中华人民共和国电子工业部部标准
3C D 255型、3C D256型、3C D 455型 SJ 2370--83
PNP硅高压低频大功率三极管
l 本标准适用于耗散功率为30W的3CD255型、3CD256型、3CD455型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的高压低频大功率三极管(以下简称三极管)。
三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ 614--73《半导体三极管总技术条件》的规定。
2 本标准采用的参数符号一般符合SJ1400--78《半导体器件参数符号》的规定,并补充如下符号;
——集电极一发射极(基极开路时)的维持电压。——集电极一发射极(基极一发射极接电阻时)的维持电压。
3 三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139--78((半导体三极管外形尺寸》的规定。
4 三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ 300-314--72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外,均以管壳温度Tc为25℃时为准。
5 环境试验后,三极管的集电极一基极电压、集电极一发射极电压、发射极一基极电压应符合本标准8.1条的规定。其中、不许降档I电流放大系数的相对变化应不超过±35%。
6 功率试验和高温贮存试验后,三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压、集电极一发射极电压、发射极一基极电压应符合要求,其中、不许降档,反向电流,不超过规范值的2倍;饱和压降不超过规范值的1.2倍;电流放大系数的相对变化应不超过±35%。
7 生产单位在产品目录(或说明书)中提供以下特性曲线。
a. 安全工作区(包括直流,脉冲宽度为Is、lOOms、10ms、1ms等)曲线;
b. 热循环特性曲线I
c.—Tc的关系曲线,
d.一Tc关系曲线(Tc为-55、25、100℃时).
e. 一的关系曲线I
25℃时),g. --的关系曲线。
8 3CD255型、3 CD256型、3 CD455型PNP硅高压低频大功率三极管参数规范见表l、表2。
8.1三极管的最大极限值见表1。
表l
参 数
|
电 压 分 档 |
| ||||
A |
B |
c |
D |
E |
计量单位
| |
-120 |
- 150 |
- 200 |
- 250 |
- 300 |
V | |
- 120 |
- 150 |
- 200 |
- 250 |
- 300 |
V | |
-4 |
-4 |
-4 |
-4 |
-4 |
V | |
一2 |
A | |||||
30 |
W | |||||
150(金属封装),l25(塑料封装) |
℃ | |||||
- 55~+ 150(金属封装),-40~+ 125(塑料封装) |
℃ |
注:为=5时的集电极直流电流。
3.2三极管的电特性见表2。
1214