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SJ T 50597 28 1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范 2

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:1039次
SJ T 50597 28 1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范 2
 

表2电试验要求

 

    B级器件

    Bl级器件

    项  目.

 

 

  分组(见表3)

 

  变化量极限

 

  分组(见表3)

 

  变化量极限

中间(老化前)

电测试

Al

 

 

 Al

 

 

中间(老化后)

电测试

Al2)

 

    △2)

 

A11)

 

    △2)

 

最终电测敢

A2,, A3, A7, A9

 

A2., A3, A7, A9

 

 A组电测试

 

A1, A2. A3. A4,

A7. A9. A10, Al1

 

A1, A2, A3, A4,

A7,A9

 

C组终点电测试

A1.A2.A3

    △2)

A1, A2,A3

    △2)

 C组检验增加的电测

试分组

 

 

 

A1O.All

 

 D组终点电测试

A1.AT.,A3

 

 A1.A2.A3

 

 

注:1)该分组要求PDA计算(4.2条)。

2)老化和寿命试验要求△变化量测试。△变化量极限接本规范第4.5.2第的规定。

表3电测试

 

 

引用标准

    条  件

  规范值

 

分组

 

符号

 

 

GB 3834

 

    (若无其它规定,Vss;OVo TA--25℃

 

  最小

 

最大

单位

 

  Al

 

 

 

  VIK+

 

  1)

 

 

  VDD接地,Vss开路。被测输入IIK= lmA.非被测输入开路,输出开路。

 

 

 

  1.5

  V

 

 

 

 VIK-

 

VDD开路,Vss接地。被测输入IIK= -lmA.非被测输入开路,输出开路。。

 

 

 

一6

  V

 

 

 VCH

 

VDD.=5V VIL= OV.VIH = 5V.输出开路。

 

0.S

 

2.15

 

 

VDD.=10V VIL= OV.VIH = 10V.输出开路。

 

 

    1

 

uA

 VDD.=15V VIL= OV.VIH = 15V.输出开路。

 

    2

 

VOH

 

 2.7

 

 VDD= ISV.被测输入VIL=0V'输出开路;

 

所有其它非被测端开路,被测输出fOH=O。

 

 

14.95

 

  V

 

 

 

 VOL

 

 

  2.8

 

  VDD= 15V,被测输入VIH= 15V.输出开路;

 

  所有其它非被测端开路,被测输出IOL-=O。

 

 

  0.05

 

 

  V

 

 


SJ50597/29--94

续表3

 

 

引用标准

    条  件

  规范值

 

  分组

 

符号

 

 

GB 3834

 

    (若无其它规定,’,舀≮OV。Tx ffi 25℃

 

最小

 

最大

单位

 

 

 VIH

 

 2.1

 

 VDD=5 V,被测输入端为V1.其它输入端接地.

被测输出端VOL= O.5V或VOH=4.5V。

 

3.5

 

  V

 

    Al

 

 

 

 VDD=10 V,被测输入端为V1.其它输入端接地.

被测输出端VOL= 1V或VOH=9V。

7

 

 

 

 VDD=105V,被测输入端为V1.其它输入端接地.

被测输出端VOL= 1V或VOH=13.5V。

n

 

 

 

 

VDD=5 V,被测输入端为V1.其它输入端接地.

被测输出端VOL= 0.5V或VOH=4.5V。

 

 

  1.5

  v

 

VIL

 

2.2

 

 

 

 VDD=105V,被测输入端为V1.其它输入端接地.

被测输出端VOL= 1V或VOH=9V。

 

 

 

3

 

    .    ’

VDD=105V,被测输入端为V1.其它输入端接地.

被测输出端VOL= 1.5V或VOH=13.5V。

 

 

4

IIH2)

2.9

 VDD  =15V.输入端逐一测VIH =15V,其它输入端接地。

 

10

 

 

IIL2)

 

3.0

 

 VDD  =15V.输入端逐一测VIH =0V,其它输入端接15V。。

 

 

一10

 nA

 

IOH

2.11

 

 VDD= 5V,被测输入端为VIL =OV,

被测输出端VOH置4.6V。

 

-0.5l

 

 

VDD= 10V,被测输入端为VIL =OV,

被测输出端VOH置9.5V。

 

-1.3

 

    .

 

mA

VDD= 15V,被测输入端为VIL =OV,

被测输出端VOH置13.5V。

 

-3.4

 

ICL

 

 3.12

 

 

 VDD= 5V,被测输入端为VIH=5V.

 

被测输出端VOL.=0.4V。

 

0.5l

 

 

 

 mA.

 

VDD= 10V,被测输入端为VIH=10V.

 

被测输出端VOL.=0.5V。

 

1.3

 

 

 

-

VDD= 15V,被测输入端为VIH=15V.

 

被测输出端VOL.=1.5V。

 

3.4

 

 

 A2

 TA=125℃,除VIK+’,VIK-.不测外,所有参效条件同A1分组,规范值按表1。

A3

 TA=-55℃,除VIK+’,VIK-.不测外,所有参效条件同A1分组,规范值按表1。

A4

 

 C1

 

 3.1

 

 VDD  =OV,f =1MHz.分别测每个输入端对Vss之间的电

容。

 

 

7.5

 pF

 

A7

VDD=5V.功能测试,按功能袤。

 


S,150597/29--94

续表3

 

 

引用标准

    条  件

  规范值

 

分组

 

符号

 

 

GB 3834

 

    (若无其它规定.y函= OVo TA'-"25℃

 

最小

 

最大

单位

 

A9

 lH.H

 3.9

 RL= 2001~.

A, B--~Fs,>B

Vm= 5V

 

6∞

 

 

CL= 50pF,

 

A, B~FA<s

 

Vm=lD

 

 

2∞

n皇

 

ff.1r  10ns

A, B--~F^. l

y∞=15V

 

150

 

 l甩

 

(见卒规范图2)

 

 

A>B—畸’^‘a

 

 VDo- 5V

 

 

400

3.10

A< B-~FA< B

V~= IOV

 

1∞

hD=15V

 

120

 lTIj{

 3)

RL= 200kfl.CLz $0pF.

V∞=5V

 

 200

 

 

II.1.= 10ha

 

 Vm= lOV

 

 

 100

 nS

 

l硼L

 

 

测输出端。(见本规范图2)

 

 Voo= 15V

 

 

 80

 A10

 I^5 IZ3乙-零奴、泵仟同^9分组。规范值按衰l

 AlI

 o^2一,,0.爹觋、燎仟同A9分组。规范值按表l

 

注:1)引用标准为GB 3439 - 82第2.1条。

  2)对25℃条件下测,IIH、IIL.制造厂可选择分别测每一个输入端或所有输入端并接测量的方法。

 3)引用标准为GB 3439 - 82。

测试线路 

 

SJ/T 50597/28-1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范_2

 

测试波形

 

SJ/T 50597/28-1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范_2

图2开关时间测试线路和波形图

    注:①(RL =200kΩCL.=50土5pF(包括探头及夹具电容)。

    ⑦脉冲发生器具有下列特性:

脉冲幅度:Vm=VDD  ±1%   

占空比:q=50%

    脉宽I tw= 1,0±0.1us;

    上升、下降时间;tt≤10±2. Ons tf≤10±2.Ons

    频率:f= 200kHz-1MHz.。

3.6标志

    器件标志应按GJB 597第3,6条的规定。

3.6.1总剂量辐射强度标志

    总剂量辐射强度等级标志应按GJB 597第3.6.2.6条和本规范第4.5,5条的规定。

3.6.2标志的正确性

    所有器件在标上器件编号后,应经受表2规定的最终电测试,也可以经受特殊设计经认可的电测试,以验证器件编号标志的正确性。

3.7微电路组的划分

    本规范所涉及器件应为第39微电路组(见GJB 597附录)。

4质量保证规定

4.1抽样和检验

    若无其它规定,抽样和检验程序应:按GJB 597和GJB 548方法5005的规定。

4.2筛选

    要鉴定检验和质虚…致性检验之前,全部器件应按GB 548方法5004和本规范表4的规定进行筛选。

    表4筛选

若无其它规定,表中引用的试验方法系指GIB 548的试验方法。

 

    条件和要求

 

    筛选项目

    B级器件

    b级器件

    说明

方法

    条件

方法

    条件

内部目检

(封装前)

2010

 

试验条件B

 

 2010

 

试验条件B

 

 

稳定性烘焙

(不要求终点测试)

 

1008

试验条件C

(150℃,24h)

 

1008

试验条件C

(150℃,24h)

   

 

温度循环

 

lO1O

 

试验条件C

 

 10lO

 

试验条件C

 

可用方格1011试验条件

A替代。

恒定加速度

 

 

 

200l

 

 

 

试验条件E,

 

 

Yl方向

200l

 

 

 

试验条件D,

 

 

Y1方向

试验后进行目检,引线断

落、外壳破裂、封盖脱落

为失效。

 

 


SJ 50597/29--94

续表4

 

    条件和要求

 

   筛选项目

    B级器件

    B.1级器件

    说  明

方法

    条件

方法

    系纬

  中闻《老化前)电测试

 

 

 

  本规范A1分组

 

 

 

  本规范A1分组

 

 

  涎试井剔除A1分组不合

  格品,并记录要求(△)测试的IDD、IOL、ICH的值。

  老

 

 

静态老化

 

 

1015

 

 

试验条件A

 

( L25℃C.160h)

 

t015

 

试验条件A

 

( L25℃C.160h)

采用本规范图3、图4线

 

路。

 

 

  化

 

 

 

动态老化

 

 

试验条件D或E

 

(125℃.160h)

 

试验条件D或E

 

(125℃,160h)

    可选取静态、动态老

 

化的其中一种方式。

 

中间(老化后)电测试

 

 

本规范A1分组

和表10△极限

 

本规范A1分组

和表10△极限

 

允许不合格晶率(PI)A)

及其计算

 

 

 

 

 

5%,本规范A1

分组。当不合

格品率不超过

20%时,可重新

提交老化,但只

允许一次

 

10%,本规范A1

分组。当不合

格品率不超过

20%时,可重新

提交老化,但只

允许一次

用老化失效数(包括超过

A1分组规范值和△极限

值的器件)除以提交老化

的合格器件散即为PAD。

不大予规定的PAD时脚

该批应接收。

 

最终电测试

 

 

 

 

本规范A2,A3、

A7、A9分组

 

 

本规范A2、A3、A7、A9分组

本想筛选后,若器件的引线涂覆或返工,则应在进行A1分组测试

密封

    细检漏

    粗检漏

  10 14

 

 

  试验条件:

  A1或A2

  C1或C2

  lO14

 

 

  试验条件:

  AL或.42

  CI或C2

 

  外部目检

  2009

 

  2009

 

 

  鉴定或质量一致性检验

  的试验样品抽取

  5005

 

  第3.5条

 

  5005

 

  第3.5条

 

  在发货前按批进行。

 

 

1039
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