SJ2364 833CD164型、3CD364型PNP硅低压低频大功率三极管

                     3C D 164型、3CD364型                 

                PNP硅低压低频大功率三极管

1本标准适用于耗散功率为150 W的3 CD 164型、3CD364型PNP硅乏重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。

    三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614--73《半导体三极管总技术条件》的规定。

2本标准采用的电参数符号一般符合SJ 1400—78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：

  V——集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。

3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ 139--78《半导体三极管外形尺寸》的规定。

4 三极管的参数应符合本标准13.1和13.2条的要求。其测最方法应符合SJ 300～314--72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。

5例行试验抽样方法按SJ 614--73《半导体-二极管总技术条件》第17条规定。

6.环境试验后，三极管的集电极一基极电压V、集电极一发射极电压V 、发射极一基极电压V应符合本标准的13.1条的规定。其中V、V不许降档；电流放大系数h的相对变化应不超过±35%。

7 环境试验后不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。不合格时应进行双倍试验。双倍试验应进行全部项目。双倍试验后，不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。

8 功率试验和高温贮存试验的试验时间均为120小时。

    功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准13.1和13.2条的规定。集电极一基极电压V、集电极一发射极电压V、发射极一基极电压V应符合要求，其中V、V不许降档；反向电流I不超过规范值的2倍；饱和压降不超过规范值的1.2倍，电流放大系数h的相对变化不超过±35%。

9 功率试验后，全部三极管都符合第8章的规定，则为合格。若有1只三极管不符合该章规定，则将试验时间延长到240小时。240小时试验后，不符合第8章规定的三极管数量累计不超过1只为合格。

    不合格时应进行双倍试验，双倍试验120小时后，全部三极管符合第8章规定则为合格。若有1只三极管不符合该章规定，则将试验延长到240小时，不符合第8章规定的三极管累计不超过1只为合格，否则双倍试验为不合格。

10  高温贮存试验后，不符合第8章规定的三极管不超过1只，则为合格。若有2只三极管不符合第8章规定，则将试验延长到240小时，24小时后，不符合该章规定的三极管累计不超过2只为合格。

    不合格时，应进行双倍试验。双倍试验120小时后，不符合第8章规定的三极管不超过1只为合格。

1l 双倍试验不合格时，按SJ 614--73《半导体三极管总技术条件》第23条规定执行。

12 生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：

    a．  安令工作区（包括直流、脉冲宽度为ls、100ms、10 ms、1ms等）曲线，

    b．  热循环特性曲线；

    c．P一T的关系曲线，

    d．h—T的关系曲线（Tc为- 55、25、100℃时）’

    e． I一V的关系曲线；

    f． -V 的关系曲线(Tc为25℃时)，

    g．  Ic-- V的关系曲线。

13 3CD164型、3CD364型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2 0

  13.1  三极管的最大极限值见表l。

表l

注，I为h=5时的集电极直流电流。

13.2 三极管的电特性见表2。

                     表2