SJ2362 85 3CD159型、3CD160型PNP硅低压低频大功率三极管

            3CD159型、3CD160型    

          PNP硅低压低频大功率三极管

1本标准适用于耗散功率为75 W的3 CD 159型、3CD160型PNB硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。

    三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614--73《半导体三极管总技术条件》的规定。

2本标准采用的参数符号一般符合SJ 1400—78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：

   V——集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。

3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ 139--78《半导体三极管外形尺寸》的规定。

4 三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ  300～314--72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。

5环境试验后，三极管的集电极一基极电压V、集电极一发射极电压V、发射极一基极电压V应符合本标准8.1条的规定。其中V、V不许降档；电流放大系数h的相对变化应不超过±35%。

6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压V，集电极一发射极电压V、发射极一基极电压V应符合要求，其中V、V不许降档；反向电流I不超过规范值的2倍；饱和压降不超过规范值的1.2倍；电流放大系数h的相对变化应不超过±35%。

7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：

    a．  安全工作区（包括直流、脉冲宽度为ls、100ms、10 ms、1ms等）曲线，

    b．  热循环特性曲线；

    c．P一T的关系曲线，

    d．h—T的关系曲线（Tc为- 55、25、100℃时）’

    e． I一V的关系曲线；

    f． -V 的关系曲线(Tc为25℃时)，

    g．  Ic-- V的关系曲线。

8 3 CD159型、3CD160型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表l、表2。

  8.1三极管的最大极限值见表l。

注：I为h=5时的集电极直流电流。