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SJ 50597.40 96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I 1C533 3

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:1588次
SJ 50597.40 96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I 1C533 3
 

3.6标志

    标志应按GJB 597第3.6条的规定。

3.6.1  总剂量辐射强度标志

    总剂量辐射强度标志应按GJB 597第3.6.2.6条的规定。

3.6.2标志的正确性

    所有器件在标上器件编号后,应经受表2规定的最终电测试,以验证器件编号标志的正确性。

3.7微电路组的划分

    本规范所涉及的器件为第38徽电路组(见GJB 597附录E)。

4质量保证规定

4.1抽样和检验

    除本规范另有规定外,抽样和检验程序应按GJB 597和GJB 548方法5005的规定。

4.2筛选

    在鉴定检验和质量一致性检验之前,全部器件应按GJB 548方法5004和本规范表4的规

定进行筛选。

    表4筛选程序

若无其他规定,表中采用的方法系指GJB 548的试验方法。

 筛选项目

条件和要求

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

内部目检

(封装前)

2010

试验条件B

  20lO

 

试验条件B

 

 

稳定性烘焙

(不要求终点电

测试)

1008

 

试验条件C

(150℃,24h)

  1008

 

 

试验条件C

(150℃,24h)

 

 

温度循环

lOlO

试验条件C

  10lO

试验条件C

 

恒定加速度

200l

 

 

试验条件E

 Y1方向

2001

 

 

试验条件D

 Y1方向

 

试验后进行目检,引线断

落、外壳破裂、封盖脱落为

失效。

中间(老炼前)

  电测试

 

本规范A1分组

 

 

本规范Al分组

 

 

记录要求△测试的Icc

值。

 

动态老炼

1015

 

试验条件D

 125℃,160h

  1015

 

试验条件D

 125℃.160h

采用本规范圈3电路。

 

中间(老炼后)

  电测试

 

本规范A1分组和

表lO△极限

 

本规范A1分组和

表1O△极限

 

允许的不合格品

率(PDA)及其计

 

5%。

当不合格品率不超

过20%时,可重新

提交老炼,但只允

许一次。

 

 

10%。

不合格品率不超过

20%时,可重新提

交老炼,但只允许

一次。

 

用老炼失效数(包括超过

A1分组规范值和△极限

值的器件)除以提交老炼

的合格器件数即为PDA。

不大于规定的PDA时,则

该批应接收。


 

续表4

筛选项目

条件和要求

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

最终电测试

 

本规范A2.

A7,A9分组。

 

 

本规范A2,

A7,A9分组。

 

本项筛选后,若引线涂覆

改变或返工,则应再进行

A1分组测试。

密封

  细检漏

  粗检漏

  lOl4

 

 

 

试验条件A1或A2

试验条件C1或C2

  lOl4

 

 

 

试验条件A1或A2

试验条件Cl或C2

 

外部目检

2009

本规范第3.1条

2009

本规范第3.1条

 

鉴定和质量一致

性检验的试验样

品抽取

5005

 

 

本规范第3.5条

 

 

  5005

 

 

本规范第3.5条

 

 

 

a.JC54HC75

  SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3
b. JC54HC25

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    图3—1 JC54HC75和JC54HC259动态老炼和稳态寿命试验电路图

    注:①SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3= 680Ω~47kΩ SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3=680Ω士5%o

        ②输入信号要求:方波;占空比为50%±15%;频率fcp= 25kHZ~IMHz;

          幅度:Ym=4,5V~Vcc;Vm=0±0.5V;I.≤0.5μs。

       ③Vcc= 6.0V+O.5V。

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 d.JC54HC533

                                                 SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    图3—2 JC54HC373、JC54HC573和JC54HC533动态老炼和稳态寿命试验电路图

    注:①SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3= 680Ω~47kΩ SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3=680Ω士5%o

        ②输入信号要求:方波;占空比为50%±15%;频率fcp= 25kHZ~IMHz;

          幅度:Ym=4,5V~Vcc;Vm=0±0.5V;I.≤0.5μs。

        ③Vcc= 6.0V+O.5V。

4.3鉴定检验

    鉴定检验应按GJB 597第4.4条的规定。所进行的检验应符合GJB 548方法5005和本

规范A、B、C、D和E组检验(见本规范4.4.1~4.4.5条)的规定。

4.4质量一致性检验

    质量一致性检验应按GJB 597第4.5条的规定和本规范的规定。所进行的检验应按

GJB 548方法5005和本规范A、B、C、D和E组检验(见本规范4.4.1~4.4.5条)的规定。

4.4.1A组检验

    A组检验应按本规范表5的规定。

    电试验要求按本规范表2的规定,各分组的电测试按本规范表3的规定。

    各分组的测试可用同一个样本进行。当所要求的样本大小超过批的大小时,允许100%

检验。备分组测试可按任意顺序进行。

    合格判定数(C)最大为2。

 

表5 A组检验

试验

LTPD

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

A1分组

  25℃下静态测试

    2

 

    2

 

A2分组

  125℃下静态测试

    3

 

    3

 

 A3分组

  一55℃下静态测试

    5

 

    5

 

 A4分组¨

  25℃下动态测试

    2

 

    2

 

 A7分组

  25℃下功熊测试

    2

 

    2

 

 A8分组

  125℃和一55℃下功能测试

    5

 

    5

 

 A9分组

  25℃下开关测试

    2

 

    2

 

 A1O分组

  125℃下开关测试

    3

 

 All分组

    -55℃下开关测试

    5

 

 

  注:1)仅在初始鉴定和工艺、设计改变时才进行该分组测试。(即在IMHZ频率下测量指定输入端与

    GND间的电容。)

4.4.2B组检验

    B组检验应按本规范表6的规定。

    对其中不要求电测试的分组(Bl~B5分组)可采用同一检验批中电性能不合格的器件为

样本。

    表6 B组检验

若无其他规定,表中引用的方法系指GJB 548的试验方法。

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

B1分组

尺寸

2016

按规定

2016

按规定

2/(0)

 

B2分组

抗溶性

2015

按规定

2015

按规定

4/(0)

 

 


续表6

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

B3分组

  可焊性

 

 

 

2022

2003

试验条件。

A1或A2

 Cl或C2

按方法1010的

目检判据

A1,A2,A3分组

(见本规范表3)

 

2022

2003

焊接温度t

 245±5℃

 

15

LTPD系对引线数

而言,被试器件应

不少于3个。

B4分组

内部目检和

机械检查

 

2014

 

不要求

 

 

 

2014

 

按规定

 

 l/(O)

 

B5分组

  键合强度

  超声焊

 

 

 20ll

 

 

 

 

 

 20ll

 

 

试验条件C

或D

 

 

15

可在封装前的“内

部目检”筛选后,随

机抽取样品进行本

分组试验。

B8分组

(a)电测试

(b)静电放

  电灵敏

  度等级

(c)电测试

 

 

GJB

1649

 

 

本规范A1分组

本规范A1分组

 

 

 

GJB

1649

 

 

本规范A1分组

本规范A1分组

 

3/(0)

初始鉴定或产品重

新设计时应进行。

 

4.4.3C组检验

  C组检验应按本规范表7的规定。

表7 C组检验

若无其他规定,表中引用的方法系指GJB 548的试验方法。

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

Cl分组

稳态寿命

 

终点电测试

 

1005

试验条件D.

125℃.1000h

 A1,A2,A3.分组

(见本规范表3)

和表10△极限

1005

试验条件D.

125℃.1000h

 A1.A2,A3分组

(见本规范表3)

和表10△极限

5

采用本规范图3电

路或等效电路。

A1分组要求测试并

计算△极限值(见

本规范4.5.2条)

C2分组

温度循环

恒定加速度

 

1010

2001

试验条件C

试验条件E

YI方向

 

1010

2001

试验条件C

试验条件D.

Y1方向。

15

 

 


续表7

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

密封

  细检漏

  粗检漏

目检

 

终点电测试

 

1014

试验条件。

A1或A2

 Cl或C2

按方法1010的

目检判据

A1,A2,A3分组

(见本规范表3)

1014

试验条件l

 A1或A2

 Cl或C2

按方法1010的

目检判据

A1,A2,A3分组

(见本规范表3)

 

 

C3分组

125℃下

开关测试

 

不要求

 

 

 

A1O分组(见

本规范表3)

3

 

C4分组

-55℃下

开关测试

 

不要求

 

 

 

 

All分组(见本

规范表3)

5

 

 

4.4.4D组检验

D组检验应按本规范表8的规定。

D1、D2、D5、D6、D7和D8分组可用同一检验批中电性能不合格的器件为样本。

表8 D组检验

若无其他规定,表中采用的方法系指GJB 548的试验方法。

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

DI分组

尺寸

2016

按规定

 

2016

按规定

 

15

 

D2分组

引线牢固性

 

 

密封

  细检漏

 粗检漏

2004

1014

试验条件B2

(片式载体封

装采用试验条

条件D)

试验条件,

A1或A2

 C1或C2

2004

1014

 

15

 

DB分组

热冲击

1011

试验条件

15次循环

1011

按规定

 

15

 

 


续表8

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

温度循环

 

抗潮湿

 

 

 

密封

  细检漏

  粗检漏

目检

 

1010

1004

1014

试验条件C.

100次循环

按规定

(片式载体不

要求引线弯曲

应力的预处理)

试验条件。

A1或A2

 C1或c2

按方法1004

和1010的目

检判据

A1.A2.A3分组

(见本规范表3)

1010

1004

1014

试验条件C

 10次循环

按规定

(片式载体不

要求引线弯曲

应力的预处理)

试验条件:

A1或A2

 Cl或C2

按方法1004

和1010的日

检判据

A1,A2,A3分组

(见本规范表3)

 

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件可按

OGB 4590第3.6条

严格度D

 

 D4分组

机城冲击

变频振动

恒定加速度

 

密封

  细检漏

  粗检漏

目检

 

 

终点电测试

 

2002

2007

2001

1014

试验条件B

试验条件A

试验条件E.

Y1方向

试验条件:

A1或A2

 C1或C2.

按方法2002和

2007的目检判

A1,A2分组(见

本规范表3)

 

2002

2007

2001

1014

 

试验条件A

试验条件A

试验条件D.

Y1方向

试验条件:

A1或A2

 Cl或C2

按方法2002和

2007的目检判

A1,A2分组(见

本规范表3)

15

用于D3分组的样品

可用在D4分组

 

D5分组

盐雾

密封

  细检漏

  粗检漏

目检

 

1009

1014

试验条件A

试验条件:

A1或A2

 Cl或C2

按方法1009的

目检判据

 

适用时同B级

器件

 

15

 

 D6分组

内部水汽

含量

1018

100℃时最大

水汽含量为:

5000ppm

 

不要求

 

 3/~o)

或5/(1)

 

当试验3个器件出

出1个失效时,可加

试2个器件并且不


 

续表8

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

 

 

 

 

 

 

失效。着第一次试

验未通过时,可在鉴

定机构认可的另一

试验室进行第=次

试验,若试验通过,

则该批应被接收。

D7分组

引线涂覆粘附强度

 

2025

按规定

 

2025

按规定

 

15

LTPD系对引线致而

言。

不适用于片式载体封

装。

D8分组

封盖扭矩

2024

按规定

 

2024

按规定

 

5/(0)

仅适用于陶瓷熔封外壳

 

4.4.5E组检验

    仅对辐射强度保证等级有要求的器件进行E组检验(见本规范3.6.1条)。

    E组检验应按本规范表9的规定。

    表9 E组检验

若无其他规定,表中采用的方法系指GJB 548的试验方法。

 试  验

条件和要求

样品数/(接收数)或LTPD

 说  明

B级器件

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3级器件

方法

    条件

方法

    条件

E2分组

试验前电测试

 

稳态总剂量

辐射

(a)鉴定检验

 

(b)质量一致

  性检验

终点电测试

 

1019

A1分组及

,TA=25℃

Vcc=6V

 

本规范

A7分组及

裹13

1019

A1分组及

Tcc= 25℃

Vcc= 6V

 

本规范

A7分组及

表13

15/(0)

 

11/(0)

 

按本规定4.5.4条的规

定。

抽样方法按GJB 548方褪

5005表V的规定。

3个晶片批,每批5个

器件。

按晶片批。

按本规范4.5.4条的规

’定。

 

 

4.5检验方法

    检验方法按下列规定。

4.5.1电压和电流


    所有给出的电压均以器件GND端为基准。电流以流入器件引出端为正。

4.5.2老炼和寿命试验

    被试器件(DUT)在完成试验之后,应先冷却到25±3℃,才能去掉偏量电压,然后再进行

电参效终点电测试并授要求计算变化量(△)值,见本规范表10。

表10变化量极限(SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3=25℃)

参    数

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

变化量(△)极限

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

6V

±120nA

 

    注:1)老炼和寿命试验前后应记录SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3的参数值,以确定变化量(△)。

4.5.3电源电流(SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3)的测试

    进行电源电流测量时,电表的安置应使全部电流流过该电表。

4.5.4辐射强度保证(RHA)试验

    RHA试验应按GJB 548方法5005表V和本规范表9规定试验程序和抽样进行。

    I.  辐射前,抽取韵样品应经过25℃下的A1分组电润试合格,并进行阈值电压(SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3)的测试,以便计算辐射后的阈值电压变化量(SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3)。样品应放在合格的包装之中。

    b.  阈值电压测试电路和溯试条件按本规范图4和本规范表11的规定。

    c.对于被试的RHA等级,器件应经受G|B 597中第3.4.1.3条规定的总剂量辐射。辐

射期间,器件应按本规范表12的规定加偏置电压,且在整个过程中始终保持偏置。

  d.辐射后,器件应进行“原位测试”或“移位测试”。作移位测试时,器件应使用可动偏置

夹具.并按规定保持其温度和偏置。移动偏置装置时,偏置电压的中断时间不得超过1分钟。

  e.  辐射后,器件在25℃下终点电测试,电参数应符合本规范表13的规定。A7分组的功

能测试按本规范表3的规定。终点电测试应在辐射后2h内完成。

N沟测试(某一输入端)

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

P沟测试(某一输入端)

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

图4  阈值电压( SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3)测试电路

 

表11  阀值电压的测试条件

    器件型号

 

封装形式

 

测试弓l出端连接条件

测试弓l出端连接条件

GND

5V

-10UA

GND

-5V

10UA

JC54HC75

D,F,H,J

12

5

2,3,4,6,7,13

12

2,3,4,6,7,13

5

C

15

7

3.4.5.8.9.17

15

3.4.5.8.9.17

7

 JC54HC259

D,F,H,J

8

16

1,2,3,13,14,15

8

1,2,3,13,14,15

16

C

10

20

2, 3, 4.17,18,19

10

2, 3, 4.17,18,19

20

JC54HC373

D,F,H,J,C,

10

20

1, 3,4,7,8, 11,13,14,1'7,18

10

1, 3,4,7,8, 11,13,14,1'7,18

20

 JC54HC533

D,F,H,J,C

10

20

1,3,4,7,8,11, 13, 14, 17, ]8

10

1,3,4,7,8,11, 13, 14, 17, ]8

20

  JC54HC573

D,F,H,J,C

10

20

1~9,11

10

1~9,11

20

 

表12辐射期间的偏置

 器件型号

封装形式

引出端连接

4.5v(通过30~60kΩ电阻)

GND

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3=4.5V

JC54HC75

 D,F,H,J

2,3,4,6,7,13

12

5

    C

3.4.5.8.9.17

15

7

 JC54HC259

 D,F,H,J

1,2,3,13,14,15

8

16

    C

2, 3, 4.17,18,19

10

20

JC54HC373

 C,D,F,H,J

1, 3,4,7,8, 11,13,14,1'7,18

10

20

 JC54HC533

 C,D,F,H,J

1,3,4,7,8,11, 13, 14, 17, ]8

10

20

  JC54HC573

C,D,F,H,J

1~9,11

10

20

注:l)未给出的引出蝴为开路,或通过30~60kΩ电阻器接4.5V。

表13辐射强度终点电测试

参    数

Vcc

范    围

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    5.0V

    最小-0.3V

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    5.OV

    最大2.8V

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    5.0V

    最大I.OV

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    6.0V

    100×最大规范值

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    4.5V

    1.35×最大规范值

SJ 50597.40-96 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54IIC373、JC54I-1C533_3

    4.5V

    1.35×最大规范值

 


4.6数据报告

    当采购文件有规定时,应提供下列效据的副本:

    a.所有筛选试验的特征数据(见本规范4.2条),所有老炼和稳态寿命试验的变化量数

据(见本规范3.5条)l

    b.质量一致性检验数据(见本规范4.4条);

    c.老炼期闻的电参数分布数据(见本规范3.5条);

    d.最后电测试数据(见本规范4.2条)。

5交货准备

5.1包装要求

  包装要求应按GJB 597第5.1条的规定。。

6说明事项

6.1订货资料

    订货合同应规定下列内容:

    1.  完整的器件编号(见本规范1.3.1条);

    b.  需要时,对器件制造厂提供与所交付器件相应的检验批质量一致性检验数据的要求;

    c.  需要时,对合格证书的要求;

    d.  需要时,对产品设计或工艺更改时,通知采购单位的要求;

    e.需要时.对失效分析(包括GJB 548方法5003所要求的试验条件)、纠正措施和结果

提供报告的要求;

    f.对产品保证选择的要求;

    g.  需要时,对特殊载体、引线长度或引线形式的要求;

    h.  对认证标志的要求;

    I.  需要时,对总荆量辐射试验的要求;

    j.  需要时,其它要求。

6.2缩写词、符号和定义

    本规范所用的缩写词、符号和定义接GB 3431.1、GB 3431.2和GJB 597的规定。

6.3替代性

    本规范规定的器件,其功能可替代普通工业用器件。不允许用普通工业用器件替代军用

器件。

6.4操作

    器件必须采取防静电措施进行操作。

    推荐下列操作措施:

    a.  器件应在防静电的工作台上操作;

    b.  试验设备和器具应接地;

    c.  不能触摸器件引线;

    d.  器件应存放在导电材料制成的容器中;

    e.  生产、测试、使用及流转过程中,MOS器件区域内应避免使用能引起静电的塑料、橡

胶或丝织物;

    f.  相对湿度应尽可能保持在50%以上。

 

附加说明:

本规范由中国电子技术标准化研究所归口。

本规范由电子工业部第四十七研究所起草。

本规范主要起草人:毕思庆。

计划项目代号:B41004。

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