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SJ T I0075 91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL MOS驱动器

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:1368次
SJ T I0075 91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL MOS驱动器
 

中华人民共和国电子工业行业标准

       电子元器件详细规范

半导体集成电路CJ75361型

双TTL-MOS驱动器

       Detail specification for electronic components

           Semiconductor integrated circuit

             CJ 75361 dual TTL-MOS driver

    本规范规定了半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器质量评定的全部内容。

本标准符合GB4589.1《半导体器件  分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12750《半导体集成电路分规范(不包括混合电路)》的要求。

1991-04-08批准        1991-07-01

      

        中华人民共和国机械电子工业部

   

 

  评定器件质量的依据,

GB 4589.1《半导体器件  分立器件和集

成电路总规范》

GB/T 12750《半导体集成电路分规范(不

  包括混合电路 )》

 

SJ/T 10075——91

  CJ 75361型双TTL-MOS驱动器详细规范

订货资料,见本规范第7章

  1.机械说明 

j    外形依据} GB 7092《半导体集成电路外,

形尺f寸》

外形图:GB 7092  

2.简要说明

    双极型电平转换器电路

    半导体材料:硅

    封装:空封、非空封

    逻辑符号、逻辑图和功能表,见本规范第

    11章

    品种:

    J型

5.4条及5.4.1条   

    P型

  5.5条及5.5.1条

 

   引出端排列:  

         SJ/T I0075-91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器

   

       引出端符号的名称见本规范第11章

       标志;按GB4589.1第2.5条及本规范

      第6章 

 

            环境

 型号         温度

 

封装形式

 

0--70℃

   (C)

 

黑瓷直插(J)

 

CJ 75361CJ

 

 

塑料直插(P)

 

CJ 75361CJ

 

 

      3质量评定类别

    Ⅱ. ⅢA,ⅢB, ⅢC

4极限值(绝对最大额定值)

若无其它规定,适用于全工作温度范围。

 

  

 

 

 

    数    值

 

  条款号

  参    数

  符号

 最小

  最大

  单  位

  4.1

工作环境温度

  Tamb

    0

    70

    ℃

  4.2

贮存温度

  Tstg

    -65

    150

    ℃

  4.3

   电源电压(Tamb=25℃)   

 

  Vccg

 

    24 

    V

  4.4

输入电压

  Vi

 

    5.5

    V

  4.5

输入端之间的电压

  Vn

 

    5.5

    V  

5   电工作条件和电特性

    电特性的检验要求见本规范第8章。

5.1 电工作条件

    若无其它规定,适用于全工作温度范围。

  

 

 

    数    值

 

  条款号

   参    致

  符号

  最小

 最 

单  位

 5.1.1

  电源电压

    VCCZ

    5

    24

    V

 5.1.2

  输入高电平电压

    VIH

    2

 

    V

 5.1.3

  输入低电乎电压

    VIL

 

    0.8

    V

 5.1.4

  输出高电平电流   

    IOH

 

    10

    mA

 5.1.5

输出一低电乎电流

    IOL

 

    40

    mA

5.2电特性

    若无其它规定,适用于全工作温度范围。

条款号

         特性和条件

符号

    规范值

单位

  试  验

   最小

最大

5.2.1

输出高电平电压

VIL=0.8V  IOH=-50μA

 

VOH

VCCZ-l

 

 

 V

 

 A3/A3a/A3b

VIL=0.8V  Io =-lOmA

VCCZ-2.3

5. 2.2

输出低电平电压

VIH=2V  l0L= 10mA

 

 VOL

 

 0.3

 V

  A3/A3a/A3b

VCC2= 15~24V

VIH=2V,IOL=40nA

 

 0.5

                                         续表

条款号

    特性和条件

符号

 规范值

单位

  试  验

最小

最大

5.2.3

输出籍位电压

 VI=0,IOH=20mA

VOK

 

VCCZ+1.5

 V

 A3/A3a/A3b

5.2.4

输入高点平电流

VI=2.4V

  A输入

 IIH

 

    40

 

 

  E输入

   80

μA

 A3/A3a/A3b

  5.2.5

 

输入低电平电

  VI=0.4V

  A输入

 

IIL

 

  --1.6

mA

 

 A3/A3a/A3b

 

 E输入

 

   -3.2

 

5.2.6

 

 电源电流

 VCCI=0,VCCZ=24V

全部输入=5V.空载

ICCZ

 

 

   0.5

 

mA

A3/A3a/A3b

5.2.7

  

输出高电平电

源电流   

VCCI=5. 25V  VCCZ=24V

全部输入=OV  空载 

ICCI(H)

 

    4

mA

A3/A3a/A3b

 

 

 

A3/A3a/A3b

ICCZ(H)

 

    0.5

5.2.8

输出低电平电源电流

  

VCCI=5.25 V  VCCZ= 24V

全部输入=5V 空载

ICCI(L)

 

    24

mA

ICCZ(L)

 

    13

5.2.9

 传输延迟时间

 VCCI= 5V

TA=25℃  VCCZ=20V

         CL=390pF        

         Rσ=10Ω

tOLH

 

    24.

ns

A4

tOHL

    20

tTLH

  40

tTHL

 

    35

tPLH

    55

tPHL

    47

    注:1)为输出串联电阻:在电路中起阻尼作用.所以又称阻尼电阻,

6标志

    器件上的标志示例:

            SJ/T I0075-91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器

  若受器件尺寸限制时,允许将“检验批识别代码”、“质量评定类别”标在器件背面。

7订货资料

若无其它规定,订购器件至少需要下列资料:

a.产品型号

b.详细规范编号

c.质量评定类别

d.其它

8试验条件和检验要求

抽样要求.:根据采用的质量评定类别.参照GB/T 12750第9章的有关规定.

                   A组检验的抽样要求

                 

  分组

                             AQL

              Ⅰ类

Ⅱ类

    IL

    AQL

       IL

      AQL

A1

      I  

0. 65

    I 

    0. 65

A2

    I

    O.1

    I

    O.1

 

    A3

      I

    0.15

    l

    O.15

A3a

     S4

    1.0

    S4

    1.0

A4b

     S4

    1.0

    S4

    1.0

 

  B组C组和D组检验的抽样要求

     分组   

                  LTPD

     I类 

     Ⅱ类   

    A

    B                  C

    B1

    15

    15

    15

    15  

    C1

    20

    20 

    20

    20

 B3 C3

    15

    15

    15

    15

B4 C4

    10  

    10

    10

    10

B5 C5

    10

    10

    10

    10

    C6

    20

    20

    20

    20

    C7

    15

    15

    15

    15

B8 C8

    10

    5 

    7

    10

    C9

    15

    5

    7

    15

    C11

    20

    20  

    20

    20

 B21 

    20

    10

    10

    15

    C23  

    20

    10

    15

    20

    C24

    20 

    10

    15

    20

        D8

    10

    5

    7

    10

       A组——逐批

    全部试验均为非破坏性的(见GB 4589.1第3.6.6条)

    

     检验或试验

 

  引用标准

       条  件

若无其它规定 Tamb=25℃

(见GB 4589.1第4.1条)

 检验要求

  规范值

   A1分组

   外部目检

GB4589.1

  第4.2.1.1条

 

标志清晰,表面无

损伤和气孔

   A2分组

   功能验证

 

   按本规范5.2.1条、5.2.2条和

    11.3条

按本规范5.2.1条、5.2.2条和l1.3条

   A3分组

 25℃下的静态特征

  GB 6797《半导体

集成电路接口由电路

电平转换器测试方法的基本原理》

按本规范5.2.1条至5.2.8条和10.1条

按本规范5.2.1条

  至5.2.8条

A3a分组 

最高工作温度下的静态特性

GEl 6797

 

   Tamb按本规范4.1条规定的最

 大值条件,同A3分组   

 

  同A3分组

  A3b分组

最低工作温度下的

  静态特性

 

  GB .6797

    Tamb按本规范4.1条规定的最

    小值.条件。同A3分组

 

  同A3分组

   A4分组 

25"C下的动态特性

GB 6797

按本规范5.2.9条

按本规范5.2.9条

 

 B组——逐批

标有(D)的试验是破坏性的(见GB 4589.1第3.6.6条)

    检验或试验

   引用标准

         条件

  若无其它规定.Tamb=25℃

  (见GB 4589.1第4.1条)

检验要求 

    规范值

Bi分组

     尺寸      

GB 4589.1第4. 2.2

条及附录B   

 

 按本规范第1章

  3分组

    引线强度

    弯曲.(D

GB 4590<<半导体集成电路机械和气候试验方法>> 

第2.2条  

外加力的值接第2.2条表2

  无损伤

B4分组可焊性

GB 4590

第2.5条  

按方法b(槽焊法)

按2.5.6条

B5分组

温度快速变化

a.空封器件随后进行电测量

密封:细检粗检漏  b.非空封和环氧

封的空封器件

随后进行外部目检    稳态湿热

电测量

GB 4590

第3.1条

GB 4590第3.12条

OB 4590第3.13条

 

GB 4590第3.1条

 

GB 4589.1

第4.2.1.l条

GB 4590

第3.7条 

温度:按本规范第4.1条规定

循环次数:lO次  tI= 5min

同A3、A3分组恢复2h

按规定

按规定

 

温度:按本规范第4.1条规定   

循环次数:10次tI= 5min

按规定

 

严格度A

 

时间:24h

 

周A2、A3分组

 

 

 

 

 

同A2、A3分组

 

 

 

 

 

 

同A1分组

 

 

 

同A2、A3分组

B8分组

电耐久性 (168h)  

最后测量(同A2,A3和A4分组)

OB4590

第4.7条

Tamb按本规范1条规定的最大

位,其它按奉规范I0.3条

同A2,A3和A4分组

同A2、A3和A4分

                             B组——逐批(续)  

  检验或试验

    引用标准

     条  件

若无其它规定.Tamb=25℃  (见GB 4589.1第4,1条)

   检验要求

    规范值

B21分组

高压蒸汽<D)(非空封器件)

最后测量:

(同A2和A3分组)

GB 4590

 严格度C

 时间:24h

 

 同A2和A3分组

  同AZ和A3分组

  CRRL分组  

  就B3、B4、B5、B8和B21分组提供计数检查结果.

C组——周期

标有(D)的试验是破坏性的(见GB 4589.1第3.6.6条)

   检验或试验

     引用标准

     条  件

    若无其它规定.Tamb=25℃

  (见GB 4589.1第4.1条)

   检验要求

    规范值

C1分组    尺寸 

GB 4589.1第4.2.2

条及附录B

 

按本规范第1章

C3分组引线强度拉力(D)

G]5 4590

   2.1条

    外加力的值按2.1条表l

按2.1.5条  

C4分组:

耐焊接热(D)

最后测量

(同A3分组)   

GB 4590

 第2. 6条   

  按方法l(260℃槽焊)

    同A3分组

同A3分组

C5分组

温度快速变化(D)

 

(非空封和环氯封的空封器件)

随后进行

外部目检

稳态湿热

  电测量

(同A3分组)

GB 4590   

第3.1条   

GB 4589.1   

第4.2.1.1条

GB 4590

第3.7条

 

TA=-65℃     Ta=150℃

  循环次数:500  tl=5min

严格度A

时间:24h

同A3分组

 

 

 

同A1分组

 

同A3分组

 

                              C组——周期(续)

  检验或试验

   引用标准 

      条  件

    若无其它规定.Tamb=25℃

    (见GB 4589.1第4.1条)

   检验要求

    规范值

C6分组,

稳态加速度(D)

(空封器件)

最后测量

(同A3分组)

GB 4590第2. 10条

加速度t按规定

 

同A3分组

 

同A3分组

C7分组

稳态湿热(D)

a.空封器件

b.非空封器件

  最后测量

(同A 3分组)

GB 4590 

第3.6条

GB 4590

第3.7条

严格度D

严格度A  时间:1000h

同A3分组

同A3分组

C8分组

电耐久性(1000h)

最后测量

(同B8分组)

GB 4590

第4.7条

同B8分组

同B8分组

同B8分组

C9分组

高温贮存(D)

最后测量   

(同B8分组)  

 GR 4590 

第3.3条

 

  温度:按Tstg(max)

时间:1000h

同B8分组

同B8分组

C l1分组 

标志耐久性

  GB 4590

  第4.3条 

  按方法溶液:A型  

按4.3.2条  

 C 23分组  

抗溶性:(D) 

(非空封器件)

GB 4590   

第4.4条

按4.4.2条

 

按4.4.2条

   C24分组

易燃性(D)

(非空封器件)

GB 4590

 第4.1条 

按4.1.2条

按4.1.2条

CRRL分组

就C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、Cll、C23和C24分组提供计数检查结果.

 

注:1)连续三次通过后,周期可延长为一年一次.

9    D

D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行,其后每年进行一次。

    检验或试验

   引用标准     

    条  件

 若无其它规定,Tamb=25℃      (见GB 4589.1第4.1条)

    检验要求

    规范值

D8分组

电耐久性

  最后测量

(同B8分组) 

GB 4590

第4.7条

l类: 2000h

 lI类:3000h

其它同B8分组

 

同B8分组

同B8分组

10 附加资料

10.1 静态特性的测量

静态特性的测量按B 6797的规定

10,2动态特征的测量

10.2.1 基本测试线路

       按GB6787的规定

10.2.2 负载线路

         SJ/T I0075-91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器

                CL包括探头及夹具的探头

10.3          电耐久性试验线路

SJ/T I0075-91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器

10.             4   特性曲线

制造厂应提供各种特性曲线

11 型号说明

11.1逻辑符号

引出端符号

名称

A

输入

E

输入

Y

输出

SJ/T I0075-91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器SJ/T I0075-91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器

11.2逻辑图9逻辑图(1/2)

SJ/T I0075-91 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ75361型双TTL-MOS驱动器

11.3功能表

 

A                    E

 

 

                Y

 

H                    H

L                    H

H                    L

L                    L

                L

                H

                H

                H

 

                                附录A

                                 筛选

                              (补充件)

1类器件:生产厂自行规定筛选条件。

II类器件:筛选项目和条件如下:

等级A                     等级B                 等级C

内部目检

GB4590

第4.6 条

内部目检

GB4590

第4.6 条

内部目检

GB4590

第4.6 条

  高温贮存

GB 4590  

第3.3条

  150℃:96h

高温贮存

GB 4590  

第3.3条

  150℃:48h

     

温度快速变化

GB4590

第3.1条

-55~125℃,10 次

温度快速变化

GB4590

第3.1条

-55~125℃,5 次

稳态速度

GB4590

第2.10条

稳态速度

GB4590

第2.10条

密         封

GB4590

第3.12条和3.13条

密         封

GB4590

第3.12条和3.13条

老化前电测量

  同A3分组  

  剔除不合格品

老化前电测量

  同A3分组  

  剔除不合格品

老化前电测量

  同A3分组  

  剔除不合格品

老    化  

GB4590       

  第4.7条

   Tamb 最大、240h

老    化  

GB4590       

  第4.7条

   Tamb 最大、168h

老    化  

GB4590       

  第4.7条

   Tamb 最大、168h

老化后电测量

  同A3分组.   

  剔除不合格品.若不合

  格品率大予5%,则该

  批拒收.

老化后电测量

  同A3分组.   

  剔除不合格品.若不合

  格品率大予5%,则该

  批拒收.

老化后电测量

  同A3分组.   

  剔除不合格品.

 

注:1)不适用于非空封器件

1368
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