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SJ 50597.7 94 半导体集成电路JT54S74和JT54S175型 S TTL触发器详细规范 1

时间：2012-5-28 14:42:50 作者：标准吧来源：SJ 阅读：1017次

中华人民共和国电子行业军用标准

半导体集成电路JT54S74和JT54S175型

S-TTL触发器详细规范SJ 50597.7-94

Detail specification for types JT54S74,

JT54S175 S-TTL flip-flops

of semiconductor integrated circuits

1范围

1.1主题内容

本规范规定了硅单片半导体集成电路JT54S74和JT54S175型S-TTL触发器（以下简称器件）的详细要求。

1.2适用范围

本规范适用于器件的研制、生产和采购。

1.3分类

本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值和推荐工作条件分类。

1.3.1器件编号

器件编号应按GJB 597(微电路总规范>第3.6.2条的规定。

1.3.1.1器件型号

器件型号如下：

器件

型号

器件名称

JT54S74

双上升沿D型触发器（有预置、清除端）

JT54S175

四上升沿D型触发器（有公共清除端）

1.3.1.2器件等级

器件等级应为GJB 597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。

1.3.1.3封装形式

封装形式按GB 7092（半导体集成电路外形尺寸>的规定。

封装形式如下：

字母	封装形式
C	C20P3（陶瓷无引线片式载体封装）
D	D16S3(陶瓷双列封装)
F	FI6X2（陶瓷扁平封装）．
H	HI6X2（陶瓷熔封扁平封装）
J	J16S3（陶瓷熔封双列封装）

中华人民共和国电子工业部 1994-09-30发布

1994-12-01实施

1.3.2绝对最大额定值

绝对最大额定值如下：

			数值
项目		符号	最小	最大	单位
电源电压		Vcc	-0．5	7.0	V
输入电压		VI	-1.5	5.5	V
贮存温度		Ts	-65	150	℃
功耗	JT54S74	PD	---	275
功耗	JT54S175	PD	----	528	mW
引线耐焊接温度 (lOs)		Th	---	300	℃
结温2I		Tj	----	175	℃

注：1）器件应能经受测试输出短路电流(I_OS)时所增加的功耗。

2)除接CJB 548（微电路试验方法和程序）方法5004老化筛选条件外，不得超过最大结温。

1.3.3推荐工作条件

推荐工作条件如下：

		符号	数值
项目		符号	最小	最大	单位
电源电压		VCC	4.5	5.5	V
输入高电平电压		VIH	2.O	——	V
输入低电平电压		VIL	—	0.8	V
工作环境温度		TA	- 55	125	℃
时钟脉冲宽度	JT54S74	tW(CP)	7.3	—
时钟脉冲宽度	JT54S175	tW(CP)	7	—	nS
清除脉冲宽度	JT54S74	tW(RD)	7	—
清除脉冲宽度	JT54S175	tW(CR)	10	—	nS
预置脉冲宽度	JT54S74	tW(SD)	7	—	nS
输入建立时间	JT54S74	tet	3	—	ns
输入建立时间	JT54S175	tet	5	—	ns
榆人保持时间	JT54S74	tH	2
榆人保持时间	JT54S175	tH	3		ns

2引用文件

GB 3431.1--82 半导体集成电路文字符号电参数文字符号

GB 3431.2--86 半导体集成电路文字符号引出端功能符号

GB 3439--82 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

GB 4590--84 半导体集电路机械和气候试验方法

GB 4728.12--85 电气图用图形符号二进制逻辑单元

GB 7092 半导体集成电路外形尺寸

GJB 548--88 微电子器件试验方法和程序

GJB 597--88 微电路总规范

GJB 1649--93 电子产品防静电放电控制大纲。

3要求

3.1详细要求

各项要求应按GJB 597和本规范的规定。

3.2设计、结构和外形尺寸

设计、结构和外形尺寸按GJB 597和本规范的规定。

3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列

逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图l的规定。逻辑符号、逻辑图符合GB 4728.12的规定，引出端排列为俯视图。

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3.2.2功能表

功能表如下：

a.JT54S74

输入

输出

S_D R_D CP D

Q Q

L H X X

H L X X

L L X X

H H ↑ H

H H ↑ L

H H L X

H L

L H

H¹⁾ H¹⁾

H L

L H

Q Q

BJT54S175

输入

输出

CR CP D

Q Q

L X X

H ↑ H

H ↑ L

H L X

L H

H L

L H

Q₀ Q₀

注：H-高电平：

L-低电平；

↑-低电平到高电平跳变；

X-任意态；

Q₀-规定的稳态输入条件建立前Q的电平；

ò_0-规定的稳态输入条件建立前ò₀的电平；

1)当SD和RD同时恢复到高电平时输出状态不确定。

3.2.3电原理图

制造厂在鉴定前应将电原理图提交给鉴定机构。各制造厂的电原理图由鉴定机构存档备

查。

3.2.4封装形式

封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。

3.3引线材料和涂覆

引线材料和涂覆应按GJB 597第3.5.6条的规定。

3.4电特性

电特性应符合表1的规定。

表1-1 JT54S74电特性

特性	符号	条件¹⁾ （若无其他规定．- 55≤T^≤125"C）		规范值
特性	符号	条件¹⁾ （若无其他规定．- 55≤T^≤125"C）		最小	最大	单位
输出高电平电压	VOH	VCC=4.5 V, IoH=- 1mA V_IL = 0.8V, VIH= 2.0V		2．5	—	V
输出低电平电压	VOL	VCC=4.5 V, IoH=20mA V_IL = 0.8V, VIH= 2.0V		—	O.5	V
输入钳位电压	VIK	VCC=4.5 V, IoH=-18mA TA=0.5		—	-1.2	V
输入高电平电流	IOH	Vcc=5.5V,= 2.7V	D	—	50
			RD		150	uA
			SD、CP		100	uA
最大输入电压下的输入电流	Ii	Vcc=5.5,V1= 2.7V			1	mA

续表

		条件1)			规范值
特性	符号	（若无其他规定，-55≤T_A≤125℃）			最小	最大	单位
输入低电平电流	I_IL	Vcc=5.5,V1= 0.5V		D	—	-2
				RD		-6	mA
				SD、CP		-4
输出短路电流”	I_OS	Vcc=5.5V			-40	- 100	mA
电源电流	V_CC	V_CC= 5.5V,输出端开路			----	50	mA
最高工作颜率	_Mf_max	CL=15pF±10%	CP		____	65	MHz
输出由低电平到	t_PLH	RL= 280N_+5%	→，			8
高电平传输延迟		Vcc =5.0V	→，			8
时间		见本规范图2	→，			11
输出由高电平到低电平传输延迟	t_PHL		→，（CP端为高）			15．5	ns
时间			→，（CP端为低）			10
			→，			ll

注；1）完整的测试条件列于表3。

2)每次只短路一个输出端。

表1-2 JT54S175电特性

		条件1’	规范值
特性	符号	（若无其他规定，- 55≤T_A≤125℃）	最小	最大	单位
输出高电平电压	V_CH	Vcc = 4.5V, V_CH= - lmA V_IL= 0.8V, VIH = 2.0V	2.5	—	V
输出低电平电压	V_OL	Vcc=4.5V, I_OL= 20mA Vn=O.8V, Vm= 2.0V	—	0.5	V
输入钳位电压	V_IK	Vcc =4.5V, I_LH= -18mA TA = 25℃	—	-1．2	V
输入高电平电流	I_LH	Vcc= 5.5V,V₁= 2.7V	—	50	uA
最大输入电压下的输入电流	I_i	Vcc =5.5V； V₁= 5.5V	__	1	mA
输入低电平电流	I_IL	Vcc = 5.5V, V₁₌O.5V	__	一2	mA
输出短路电流2]	I_OS	Vcc=5.5V1	-40	- 100	mA
电源电流	I_OCL	Vcc = 5.5V．输出端开路	__	96	mA

续表

		条件1）		规范值
特性	符号	（若无其他规定，-55≤≤125℃）		最小	最大	单位
最高工作频率	f_max	C_L= 15pF±10%	CP	65	__	MHz
输出由低电平到	t_PLH	RL= 280Ω±5%	→，	—	L8
高电平传输延迟时间	t_PLH	V_cc=5.0V	CP→Q,		15	ns
输出由高电平到	t_PHL	见本规范图2	→Q，		25
低电平传输延迟时间	t_PHL	见本规范图2	CP→Q,		20

注；1）完整的测试条件列于表3。

2)每次只短路一个输出端。

3.5电试验要求

器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按表3的规

定。

表2 电试验要求

	分组（见表3）
项目	B级器件	Bl级器件
中间（老化前）电测试	A1	Al
中间（老化盾）电测试	A11)	A11)
最终电测试	A2,, A3, A7, A9	A2, A3, A7, A9
A组试验要求	AI, A2, A3, A7, A9, A10, A11	A1, A2, A3,A7, A9
C组终点电测试	A1，A2, A3	A1，A2，A3
C组检验增加的分组	不要求	A1O, All
D组终点电测试	A1,A2,A3	A1,A2,A3

注1）该分组要求PDA计算（见4.2条）。

表3 -l JT54S74电测试

		引用标准	条件	规范值
分组	符号	GB 3439	（若无其他规定， T_A=25℃）	最小	最大	单位
A1	V_CH	2.2条	Vcc =4.5V. V_IL =O.8V. V_IH = 2.0V. I_CH=-1mA.	2.5	—	V
	V_OL	2.5条	Vcc =4.5V, V_IL=O,8V,V_IH =2.0V I_OL= 20mA。	—	0.5	V
	V_IK	2.1条	Vcc= 4,5V．被测输入端I_IK =- 18mA	—	-1.2	V
	I_I	2.11条	Vcc =5.5V．被测输入端V_V1 =5.5V, 其余输入端Vl= OVo	—	1	mA

续表

		引用标准	条件			规范值
分组	符号	GB 3439	《若无其他规定， T_A=25℃））			最小	最大	单位
AI	ILH	2.12条	Vcc =5.5V．		D	—	50	uA
			被测输入端V₁= 2.7V,		RD		150
			其余输入端V₁= OV。		SD		100
					CP		100
	IIL	2.13条	Vcc=5.SV，测输入端V1=O.5V，其余输入端V1=5.5V		D	—	-2
					RD		-6
					SD		-4	mA
					CP		-4
	IOS	2.21条	Vcc = 5.5V			40	-100	mA
	ICC	2.25条	Vcc = 5.5V．RDV1= 0V CP端V1=0V，其余输入端V1=4.5V．输出端开路。				50	mA
			Vcc=5.5 V，SD端Vz= OV，CP端V1=OV．其余输入端V1=4.5V．输出端开路。
A2	TA= 125℃，除VIK不测外．参数、条件、规范值均同A1分组。
A3	TA=- 55℃，除VIK不测外，参数、条件、规范值均同AI分组。
A7	Vcc= 5V，按功能表进行测试。Vcc= 5V．按功能表进行测试。
A9	?mix	3.10条	Vcc= 5.0V．	CP		75	—	MHE
	t_PLH	3.4条	CL= 15pF±10% RL= 280Ω±5% 见本规范图2	→，		—	6
				→，			6	ns
				→，			9
	t_PLH．	3.5条	Vcc= 5.0V． CL= 15pF±10% RL= 280Ω±5% 见本规范图2	SD→Q．Q （CP端为高）		__	13.5
				SD→Q．Q (CP端为低)			8	ns
				CP→Q．Q			9
A10	?mix。	3.10条	TA= 125℃．条件同A9分组。	CP		65		MHz
	t_PLH	3.4条		RD→Q，Q		'	8
				SD→Q,Q			8	ns
				CP→Q,Q			II
	t_PLH	3.5条		SD→Q，Q (CP端为高)			15.5
				SD→Q．Q (cP端为低)			10	ns
				CP→QQ			11
All	TA= - 55"C，参数、条件、规范值均同A1O分组。

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