SJ T 50597 29 1009 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范 3

 

y∞，

    图3静态老化试验线路

注：①静态老化I：所有输入端接OV．即开关S1置“1”。

  ②静态老化II:所有输入端接V_DD，即开关S_T置“2”。

  ③除V_DD和Vss端外，每个引出端应通过一个2kΩ一47kΩ的电阻相连接，由于工作．受热和老化，选用电阻的实测假应不超过其标称值的±20．

  ④输出媚开关So可以置”1”或“2”。

⑤V_DD =15V -18V  V_BH =0V

    图4动态老化和稳态寿命试验线路

注：①除V_DD和V_SS外，每个引出端应通过一个2kΩ一47kΩ的电阻相连接．由于使用、受热或老化，选用电阻的实测值应不超过其标称值的±20%

    ②对输入信号的要求；

    a方波：占空比q= 50%

    B频率：f0、f4=25kHz-1MHz~;f1 f2 f3分别为fθ的二、四、八分频。

    c t_t，≤1us;t_t《lus；

    d幅度Vm：最小值为（Vss一0.5V）+V_DD×10%；

    最大值为(V_DD +0.5V)-V_DD×10%

   ③V_DD =15V   Vss =0V

4.3鉴定检验

    鉴定检验应按GJB 597的第4.4条的规定。所进行的检验应符合GJB 548方法5005和

本规范A、B、C、D、E组检验（见本规范4.4.1-4.4.5条）的规定。

4.4质量一致性检验

    质量一致性检验应按GJB 597的第4.5条和本规范的规定。所进行的检验应符合

G]B 548方法5005和本规范A、B、C、D、E组检验（见本规范4.4.1-4.4.5条）的规定。

4.4.1 A组检验

．  A组检验应按本规范表5的规定。各分组的电测试按本规范表3的规定。

    各个分组的测试可用同一个样本进行，当所要求的样本大小超过批的大小时允许100%

检验。各分组测试可按任意顺序进行。

    合格判定数(C)最大为2。，

表5 A组检验

	LTPD
试    验	B级器件	BI级器件
A1分组  25℃下静态测试	2	2
A2分组  125℃"C下静态测试	3	3
A3分组    - 55℃下静态测试	5	5
A4分组    25℃下动态测试(C1)¨	2	2
A7分组     25℃下功能测试	2	2
A9分组  Z5℃下开关测试	2	2
A10分组    125℃下开关测试	3    +	-
剐【1分组    - 55℃E下开关测试	5	-

 

    注：1）仅在初始鉴定或工艺、设计改进时才进行时该分组测试。（即在1MHz频率下测量指定输入端h和Vss间的电容。）‘

4.4.2 B组检验

    B组检验应按本规范表6的规定。

    BI～B5分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。

 

表6 B组检验

若无其它规定，表中引用的方法系指GJB 548的试验方法。

	条件和要求				样品数／（接收救）
分组	B级器件		B1级器件		或	说明
	方法	条件	方珐	条件	LTPD
B1分组 尺寸	2016	按规定	．2016	按规定	2／(O)
B2分组 抗溶性	2015	按规定	2015	按规定	4/(0)
B3分组 可焊性	2022 或   2003	焊接温度： 245±5℃	2022 或   2003	焊接温度： 245±5℃	15	LTPD系对弓『线 数而言，被试器 件应不少于3   个。
B4分组 内部目检和机 械性能	2014	按规定	2014	按规定	1／(0)
B5分组 健台强度   超声焊	20ll	试验条件C 或D	2011	试验条件C 或D	15	可在密封前的 “内部目检筛 选后，随机抽取 样品进行本分 组试验。
B8分组   (I)电测试 (b)静电放   电灵度   等级 (c)电测试	GJB  1649	本规范A1分组       本规范A1分组	GJB  1649	本规范A1分组	15/(0)	初始鉴定或 产品重新设计 进行。
B9分组 输入高电压 (VZAP)试验		本规范第 4,5,3条		本规范第 4，5.3条	．15	初始鉴定或工 艺设计改变时 进行。

 

4.4.3 C组检验

    C组检验应按本规范表7的规定。

SJ 50597/29-.94

表7 C组检验

	条件和要求
分组	B级器件		BI级器件		样品数／（接收数）	说明
	方法	条件	方法	。  条件	或LTPD
Cl分组 豫态寿命     终点电澍试	1005	试验条件D 温度：125℃ 时间：1000h A1．A2．A3分 组和表10△极限	1005	试验条件D 温度：125℃ 时间：1000h A1．A2．A3分 组和表10△极限	S	采用本规范图 3线路或其等 效线路 AI分组要求测 试并计算△极 限值（见本规范 4.5.2条）
C2分组 温度循环 恒定加速度   密封 (1)细捡漏 (2)粗检漏 目检   终点电测试	1010 2001   1014	试验条件C 试验条件E  Y1方向 试验条件： A1或A2 CI或C2 接方法1010 的目检判据 AI,A2,A3 分组（见本规范 表2和表3）	1010 2001   1014	试验条件C   试验条件D   Y1方向   试验条件：   A1或A2   Cl或C2   按方法1010   的目检判据   M,A2、A3   分组（见本规范表2和表3）	15
C3分组 L25℃ 开关测试		不要求		A10分组见本规 范表2和表3）	3
C4分组 - 55℃ 开关涮试		不要求		All分组（见本规 范表2和表3）	5

 

4．。44 D组检验

    D组检验应按本规范表8的规定。

    D1、D2、D5、D6、D7和D8分组可用同一批检验批中电性能不合格的器件作为样本。

表8 D组检验

若无其它规定，表中引用的方法系指GJB 548的试验方法。

	条件和要求    ’				样品数／
分组	B级器件		耽级器件		（接收效）	说明
	方法	条件	方法	条件	或LTPD
D1分组    · 尺寸	2016	按规定	2016	按规定	15
D2分组 引线牢固性 密封 (1)细检漏 (2)粗检漏	2004  1014	试验条件睨 试验条件： Al或A2 CI或c2	2004  1014	试验条件B2 试验条件： Al或A2 CI或晓	L5
D3分组 热冲击   温度循环   抗潮湿         密封 (1)细检漏 《2)!粗检漏     终点电测试	1011   lO1O.   1004         1014	试验条件B L5次循环 试验条件C 100次循环 按规定         试验条件：． Al或A2 C1或C2 按方法1004和 1010的目检判摆 A1．A2和A3分组 （见表2和表3）	1011    1010    1004          lOl4	式验条件A 15次循环 式验条件C 1O次循环 安规定         式验条件； A1或^A2 C1或C2 安方法1004和 1010的耳检判据 A1．A2和A3分组 ：见表2和表3）	’15	B1级器件 可用GB 4590 第3.6条 严格度D (即56d)代替           可在”抗潮湿”后 “密封“试验前 进行终点电测试。
D4分组 机械冲击 变频振动 恒定加速度   密封 C1)细检漏 C2)粗检漏   耳检   终点电测试	2002 2007 2001   1014	试验条件B 试验条件A 试验条件E， Y1方向   试验条件， A1或A2 C1或C2 按方法2002或 2007的目检判据 A1．A2．A3分组 （见表2、表3）	2002 2007 2001   1014	试验条件A 试验条件A 试验条件D． Yl方向   试睑条件； Al或A2 IC1或C2 按方法2002或 2007的目检判据 Al．A2, A3分组 （见表2、表3）	15	用作D3分组的 样品可用在D4 分组

 

SJ 50597/29--94

续表8

	条件和要求				样品数／
分组	B级器件		B1级器件		（接收数）	说明
	方法	条件	方法	条件	或LTPD
D5分组 盐雾 密封 (1)细检漏 (2)粗检漏 目检	1009    1014	试验条件A 试验条件： A1或A2 C！或C2 按方法1009的 目检判据		适用时试验 同B级四件	L5
136分组 内部水汽 含量加试2	1018	I100℃时最大水汽 含量为：500Oppm		不要求	3/（0）或 5/(0)	当试验3个器件 出现1个失效   个器件并且不 失效，若第一次 试验未通过， 可在鉴定机构认 可的另一实验室 进行第二次实验 若试验通过．则 该批应被接收。
137分组 引线徐覆 粘附强度	2025	按方法2025第3 条的失效判据	2025	按方法2025第3 条的失效判据	15	LTPD系指用于试 验的引线数而言。
D8分组 射盖扭距	2024	仅适用于陶瓷熔封 外壳。	2024	便适用于陶瓷熔封外壳。	sl(o)

 

4.4.5 E纽检验

  有辐射强度保证等级要求的器件还应进行E组检验（见本规范3.6.1条）。

  E组检验应按本规范表9的规定。

SJS0597/29--g4

    表9 E组检验

若无其它规定，表中引用的方法系指GJB 548的试验方法。

	条件和要求		样品效，	：接收效）
试验	S级、B级、B1级器件			B级	说明
	方法	条  件	S级器件	Bl级器件
E2分组 试验前电测试   稳态总剂量 辐射 (8)鉴定检验 (b)质量一致 性检验 终点电测试	1019	本规范A1分组及VTN附 VTP TA=25℃ VDD =a10V       本规范A7分组及表14	(a)4/(0) [b)4/(0)	(（a）15/(0)  (b)11/(0)	见本规范4.5.5条   规定       抽样方法按GJB 548   5005表V的规定     按本规范4.5.5条   规定

 

4.5检验方法

    检验方法应按下列规定。

4.5.1 电压和电流

    若无其它规定，所有给出电压以器件的Vss端为基准，电流约定以流入器件引出端为正。

4.5.2老化和寿命试验

   被试验器件(DUT)在完成试验之后，应先冷却到25±3℃才能去掉偏置电压，然后进行电

参数终点测试。并按要求计算变化量(△)，见表10。

表10变化量△极限(T_A=25℃)

参数1）	yto	变化量（正）极限
IDD	15V	±lOOnA
IOL	5V	±20%
IOH	5V	±20%

 

    注；i）老化和寿命试验前后，应记录每个参数，以确定变化量(△)。

4.5.3输入保护电路的高压（V_ZAP）试验

   被试器件(DUT)的所有输入端（每次最多4个）应经受由充电到400V的100pF电容器所产生的电压脉冲。该破坏性试验采用图5试验线路，按下列规定进行。

    a．2S℃下测量选定输入端的I_IL和I_IH；在最大V_DD下每个被试输入端的试验规范值为±100nA。

  25℃下测量被试器件(DUT)的I_DD在最大V_DD下：工_DD的试验规范值最大增加到表3规定的I_DD规范值的20%。

    b．高压试验方式见表l1。每种试验方式要求首先将Sl置于”l”，使Cl冲电到、，V_ZAP时，然后将Sl置于位置“2”将V_ZAP加到被试器件(DUT)。

    c．  在24h内按上述操作重复测量同一引出端的I_IL、I_IH和I_DD。如果V_ZAP验后被测

试器件(DUT)的漏电流超过规定的试验规范值，则该器件视为失效。

  

   

 

 

              图5高压(V_ZAP)试验线路

注：  lMΩ≤R1≤50MΩI.R2= 1.5kΩ

    C2=100pF，Sl为水银“无抖动”维电器。

表1l高压试验方法

方式	正端	负端
l	VDD端	输入端
2	输入端	Vss端
3	输入端	相关输出端

 

4.5.4电源电流(I_DD)的测试

    进行电源电流测量时．电袭的安置应使全部电流流过该电表。

4.5.5辐射强度保证(RHA)试验

    RHA试验应接GJB 548方法5005表V和本规范表9规定的试验程序和抽样进行，并应符合如下的规定。

    a，辐射前，抽取的样品应经过25℃下的A1分组电测试合格；并进行阈值电压(V_TN，

V_TP，)测试，以便计算辐射后阔值电压变化量(△V_T)。样品应放置在合格的包装中。

    b．  阈值电压测试线路按图6和表12的规定。

    阈值电压测试也可采用GJB 548中1022测试方法。在实测静态电流I_DD的基础上增

加10uA(电流增量法)，分别测出V_TN、V_TP

    c．对被试的RHA等级，器件应经受GJB 597(第3,4.1.3条)规定的总剂量辐射。辐射期间，器件应按表13的规定加偏置电压，且在整个试验过程中，始终保持偏置。

    d．辐射后，器件应进行“原位测试”或“移地测试”（按本规范表14和A7分组）。作“移地测试”时，器件应使用可动偏置加具，并按规定保持其温度和偏置。移动偏置装置时，偏置的中断时间不得超过1分钟。

    e．  辐射后器件在25℃下的终点电测试，电参数应符合表14的规定。A7分组的功能测试按本规范表3的规定。终点电测试应在辐射后2小时内完成。

N沟测试

 

P沟测试

               图6 阀值电压试验线路

表12  阈值电压测试

10V

引出端号 连接方式	VTN测  试			矿弹测+  试
型号	地	1OV	—10uA	地	- 1OV	lOuA.
JC 4585	6	16	1,2,7,8-..9,11,14,15	6	1,2,7,8,9,11,14,15	16

 

 

表13辐射期间的偏置

 

型号 引出端号 连接方式	引出端连接
	10V（通过30-60kΩ电阻）	Vss接地	VDD =10V
JC 4585	2、3、4、5、6、7、9、11、12、13、14、15	8	16

注：①未标出的引出端为开路，或通过30-6kΩ的电阻器接lOVo

表14辐射强度电参数‘TA= 25℃

）

参数	y南	范  厦
VTH	1OV	最小O，3V
VTP	1OV	最大2.8V
△VT	1OV	最大1.4V
IDD	15V	100×最大规范值
tPLH	5V	1．35最大规范值
tPHL	5V	1.35×最大规范值

 

4.6数据报告

    当采购方需要时，应提供下列数据的副本：

    a．所有筛选试验的特征数据《见本规范4.2条）和所有老化及稳态寿命试验的变化数据（见本规范3.5条）；

    b．  质量一致性检验数据（见本规范4.4条）；

    c．  老化期间的电参数分布数据（见本规范3.5条）；

    d．  最后电测试数据（见本规范4.2条）。

5交货准备

5.1包装要求

    包装要求应按GJB 597第5.1条的规定。

6说明事项

6.1订货资料

    订货合同应规定下列内容：

    a．完整的器件编号（见本规范第1.3.1条）；

    b．  需要时，对器件制造厂应提供与所交付器件相应的检验批质量一致性数据的要求；

    c．  需要时，对合格证的要求；

    d．  需要时，对产品或工艺更改时应通过采购单位的要求；

    e．需要时，对失效分析（包括GJB 548方法5003要求的试验条件）、纠正措施和结果提供报告的要求；

    f．对产品保证选择的要求；

    g．需要时，对特殊载体、引线长度或引线形式的要求；

    h．  对订证标志的要求；

    I．需要时，对总剂量辐射试验要求；

    J．  需要时，其他要求。

6.2缩写闭、符号和定义

    本规范所用的缩写词、符号和定义符合GB 3431.1、GB 3431,2和GJB 579的规定。

6.3替代性

    本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。但不允许用普通工业用器件替代军用器件。

6.4操作

    器件必须采取防静电措煎进行操作。

    推荐下列操作措施：

    a，  器件应在防静电的工作台上操作；

    b．  试验设备和器具应接地；

    c．  不能触摸器件引线；

    d．器件应存放在导电材料或容器中；

    e．生产、测试、使用以及流转过程中的MOS器件区域内避免使用能引静电的塑料、橡胶或丝织物；

  f．  相对湿度尽可能保持在50%以上。

附加说明：

本规范由中国电子技术标准化研究所归口。

本规范由北京市半导体器件三厂负责起草。

本规范主要起草人：谷寒。

计划项目代号：B 21049。

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