SJ2815 88微波铁氧体单晶器件名词术语和定义

  微波铁氧体单晶器件名词术语和定义

1引言

    微波铁氧体单晶器件是利用铁氧体单晶材料的旋磁效应制成的旋磁微波器件，如旋

磁滤波器、旋磁振荡器等。

    微波铁氧体单晶器件具有工作频率范围宽、可磁调谐、线性度好、可靠性高等特

点，广泛用于宽频带工作的微波设备和测量仪器中，是宽频带侦察接收机、干扰机、扫

频仪、频谱分析仪、频率合成器等设备和仪器中的核心器件。

2目的

    统一微波铁氧体单晶器件的名词术语及其定义。

3范围

    本标准规定了旋磁滤波器、旋磁振荡器的名词术语及其定义。本标准也可作为定义

其它微波铁氧体单晶器件的名词术语的依据。

4旋磁滤波器的名词术语及其定义

4.1旋磁滤波器

    至少含有一个旋磁谐振子的滤波器。分带通滤波器和带阻滤波器。

4,2频率响应曲线

    滤波器的损耗与频率的关系曲线。(见图4.1)

4.3工作频率范围

    满足各项规定指标的中心频率的调谐范围。

4.4三分贝带宽

在带通滤波器的频率响应曲线上，比插入损耗大三分贝的两点间的频带宽度，以

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                        

MHz:计。(见图4,1a)A )

4．5通带

    对带通滤波器，通带为三分贝带宽，(见图4,1a )A)

    对带阻滤波器，通带为其频率响应曲线边缘外的工作频率范围。

4． 6插入损耗

    对带通滤波器，为通带内传输损耗的最小值，以dB计。(见图4.1a)B)

    对带阻滤波器，为z带内传愉损耗的最大值，以dB计。(见图4.1b)B)

 

                                            r

 A—3dB带宽               G一波纹与假响应组合

    B一插入损耗           H一通带假响应

    C一失谐隔离            J一边缘假响应

   D一失谐假响应              K一抑制度

   E一近带外隔离               L一阻带带宽

    F一通带波纹               fo一中心频率

4.7 抑制度

    相对于插人损耗的衰减量，以dB计。(见图4,1b )K)。

4.8 阻带穿度

    在规定抑制度下的两点间的频带宽度，以MHz计。(见图401b )L)

4.9中心频率

    对带通滤波器，为通带两端点的频率的算术平均值。(见图4.1a ) f)。

    对带阻滤波器为阻带两端点的频率的算术平均值。(见图4.1b)f)。

4.10通带波纹

    对带通滤波器，由于过耦合引起的通带内波纹的峰一峰值，以dB计。(见图

4，la)F)。

4.11通带电压驻波比

    通带内最小的电压驻波比。

4,12假响应

    由静磁模或其它寄生模式引起的附加频率响应。可分为。

    a  .通带内假响应:在通带内相对于正常化频率响应曲线对应点的衰减量，以d}计。

  (见图4 .1})、b)H)。

    b.  边缘假响应：在频率响应曲线边缘上波纹的峰一峰值，以dB计。(见图4,1a)

  3)。

    c.  失谐假响应：对带通滤波器在频率响应曲线边缘外相对于插入损耗的衰减量，

  以dB计。(见图4。la)D)。

4。18波纹与假响应组合

    对带通滤波器，在通带内有波纹和假响应时，相对于插入损耗的最大衰减，以dB计。

  (见图4。1a)G)。

  4.14级数

      滤波器中的旋磁谐振子数目。

  4.}5选择性

    带通滤波器频率响应曲线边缘的斜率，以每通带倍频程每级多少，以dB计。

  4.16通带外隔离

    对带通滤波器，在频率响应曲线边缘上规定频率处，相对于输人功率的衰减量，以

  dB计。(见图4,1a)E)。

  4.17失谐隔离

      对带通滤波器，在频率响应曲线边缘外，相对于输入功率的衰减量的最小值，以

  d f3计。(见图4 , ), a)C)

  4.18限幅电平

      在输人功率曲线上，1dB压缩点处测得的输入功率电平，以dBm计。(见图4, 2)。

  4 .19  阶跃响应时间

      在阶跃调谐时，滤波器中心频率进入并维持在以稳态频率为中心的规定误差带内所

  需要的最短时间。(见图4.3)。

4.20扫描延迟

在规定的扫描速度下，线性电流连续扫描时，中心频率相对于对应电流的滞后时

间。

4.21 频滞

在整个工作频率范围内，两个方向反复调谐时，在所形成的上下两条中心频率与电

流关系曲线上，对应于同一调谐电流处的最大频差，以MHz计。(见图4, 4)

4.22中心频率温度漂移

    在规定工作温度范围内，中心频率随温度的最大变化量，以MH:z计。

4.23频率精度

    在最低工作温度、室温、最高工作温度下中心频率与电流关系曲线组同它们的最佳

拟合直线的最大频差，包括调谐线性度和频率漂移。(见图4.5)。

 

4.24调谐线性度

    在工作频率范围内，室温下的中心频率与电流关系曲线同最佳拟合直线的最大频

差，以1MHz计。(见图4.6△f)。

4,25调谐灵敏度

    工作频率范围与相应的最高、最低调谐电流差之比，以MHz/mA计。

4.26调谐线圈电阻

  在室温下调谐线圈的直流电阻。

4.27调谐线圈电感

在室温下调谐线圈的端电感，(在规定频率下测量)。

5  旋磁振荡器的名词术语及其定义

 5.1 旋磁振荡器

    用旋磁谐振子作谐振回路的振荡器。

5.2工作频率范围

    满足各项规定指标的频率范围。

5.3 输出功率

    向额定负载传输的功率。

5．4 输出功率起伏

    在工作频率范围内，在规定条件下，输出功率的最大变化，以dB计。

5.5 谐波含量

    各次谐波电平与基波电平之比，以d Bc。计。

5.6 非谐波含量

    在工作频率范围内，非谐波电平与基波电平之比，以dBc计。

5.7边带噪声

在偏离载频规定频率处，在测试带宽内的噪声功率与载频功率之比，二以dBc/Hz计，（见图5.1）

5．8

剩余调频

调谐电流的波纹引起的载频峰一峰偏移。

5.9  频率牵引

在规定电压驻波比的负载上，相位变化360°时，振荡频率的最大变化，以MHz计。

5.10 频率推移

由偏值电压变化引起的振荡频率移动。通常规定在电压变化±0.5V内测量。.以MHz/V计。

5,11阶跃响应时间

    在阶跃调谐时，振荡频率进入并维持在以稳态频率为中心规定的误差带内需要的最短时间。(见图5.2)。

5.12扫描延退

    在定扫描速度下，线性电流连续树羡时，振荡率相时于调i}电流的滞后时间夕}i13调制响应带宽

    调频副线圈的调谐灵敏度下降为直流时的0,707倍的调制频率，以MHz计。(见图

 5.12 扫描延迟

在规定扫描速度下，线形电流连续扫描时，振荡频率相对于调谐电流的滞后时间。

5．13 调制响应带宽

 调频副线圈的调谐灵敏度下降为直流时的0.707倍的调制频率，以MHz计。

5.14 调后漂移

从工作频率的一端调到另一端之后，在规定时间内，振荡频率的继续漂移量。

5.15频滞

在整个工作频率范围内，两个方向反复调谐时，在形成上下两条振荡频率与电流关

系曲线上对应于同一调谐电流处的最大频差。(见图5.4).

5.16 振荡频率温度漂移

    在规定的工作温度范围内，振荡频率随温度的最大变化量，以MHz计。

5.17 调谐线性度

    在工作频率范围内，室温下振荡频率与电流关系曲线同最佳拟合直线的最大频差，

以MHz计。(见图5, 5)。

 

5.18频率精度

    在最低工作温度、室温、最高工作温度下振荡频率与电流关系曲线组同它们的最佳拟合直线的最大频差。包括调谐线性度和频率漂移，以1MHz计。(见图5.6)。，

 

5,19磁敏感度

    由外界磁场引起的振荡频率的最大变化量。以kHz/mT计。

5. 20调谐线圈电阻

    在室温下调谐线圈的直流电阻。

5,2}调谐线圈电感

    在室温下，调谐线圈的端电感，(在规定频率下测量)。

 

附加说明:

本标准由电子工业部第力二研究所负责起草。

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