SJ 50597.34 95 半导体集成电路 JC4085、JC4086、JC4070、JC4077型 CMOS门电路详细规范 3

 

3.6标志

    器件志应按GJB 597第3.6条的规定。

3.6.1  总剂量辐射强度标志

    总剂量辐射强度标志应按CJB 597第3.6.2.6条的规定。

3.6.2标志的正确性

    所有器件在标上器件编号后，应经受表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认可

的电测试，以验证器件编号标志的正确性。
3.7微电路组的划分

    本规范所涉及的器件为第36微电路组（见GJB 597附录E）。

4  质量保证规定

4.1  抽样和检验

    除本规范另有规定外，抽样和榆验程序应按CJB 597和GJB 548方法5005的规定。

4.2筛选

    在鉴定检验和质量一致性检验之前，全部器件应按GJB 597方法5004和本规范表4的规

定进行筛选。

    表4筛选

若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

项目		条件和要求				说  明
		B级器件		级器件
		方法	条件	方法	条件
内部目检 （封装前）		20lO	试验条件B	20lO	试验条件B
稳定性烘熔 （不要求终点 电测试）		1008	试验条件C (150℃，24h)	1008	试验条件C (150℃，24h)
温度循环		1010	试验条件C	1010	试验条件C
恒定加速度		200l	试验条件D  Y1方向	200l	试验条件D  Y1方向	试验后进行目检，引线断 落、外壳破裂、封盖脱落 失效。
中间（老炼前） 电测试			本规范A1分组		本规范A1分组	记录要求△测试的值。
老化	静态	1015	试验条件B (125℃,160h)	1015	试验条件B (125℃,160h)	①静态老化采用本规   范图3电路。 ②动态老化采用本规   葩图4电路。 ③可选取静态、动态老   化的其中一种方式。
	动态		试验条件D 或E (L25℃,160h)		试验条件D 或E (L25℃,160h)
中间（老化后） 电测试			本规范A1分组 和表10△极限		本规范A1分组 和表10△极限

续表4

若无其他规定，袭中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

项目	条件和要求				说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
允许的不合格品率(PDA)及其计算		5%。本规范A1分组，当不合格品率不超过20%时，可 重新提交老炼， 但只允许一次。		10%。本规范A1分组，当不合格品率不超过20%时，可 重新提交老炼， 但只允许一次。	用老炼失效效（包括超过 AI分组规范值和△极限 值的器件）除以提交老炼 的合格器件效即为PDA。 不大于规定的PDA时，则 该批应接收。
最终电测试		本规范A2、A7、 A9分组。		本规范A2、A7、 A9分组。	本项筛选后，若引线涂覆 改变或返工，则应再进行 A1分组测试。
密封   细检漏   粗检漏	1014	试验条件A1或 A2 试验条件Cl或 C2	1014	试验条件A1或 A2 试验条件Cl或 C2
外部目检	2009	本规范第3.1条	2009	本规范第3.1条	可在发货前按批进行
鉴定和质量一致性检验的试验样品抽取	5005	本规范第3.5条	5005	本规范第3.5条

a．  JCA085

b．  JC 4086

c．  JC 4070

 

 

d．  JC 4077

    图3静态老化电路图

注：①静态老化I：所有输入端接OV．即开关S1置“l”。

    ②静态老化Ⅱ：所有输入端接．印开荧S1置“2”；

    ③除和端外，每个引出端应通过一个2kΩ～47kΩ的电阻播相连接。

     由于使用、受热或老化，所选电阻的实测值应不超过其标称值的±20%。

    ④输出端开关S2可以置“l”或“2”。

    ⑤=15～18V；= OV。

a．  JC 4085

b．  JC 4086

c．  JC 4070

d. JC4077

    图4 动态老化和稳态寿命试验电路图

    注：①除和端外，每个引出端应通过一个2KΩ～47KΩ的电阻器相连接。

          由于使用、受热或老化，所选电阻的实测值应不超过其标称值的±20%。

         ②对输入信号的要求：

          a．方波占空比50%；

          b．  频率  =25kHz-lMHz．—／2；

          c．  频率  =25kHz-lMHz．

          d．  幅度：景小值为；-0.5V+10%，

                     最大值为：+0.5V-10%

         ③=15V；=0V。

4.3鉴定检验

    鉴定检验应按GJB 597第4.4条的规定。所进行的检验应符合GJB 548方法5005和本

规范A、B、C、D和E fll榆验(见本规范4.4.1条至4.4.5条)的规定。

4.4质量一致性检验

    质量一致性检验应按GJB 597第4.5条的规定和本规范的规定。所进行的检验应按

GJB 548方法5005和本规范A、B、C、D和E纽检验（见本规范4.4.l条至4.4.5条）的规定。

4.4.1A组检验

    A组检验应按本规范表5的规定。，

    电试验要求应按本规范农2的规定，符分组的电测试按本规范表3的规定。

    符分组的测试可用一个样本进行。当所要求的佯率大小超过批的大小时，允许100%检

验。各分组的测武可按任意顺序进竹，合洛判定数(C)最大为2。

表5 A组检验

试    验	LTPD
	B级器件	级器件
A1分组   25℃下静态测试	2
A2分组  125℃下静态测试	3	3
A3分组  -55℃下静态测试	5	5
A4分组   25℃下动态测试	2	2
A9分组   25℃下开关测试	2	2
A1O分组  125℃下开关测试	3	—
All分组  -55℃下开关测试	5	—

    注：1）仅在初始鉴定和工艺、设计更改时才进行该分组测量（即在lMHz频率下测量指定输入端和

    问的电容）。

4.4.2R组检验

B组检验应按本规范表6的规定。

B1～B5分组可用同一检验批中Ib性能不合格的器仲作为样本。

    表6 B组检验

若无其他规定，是中引用的试验方法系指GJR 548的武验方法。

试 验	条件和要求				样品数／（接收数）或LTPD	说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
B1分组 尺寸	2016	按规定	2016	按规定	2/(0)
B2分组   抗熔性	2015	按规定	2015	按规定	4/(0)
B3分组 可焊性	2022   或 2003	焊接温度t 245±5℃	2022 或 2003	焊接温度： 245±5℃	15	LTPD系对引线数 而言，被试器件应 不少于3个。
B4分组 内部目检和机 械检查	2014	按规定	2014	按规定	l／(O)
B5分组   键合强度   超声焊	20ll	试验条件C 或D	20ll	试验条件C 或D	15	可在封装前的“内 部目检”筛选后， 机抽取样品进行本 分组试验

 

续表6

若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

试 验	条件和要求				样品数／（接收数）或LTPD	说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
B8分组 (a)电测试 (b)静电放电灵 敏度等级 (c)电测试	GJB  1649	本规范A1分组   本规范A1分组	GB   1649	本规范A1分组     本规范A1分组	15/(0)	在初始鉴定或产品  新设计时应进行。
B9分组 输入高压 试验		本规范 4,5.3条		本规范 4,5.3条	15	在初始鉴定或产品  新设计时应进行。

4.4.3C组检验

    C组检验应按本规范袭7的规定。

表7 C组检验

若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

试 验	条件和要求				样品数／（接收数）或LTPD	说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
C1分组 稳态寿命   终点电测试	1005	试验条件D， 125℃,1000h 或试验条件FA1（见本规范 袭3） 和表10△极限	1005	试验条件D， 125℃,1000h 或试验条件FA1（见本规范 袭3） 和表10△极限	5	采用本规范图4线路
C2分组   温度循环   恒定加速度     密封   细检漏   粗检漏   目检     终点电测试	1010 2001 1014	试验条件C 试验条件D． Y1方向 试验条件A1或A2 试验条件C1或C2 按方法1010目检判据 本规范A1分组（见本规范 袭3）	1010 2001 1014	试验条件C 试验条件D． Y1方向 试验条件A1或A2 试验条件C1或C2 按方法1010目检判据 本规范A1分组（见本规范 袭3）	15

续表7 C组检验

若无其他规定，衷巾引用的试验方法系指GJB 548的试验力。法。

试 验	条件和要求				样品数／（接收数）或LTPD	说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
C3分组   125℃下开关   调试		不要求		本规范Al0分组 （见本规范表3）	3
C4分组   一55℃下开关   测试		不要求		本规范All分组 （见本规范表3）	5

4.4.4D组检验

    D组检验应按本规范表8的规定。

    D1、D2、D5、D6、D7和D8分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。

表8 D组检验

若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

试 验	条件和要求				样品数／（接收数）或LTPD	说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
D1分组   尺寸	2016	按规定	2016	按规定	15
D2分组     引线牢固性     密封     细检漏     粗检漏	2004 1014	试验条件B2   试验条件A1或A2 试验条件Cl或C2	2004 1014	试验条件B2   试验条件A1或A2 试验条件Cl或C2	15
D3分组   热冲击     温度循环     抗潮湿         密封   细检漏   粗检满 目检   终点电测试	1011 1010 1004 1014	试验条件B 15次循环 试验条件C 100次循环 接规定     式验条件Al或A2 式验条件C1或C2 安方法1010和 i004目检判据 本规范A1分组	1011 1010 1004 1014	试验条件B 15次循环 试验条件C 100次循环 接规定     式验条件Al或A2 式验条件C1或C2 安方法1010和 i004目检判据 本规范A1分组	15	Bl级器件允 许按GB 4590 第3.6条严格 度D进行试验

 

续表8

若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

试 验	条件和要求				样品数／（接收数）或LTPD	说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
D4分组     机械冲击     变频振动     恒定加速度       密封     细检漏     粗检漏 目检   终点电测试	2002 2007 2001   1014	试验条件B 试验条件A 斌验条件E Y1方向   试验条件A1或A2 试验条件C1或C2 按方法2002和 !007目检判据 本规范A1分组	2002 2007 2001   1014	试验条件A 试验条件A 斌验条件D Y1方向 试验条件A1或A2 试验条件C1或C2 按方法2002和 !007目检判据 本规范A1分组	15	D3 分组的 样品可 甩在D4 分组
D5分组 盐雾 密封 细检漏 粗捡漏 目检	1009 1014			适用时 同B级器件	15
D6分组   内部水气   含量	1018	L00℃时最大水   汽含量为： 5000ppm		不要求	3/（0）或 5/（1）	当试验3个器件 出现1个失效时， 可加试2个器件 并且不失效，若 第一次试验未通 过，可在鉴定机 构认可的另一试 验室进行第二次 试验，著试验通 过，则该批被接收
D7分组   引线涂覆   粘附强度	2025	按规定	2025	按规定	15	LTPD系对引 线数而言
D8分组   封盖扭矩	2024	仅适用于陶瓷 熔封封装	2024	仅适用于陶瓷 熔封封装	5/（0）	仅用于熔封 陶瓷外壳

 

4.4.5E组检验

    仅对有辐射强度保证等级要求的器件才进行E组检验（见本规范3.6.1条）。

E组检验应按本规范表9的规定

表9 E组检验

若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

试 验	条件和要求				样品数／（接收数）或LTPD	说  明
	B级器件		级器件
	方法	条件	方法	条件
E2分组 试验前 电测试 稳态总剂量 辐射 (R)鉴定检验   (I)】质罱一 致牲检验 终点电测试  -	1019	=25℃ =10V     本规范A7分组及表14	1019	=25℃ =10V     本规范A7分组及表14	15/0 11/0	按本规范4.5.5条规定       3个晶片批，每批5 个器件 接晶片批   按本规范4.5.5条规 定

4.5检验方法

    检验方法按下列规定：

4.5.1  电压和电流

    所有电压以器仲端为基准．电流以流入器件引出端为正。

4.5.2老化和寿命试验

    被试器件(DUT)在完成试验之后应先冷却列25±3℃才能去掉偏簧电压，然后再进行电

参数终点测试。井按要求计箅变化量(△)值，见表10。

    表10    变化量极限（=25℃）

参数		变化量极限(△)
	15V	±100nA
	5V	±20%
	5V	±20%

    注:1）老化和寿命试验前后应记录参敏值．以确定变化量(△)。

4.5.3输入保护电路的高压()试验

    被测器件(DUT)的所有输入端每次（最多4个）应经受充电到为400V的IOOpF电

容产生的电压脉冲，该破坏性实验应采用图5试验电路，按下列规定进行。

    a．25℃下测量选定输入端的，在最大下每个被试输入端的试验规范体为

±lOOnA。

    25℃下测量被试器件(DUT)的，在最大下试验规范值最火增加表3规定的规

范值的20%。

b．  高压试验方式有三种（见表11）．每种试验要求首先将Sl置于位置“1”，使充电到

，然后将S1鬣于位置“2”，将加到被试器件(DUT)。

    表11高压试验的方式

方    式	正    端	负    端
l	揣	输入端
2	输入端	端
3	输入端	相关输出端

c．  在24h内按上述操作重复测最同一引出端的、、如果试验后被测器件

(DUT)的漏电流越，过规定的试验规范值，则该器件失效。

    图5高压()试验电路图

    =400V（充电电压）

    1MΩ≤≤50MΩ

    =1.5KΩ

   = 100pF

    为水银“无回跳”继电器

4.5.4电源电流()测试

    进行电源电流测量时，电：是的安饯应使全部电流流过该电表。

4.5.5辐射强度保证(RHA)试验

    RHA试验应按GJB 548方法5005表V和本规范农9规定的试验程序和抽样进行。并应

符合如下规定：

    a．辐射前，抽取的样品应经过25℃下的A1分组电测试合格；并进行阀值电压(VTN、

)的测试，以使计算辐射后阀值电压变化最()。样品应放置在合格的包装之中。

    b．  闭值电压测试电路和测试条件应按图6和表12的规定。

    阀值电压也可采用GJB 548.1t 1022的测试方法。在实测静态电流』nD的基础上增加

1OuA(电流增量法)，分别测出、。

    c．对被试的RHA等级，器什应经受GJB 597（第3.4.1.3条）规定的总剂量辐射。辐射

期间，器件应按表13的规定加偏置电压，且在整个试验过程中，始终保持偏置。

    d．  辐射后，器件应进行“原位测试”或“移位测试”，作移位测试时，器件应使用可动偏置

夹具井按规定保持其温度和偏置。移动偏置时，偏置电压的中斯时间不得超过1分钟。

    e．  辐射后．器件在25℃下终点电测试，电参数应符合本规范表14的规定。A7分组的功

能测试按本规范表3的规定。终点电测试应在辐射后2小时内完成。

N沟测试

P沟测试

图6阈值电压试验电路图

表12阀值电压试验条件

器件型号	测试的引出端条件			测试的引出端条件
	地	10V	-10μA	地	-10V	10μA
JC4085	1	2,14	5, 6,7,8,9,10,11,,12, 13	1	5, 6,7,8,9,10,11,,12, 13	2,14
JC4086	1	2,14	5, 6,7,8,9,10,11,,12, 13	1	5, 6,7,8,9,10,11,,12, 13	2,14
JC4070	1	14	2,5, 6,7.8, 9,12,13	1	2,5, 6,7.8, 9,12,13	14
JC4077	1	14	2,5, 6,7.8, 9,12,13	1	2,5, 6,7.8, 9,12,13	14

 

表13  辐射期间的偏置

器件型号	引出端连接
	10V（通过30～60kΩ电阻）	接地	=1OV
JC4085	1,2,5,6,8,9,10,11,12,13	7	14
JC4086	1,2.5,6.8.9, 1O, 11, 12, 13	7	14
JC4070	1, 2, 5, 6, 8,9,12, 13	7	14
JC4077	1,2,5,6,8,9, 12, 13	7	14

表14辐射强度终点电测试参数( TA= 25℃)

参数		范    围
	IOV	最小0.3V
	lOV	最大2.8V
	IOV	最大1.4V
	LBV	100x最大规范值
	5V	1.35×最大规范值
	5V	1.35×最大规范值

4.6数据报告

    当采购方需要时，应提供下列数据的副本。

    a．所有筛选试验的特征数据（见本规范4.2条）、所有老化和稳态寿命试验的变化数据

（见本规范3.5条）。

    b．质量一致性检验数据（见本规范4.4条）。

    c．老化期问的参数分相数据（见本规范3.5条）。

    d．最后电测试数据（见本规范4.2条）。

5交货准备

5.1  包装要求

    包装要求应按GJB 597第5.L条的规定。

6说明事项

6,1订货资料

    订货合同应规定下列内容：

    a．完整的器件编号（见1.3.1条）；

    b．  错要时，对器件制造厂提供与所交付器件相应的检验批质量一致性检验数据的要求；

    c．  需要时，对合格证书的要求；

    d．  需要时，对产品或工艺更改时通知采购单位的要求；

    e．需要时，对失效分析（包括GJB 548方法5003所需求的试验条件）、纠正措施和结果

提供报告的要求；

    f．  对产品保证选择的要求；

    g．  需要时，对特殊载体、引线长度或引线形式的要求；

    h．  对认证际志的要求；

    i．  需要时，对总剂量辐射试验的要求；

    j．  需要时，其他要求。

6.2缩写词、符号和定义

    本规范所JTj的缩写、符号和定义按GB 343l.1、GB 3431.2和GJB 597的规定。

6.3特代性

    本舰范j见定的器件其功能叮替代普通工业用器件。不允许用普通工业用器件替代军用器

    一33—

件。

6.4操作

    器件必须采取防静电措施进行操作。

    推荐下列操作措施：

    a．  器件应在防静电的工作台上操作；

    b．  试验设备和器具应接地；

    c．  不能触摸器件引线；

    d．  器件应存放在导电材料和容器中；

    e．  生产、测试、使用及流转过程中．MOS器件区域内应避免使用能引起静电的塑料、橡

胶或丝织物；

    f．  相对湿度尽可能保持在50%以上。

附加说明：

本标准由中国电子技术标准化研究所归口。

本标准由八七八厂起草。

本标准主要起草人：吴华，沈欣捷。

计划项目代号:B31012。

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