SJ T 50597 30 1995 半导体集成电路 JC40106型CMOS反相器有斯密特触发器对 详细规范 4
表6 B组检验
若无其他规定，表中引用约试验方法系指GJB 548的试验方法。
|
|
条件和要求 |
样品数／（接收数） |
| |||
|
分组
|
B级器件
|
Bl级器件
|
或 |
说 明
| ||
|
方法 |
条件 |
方法 |
条件 |
LTPD | ||
|
B1分组 尺寸 |
2016
|
按规定
|
2016
|
按规定
|
2/(0)
|
|
|
B2分组 扰溶性 |
2015
|
按规定
|
2015
|
按规定
|
4/(0)
|
|
|
B3分组 可焊性 |
2022 或 2003
|
焊接温度： 5℃ |
2022 或 2003
|
焊接温度： 245±5'C |
15 |
LTPD系对引线 数而言，被试器件 应不少于3个。
|
|
B4分组 内部目捡和 机械性能 |
2014
|
按规定
|
2014 |
按规定
|
1/(0)
|
|
|
B5分组 键台强度 超声焊
|
2011
|
试验条件C或D
|
2011
|
试验条件C或D
|
15
|
或在密封前的内 部目检。筛选后， 随机抽取样品进 行本分组试验。 |
|
B8分组 (^a)电测试 (b)静电放电 灵敏度等级 (c)电测试 |
GJB . 1649
|
本规范A1分组
本规范A1分组 |
GJB- 1649
|
卒规范A1分组
|
15(0)
|
初始鉴定或产品 重新设计进行。
|
|
B9分组 输入高压 (VZAP)试验 |
|
本规范第4,5.3条
|
|
本规范第4,5.3条
|
15
|
初始鉴定或工艺
设计改变时进行。 |
4.4.3C组检验
C组检验应按本规范表7的规定。
...%150597/30--1995
表7 C组检验
若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。
4
|
|
条件和要求
|
样品数／（接收数） |
| |||
|
分组 |
B级器件 |
B1级器件 |
或 |
说 明 | ||
|
方法 |
条件 |
方法 |
条件 |
LTPD | ||
|
C1分组 稳态寿命
终点电测试
|
1005
|
试验条件D 温度：125℃ 时间：1000h A1，A2．A3分组 和表lO△极限
|
1005
|
试验条件D 温度；12S℃ 时间：1000h A1．A2．A3分组 和表10△极限
|
5
|
采用本规范图 4线路。 A1分组要求测 试并计算△ 极限值（见本 规范4.5.2条） |
|
C2分组 温度循环 恒定加速度
密封 (1)细检漏 (2)粗检漏 目检
终点电测试
|
10lO 200l
lO14
|
试验条件C 试验条件E Y1方向 试验条件： AI或A2 Cl或C2 按方法1010 的目检判据 A1、A2、A3分 组（见本规范 表2和表3） |
1010 200l
1014
|
试验条件C 试验条件D Y1方向 试验条件： A1或A2 C1或C2 按方法1010 的目检判据 Al、A2、A3分 组（见车规范 表2和表3） |
15
|
|
|
c3分组 125℃ 开关测试 |
|
不要求
|
|
AlO分组（见本 规格表2和3）
|
3
|
|
|
C4分组 - 55 ℃开关测试 |
|
不要求
|
|
All分组（见本 规范表2和3）
|
5
|
|
.4.4 D组检验
D组检验应按本规范表8的规定。
D1、D2、D5、D6、D7和D8分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。
S.,T50597]30--1995
表8 D组检验
若无其他规定，表中弓I用的试验方法系指GJB 548的试验方法。
|
|
条件和要求 |
样品致，（接收效） |
| |||
|
分组 |
B级器件 |
BI级器件 |
或 |
说 明 | ||
|
方法 |
条件 |
方法 |
条件 |
LTPD | ||
|
D1分组 尺寸 |
2016
|
按规定
|
2016
|
按规定
|
15
|
|
|
D2分组 引线牢固性 密封 （1)细检漏 (2)粗检漏 |
2002 1014
|
试验条件132 试验条件， A1或A2 ' C1或C2 |
2004 1014
|
试验条件B2 试验条件： A1或A2 C1或C2 |
15
|
|
|
D3分组 热冲击
温度循环
抗潮湿
密封 (1)细检漏 (2)祖检漏
终点电测试
|
1011
1010
1004
1014
|
试验条件B 15次循环 试验条件C 100次循环 按规定
试验条件； A1或A2 C1或C2 按方法1004和 1010的目检判据 A1．A2和A3分
组（见表2和 表3）
|
10ll
1010
1004
1014
|
试验条件A 15次循环 试验条件C 10次循环 按规定
试验条件 A1或A2 C1或C2 ’ 按方法1004和 1010的目检判据 A1．A2和A3分
组（见表2和 表3）
|
15
|
B1级缓器件
GB 4590 第3.6条严 格度D
|
|
134分组 机械冲击 变额振动 恒定加速度
密封 (1)细检漏 C2)粗检漏 目检
终点电测试
|
2002 2007 2001 1014
|
试验条件B 试验条件A 试验条件E' Y1方向 1014 试验条件： A1或A2 Cl或C2 按方法2002或 2007的甘检判据 AI．A2．A3分组 （见本规范表3） |
2002 2007 2001 lOl4
|
试验条件A 试验条件A 试验条件D． Y1方向
试验条件： A1或A2 C1或C2 按方法2002或 2007的目检判据 A1．A2．A3分组 （见本规范表3） |
15
|
用作D3分组 的样品可用在 D4分组
|
,续表8
|
|
条件和要求 |
样品数／（接收数） |
| |||
|
分组 |
B级器件 |
Bl级器件 |
或 |
说 明 | ||
|
方法 |
条件 |
方法 |
条件 |
LTPD | ||
|
D5分组 盐茹
密封 (1)细检漏 (2)租检漏 目检
|
1009
1014
|
试验条件A
试验条件； A1或A2 CI或C2 按方法1009 的目检判据 |
|
适用时试验 同B级器件
|
15
|
|
|
D6分组 内部水 汽含量
|
1018
|
100℃时最大 水汽含量为 5000ppm
|
|
不要求
|
3/(0) 或 5/(1）
|
当试验3个器 件出现1个失 效对，可加试2 个器件并且不 失效，若第一次 试验未通过，可 在鉴定机构认 可有另一实验 室进行第二狄 实验著试验通 过，则该批应被 接收。 |
|
D7分组 引线涂覆 粘附强度 |
2025
|
按方法2025第 3条的失效判据 |
2025
|
按方法2025第 3条的失效判据 |
15
|
LTPD系指用 于试验的弓I线 数面育。 |
|
D8分组 封盖扭距
|
2024
|
仅适用于陶瓷 熔封外壳。 |
2024
|
仅适用于陶宪 熔封外壳。 |
5/(0)
|
|
4.4.5E组检验
仅对有幅射强度保证有要求的器件才进行E组检验（见本规范3.6.1条）。
E组检验应按本规范表9的规定。
表9 E组检验
若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。
|
|
条件和要求 |
样品敛／ |
| |||
|
分组
|
B级器件
|
Bl级器件
|
（接收数）
或 |
说 明
| ||
|
方法 |
条件 |
方法 |
条件 |
LTPD | ||
|
E2分组 试睑前电测试 稳态辐照 总剂量 (a)鉴定
(b)质量一致性 检验终点电测试
|
1019
|
TA= 25℃ VDD= 10V
A7分组及表14
|
1019
|
TA= 25℃ VDD= 10V
A7分组及表l4
|
15/（0）
11/（0）
|
按本规范4.5.5条
3个晶片批，每批 5个器件 按晶片批
按本规范4.5.5条 规定 |
S.150597/30-1995
4.5检验方法
检验方法按下列规定：
4.5,1 电压和电流
‘ 所有电压以器件Vss端为基准，电流约定以流入器件引出端为正。
4.5.2老化和寿命试验
被试器件(DUT)在完成试验之后，应先冷却刭25±3℃才能去掉偏置电压，然后再进行电参数终点测试并按要求计算变化量(△)值，见表10。
表IO变化量极限( TA= 25℃)
|
参 数1） |
yno |
变化量（厶）极限 |
|
IDD |
15V |
±lOOnA |
|
IOL |
5V |
±20% |
|
IOH |
5V |
±20% |
注：1）老化和寿命试验前后应记录参数僵，以确定变化量（正）。
4.5.3输入保护电路的高压（VzAP）试验
被测器件(DUT)的所有输入端（每次最多4个）应经受由充电到VzAP 为400V的l00pF电容产生的电压脉冲。该破坏性试验应采用图5试验电路，按下列规定进行。
a． 25℃下测量选定输入端的IIL和IIH；在最大VDD下每个被试输入端的试验规范值为±100nA。 在25℃下测量被试器件(DUT)的IDD：在最大VDD下，IDD的试验规范值最大增加到表3规定的IDD规范值的20%。
b．高压试验方式见表1l。每种试验方式要求首先将S1置于“1”，使C1冲电到VZAP．然后将Sl置于位置“2”，将VZAP加到被试器件(DUT)o
表11高压试验的方式
|
方 式 |
正 端 |
负 靖 |
|
l |
VDD端 |
输入端 |
|
2 |
输入端 |
Vss端 |
|
3 |
输入端 |
相关输出端 |
c．c．在24h内按上述操作重复测量同一引出端的IIL、IIH和IDD。如果VZAP试验后被测试器件(DUT)的漏电流超过规定的试验规范值，则该器件视为失效。
图5高压(yzAP)试验电路图
VZAP =400V(C1充电电压）
lMΩ≤Rl≤50MΩ. R2= l.5kΩ。
Cl= lOOpF．S1为水银“无抖动”继电器
4.5.4电源电流(IDD)的测试
进行电源电流测量对，电表的安置应使全部电流流过该电表。
4.5.5辐射强度保证(RHA)试验
RHA试验应按G.JB 548方法5005表V和本规范表9规定的试验程序和抽样进行，并应符合如下的规定。
a．辐射前，抽取的样品应经过25℃下的A1分组电测试合格；并进行阈值电压(VTN，VTP)测试．以便计算辐射后阈值电压变化量(△VT)。样品应放置在合格的包装中。
b． 阈值电压测试线路按图6和表12的规定。
阈值电压测试也可采用G.I'B 548中t022测试方法。在实测静态电流100的基础上增加10vA(电流增量法)．分别测出VTN、VTP。
c．对被试的RHA等级，器件应经受GIB 597(第3.4.1.3条)规定的总剂量辐射。辐射期间，器件应按表I3的规定加偏置电压，且在整个试验过程中，始终保持偏置。
d．辐射后，器件应进行“原位测试”或“移地测试”（按本规范表14和A7分组）。作”移地测试”时．器件应使用可动偏置加具，并按规定保持其温度和偏置。移动偏置装置时，偏置的中断时间不得超过1分钟。
e． 辐射后器件在25℃下的终点电测试，电参数应符合表14的规定A7分组的功能测试按本规范表3的规定。终点电测试应在辐射后2小时内完成。
N沟道测试
P沟道测试
图6阈值电压试验电路图
表12阈值电压试验电路
|
|
测试y朔的引出靖条件 |
渭试y．丌的引出靖条件 | ||||
|
器件型号
|
地 |
10V |
-10V |
地 |
- lOV |
10uA |
|
JC4O106 |
l |
7 |
3,5,9,11,13, 14 |
I |
7 |
3,5, 9, 11, 13,14 |
表13辐射期间的偏置
|
|
引 出端连接 | ||
|
器件型号
|
10V (通过30-60kΩ电阻) |
Vss接地 |
VDD= 1OV |
|
JC40106 |
1,3,5,9, 11, 13 |
7 |
14 |
表14辐射强度终点电测试（Ta嚣25"C）
|
参 效 |
、，∞ |
范 圈 |
|
VTN |
1OV |
最小0.3V |
|
VTP |
1OV |
最大2.8V |
|
△VT |
IOV |
最大1.4V |
|
IDD |
15V |
100×最大规范值 |
|
tPLH |
5V |
1.35×最大规范值 |
|
tPHL |
5V |
1.35×最大规范值 |
4.6数据报告
当采购方需要时，应提供下列数据的副本：
a． 所有筛选试验的特征数据（见本规范4.2条）和所有老化及稳态寿命试验的变化数据（见本规范3.5条）；
b． 质量一致性检验数据（见本规范4.4条）；
c．老化期间的电参数分布数据（见本规范3.5条）：
．d． 最后电测试数据（见本规范4,2条）。
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按G.TB 597第5.1条的规定。
6说明事项
6.1订货资料
订赀合同应规定下列内容：
a，完整的器件编号（见本规范1.3.1条）’。
b． 需要时，对器件制造厂提供与所交付器件相应的检验批质量一致性检验数据的要求；
c． 需要时，对合格证书的要求；
d． 需要时，对产品或工艺更改时通知采购单位的要求；
e．需要时，对失效分析（包括GJB548方法5003所要求的试验条件）、纠正措旅和结果提供报告的要求；
f．对产品保证选择的要求；
g．需要时，对特殊载体、弓I线长度或引线形式的要求；
h． 对认证标志的要求；
i． 需要时，对总剂量辐射试验的要求；
j． 需要时，其他要求。
6.2缩写次词、符号和定义
本规范所用的缩写、符号和定义符合在GB 3431.1、GB 3431.2和GJB 597的规定。
6.3替代性
本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。不允许用普通工业用器件替代军用器件。
6.4操作
器件必须采取防静电措施进行操作。
推荐下列操作措施：
a． 器件应在防静电的工作台上操作；
b．试验设备和器具应接地；
c． 不能触摸器件引线；
d．器件应存放在导电材料或容器中；
e．生产、测试、使用以及流转过程中．MOS器件区域内应避免使用引起静电的塑料、橡
胶或丝织物；
f． 相对湿度尽可能保持在50%l以上。
附加说明；
本标准由中国电子技术标准化研究所归口。
本标准由中国电子技术标准化研究所起萆。
本标准主要起草人：李燕荣。
计划项目代号.B31013。
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