SJ T 50597 30 1995 半导体集成电路 JC40106型CMOS反相器有斯密特触发器对 详细规范 3
续表3
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引用标删 条 件 |
规范值 |
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分组
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符号
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GB 3834 |
（若无其他规定．y誊=0） |
最小 |
最大 |
单位
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A2 125℃） |
除VIK不测外，所有参数、条件同A1分组，规范值按表l。 | |||||
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A3 （TA = 55℃） |
除VIK不测外，所有参数、条件同A1分组，规范值按表l．
| |||||
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A4 （TA = 25℃） |
C1
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3.1
|
VDD =OV．每个输入端分别测f= lMHz
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7.5
|
pF
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A7 (_TA = 25℃) |
功能测试按本规范3.2.2条的规定 | |||||
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A9 |
tPHL |
3.10 |
VDD=5V，非被测转入接地，见本规范图2。 |
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370 |
ns |
|
（TA = 25℃） |
tPLH |
3.9 |
A→Y | |||
|
tPHL |
3.10 |
VDD=10V，非被测转入接地，见本规范图2。 |
|
140 | ||
|
tPLH |
3.9 |
A→Y | ||||
|
tTHL |
3.16 |
VDD=5V，非被测转入接地，见本规范图2。 |
|
180 |
ns | |
|
tTLH |
3.15 |
A→Y | ||||
|
tTHL |
3. 16 |
VDD=10V，非被测转入接地，见本规范图2。 |
|
100 | ||
|
tTLH |
3．15 |
A→Y | ||||
|
A1O (TA = 125℃ ) |
参数、条件同A9分组，规范值按表l。
| |||||
|
All ( TA = - 55℃ ) |
参数、条件同A9分组，规范值按表l。
| |||||
注：l）25℃条件下测IIH 、IIL时，可选取分别测试每个输入端或所有输入端并接测量的方法。
测试电路
图2 开关测试电路和波形图
注：①脉冲发生器：’，Vm =VDD ±1%，tt≤20ns、tt≤20璐，f= 200kHz；占空比：50%。
②负载RL= 200kΩ. CL= 50pF(包括探头夹具电容)。
3.6标志
器件标志应按GJB 597第3.6条的规定。
3.6.1总剂量辐射强度标志
总剂量辐射强度标志应按GJB 597第3.6.2.6条的规定。
3.6.2标志的正确性
所有器件在标上器件编号后，应经受表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认
可的电测试，以验证器件编号标志的正确性。
3.7微电路组的划分
本规范所涉及的器件为第36微电路组（见GJB 597附录E）。
4质量保证规定
4,1抽样和检验
除本规范另有规定外，抽样和检验程序应按GJB 597和GJB 548方法5005的规定。
4.2筛选
在鉴定检验和质量一致性检验之前，全部器件应按GJB 548方法5004和本规范表4的规定进行筛选。
表4筛选
若无其规定，表中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。
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条件和要求 |
| |||
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筛选项目 |
B级器件 |
Bl级器件 |
说 明 | ||
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方法 |
条 件 |
方法 |
条 件 | ||
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内部目检 （封装前） |
2010
|
试验条件B
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20lO
|
试验条件B
|
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稳定性烘焙 （不要求终点电测试） |
1008
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试验条件C 《150℃ ,24h) |
J008
|
试验条件C (IS0℃．24h) |
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SJ50597/30--1995
续表4
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条件和要求 |
| ||||
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筛选项目 |
B嫒器件 |
BI级器件 |
说 明 | |||
|
方法 |
条 件 |
方法 |
条 件 | |||
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温度循环
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1010
|
试验条件C
|
1010
|
试验条件C
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可用方祛1011 试验条件A替代。 | |
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恒定加速度
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2001
|
试验条件E Y1方向
|
200l
|
试验条件D Y1方向
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试验后进行目检，引钱断 落、外壳破裂、封盖脱落 为失效。 | |
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中间（老化前）电测试 |
|
本规范A1分组 |
|
本规范A1分组 |
| |
|
老
|
静态
|
1015
|
试验条件B
125℃．160h |
1015
|
试验条件B
125℃．160h |
采用本规范图3或图4 线路 |
|
化
|
动态
|
试验条件D或E
125℃．160h |
试验条件D或E
125℃．160h |
可选取静态、动态老化的 其中一种方式
| ||
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中间（老化后）电测试
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本规范A1分组 和表10△极限 |
|
本规范A1分组 和表10△极限 |
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允许不合格品率 (PDA)及其计算
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5%，率规荫A1分 组，当不合格品率 不超过20%时，可 重新提交老化，但 只允许一次。
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10%．本规范A1 分组，当不合格品 率不超过20%时， 可重新提空老化， 但只允许一次。
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用老化失效数（包括超过 A1分组规范值和△极限 值的器件）除l2l提交老化 的器件欺即为PDA。不 大于规定的PDA时该批 应接收。 | |
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最终电测试
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本规范A1、A2、 A3、A9 分组 |
|
本规范Al、A2、 A3,A9 分组 |
本项筛选后，若引线涂覆 该变或返工，则应再进行 A1分组测试。 | |
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密封
细检漏 租检漏 |
lOl4
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试验条件： A1或^A2 C1或C2 |
1014
|
试验条件： A1或A2 C1或C2 |
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外部目检 |
2009 |
本规范3.1条 |
2009 |
本规范3.1条 |
发货前按批进行。 | |
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鉴定或质量一致性检 验的试验样品抽取 |
5005
|
本规范3.5条
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5005
|
本规范3.5条
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图3静态老化试验电路图
注
注：①静态老化I：所有输人端接OV．即开关S1置“l”。
②静态老化Ⅱ：所有输入端接VDD轴即开关S1置“2”。
③除VDD和Vss端外，每个引出端应通过一个2kΩ-47kΩ的电阻相连接，由于工作，受热和老化，实用电阻的实测值应不超过其标称值的±20%
④输出端开关S2可以置“I“或“2’。
⑤VDD =15V, Vss =OV。
图4动态老化和稳态寿命试验电路图
注：
注：①除VDD和Vss外，每个引出端应通过一个2kΩ-47kΩ妁电阻相连按，由予使用、受热或老化，选用电阻的实测值应不超过其振称值的±20%。
②对输入信号的要求，
a．方波：占空比q=50%；
b．频率；f=25kHz-lMHz;
c．tf<1us；
d．幅度：最小值为(Vss-O.5V)+VDD×10%；
最大值为(VDD+ 0.5V) - VDD×10%。
③VDD= 15V，Vss=0V。
4.3鉴定检验
鉴定检验应按GJB 597第4.4条的规定。所进行的检验应符合GJB548方法5005和本
规范A、B、C,D和E组检验（见本规范4.4.1条至4.4.5条）的规定。
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB 597第4.5条的规定和本规范的规定。所进行的检验应按
G璐548方法5005和本规范A、B、C、D和E组检验（见本规范4.4.1条至4.4.5条）的规定。
4.4.1 A组检验
A组检验应按本规范表5的规定。
电试验要求应按本规范表2的规定，各分组的电测试按本规范表3的规定。
各分组的测试可用同一个样本进行。当所要求的样本大小超过批的大小时，允许100%
检验。各分组测试可按任意顺序进行。
合格判定数(c)最大为2。
表5 A组检验
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LTPD | |
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试 验
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B级器件 |
B1级器件 |
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A1分组 25℃下静态澍试 |
2 |
2 |
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A2分组 125℃下静态测试 |
3 |
3 |
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,A3分组 一55℃下静态测试 |
5 |
5 |
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A4分组 25℃下动态测试(Cl)‘’ |
2 |
2 |
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A9分组 25℃下功能测试 |
2 |
2 |
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A10分组 125℃下开关测试 |
3 |
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All分组 -55℃下开关测试 |
5 |
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注：1）仅在初始鉴定和工艺、设计改变时才进行该分组测试（即在1MHz频率下测量指定输入端和Vss的电容）。
4.4.2B组检验
B组检验应按本规范表6的规定。
B1—B5分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。
982
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