对应电流的滞后时间。
4.21 频滞
在整个工作频率范围内,两个方向反复调谐时,在所形成的上下两条中心频率与电
流关系曲线上,对应于同一调谐电流处的最大频差,以MHz计。(见图4.4)
图4.4频滞定义
4.22 中心频率温度漂移
在规定工作温度范围内,中心频率随温度的最大变化量,以MHz计。
4.23频率精度
在最低工作温度、室温,最高工作温度下中心频率与电流关系曲线组同它们的最佳
拟合宜线的最大频差,包括调谐线性度和频率漂移。(见图4.5)。
图4.5频率精度 图4.6调谐线性度
4.24 调谐线性度
在工作频率范围内,室温下的中心频率与电流关系曲线同最佳拟合直线的最大频
差,以±MHz计。(见图4.6△f).
4.25 调谐灵敏度
工作频率范围与相应的最高、最低调谐电流差之比,以MHz/mA计。
4.26 调谐线圈电阻
在室温下调谐线圈的直流电阻。
4.27 调谐线圈电感
在室温下调谐线圈的端电感,(在规定频率下测量)。
5 旋磁振荡器的名词术语及其定义
5.1 旋磁振荡器
用旋磁谐振予作谐振回路的振荡器。
5.2 工作频率范围
满足各项规定指标的频率范围。
5.3 输出功率
向额定负载传输的功率。
5.4 输出功率起伏
在工作频率范围内,在规定条件下,输出功率的最大变化,以dB计。
5.5 谐波含量
各次谐波电平与基波电平之比,以dBc计。
5.6 非谐波含量
在工作频率范围内,非谐波电平与基波电平之比,以dBc计。
5.7 边带噪声
在偏离载频规定频率处,在测试带宽内的噪声功率与载频功率之比,,以dBc/Hz计。(见图5.1).
图5.1边带噪声定义
5.8剩余调频
调谐电流的波纹引起的载频峰一峰偏移。
5.9频率牵引
在规定电压驻波比的负载上,相位变化360°时,振荡频率的最大变化。以MHz
计.
5.10频率推移
由偏值电压变化引起的振荡频率移动。通常规定在电压变化±0.5以内测量,以
MHz/V计。
5.11阶跃响应时问
在阶跃调谐时,振荡频率进入并维持在以稳态频率为中心规定的误差带内需要的最
短时间。(见图5.2)。
图5.2阶跃响应时问
5,12扫描延迟
在规定扫描速度下,线性电流连续扫描肘,振荡频率相对于调谐电流的滞后对间。
5.13调制响应带宽
调频副线圈的调谐灵敏度下降为直流时的0.707倍的调制频率,以MHz计。(见图
5.3)。
图5.3调制响应带宽定义
5.14调后漂移
从工作频率的一端调到另一端之后,在规定时间内,振荡频率的继续漂移量。
5.15 频带
在整个工作频率范围内,两个方向反复调谐时,在形成上下两条振荡频率与电流关
系曲线上对应于同一调谐电流处的最大频差。(见图5.4)。
图5.4颏滞定义
5.16振荡频率温度漂移
在规定的工作温度范围内,振荡频率随温度的最大变化量,以MH7计。
5.17调谐线性度
在工作频率范围内,室温下振荡频率与电流关系曲线同最佳拟合直线的最大频差,
以MHz计。(见图5.5)。
图5.5调谐线性度定义
5.18频率精度
在最低工作温度、室温、最高工作温度下振荡频率与电流关系曲线组同它们的最佳
拟合直线的最大频差。包括调谐线性度和频率漂移,以±MHz计。(见图5.6). ,
图5.6频率精度定义
5.19磁敏感度 . ’
由外界磁场引起的振荡频率的最大变化最。以kHz/mT计。
5.20调谐线圈电阻
在室温下调谐线圈的直流电阻。
5.21调谐线圈电感
在室温下,调谐线圈的端电感,(在规定频率下测量).
附加说明I
本标准由电子工业部第九研究所负责起草。
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