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SJ T 50597 29 1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范 1

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:1032次
SJ T 50597 29 1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范 1
 

中华人民共和国电子行业军用标准

  半导体集成电路JC4585型

CMOS4位数值比较器详细规范    S,150597/29--94

  Semiconductor integrated circuits

 Detail specification for type JC4585

of CMOS 4-bit magnitude ~omparator

1范围

1.1主题内容

    本规范规定了半导体集成电路JC4585型CMOS4位数值比较器(以下简称器件)的详细要求。

1.2适用范围

  本规范适用于器件的研制、生产和采购。

1.3分类

  本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。

1.3.1器件编号

  器件编号应按GJB 597《微电路总规范》第3.6.2条的规定。

1.3.1.1器件型号

  器件型号如下:

    器件型号

    器件型号

    JC4585

    CMOS4位数值比较器

 

1.3.1.2器件等级

  器件等级应为GJB 597第3,4条所规定的B级和本规范规定的Bl级。

1.3.1.3封装形式

  封装形式应按GB/T 7092 - 93(半导体集成电路外形尺寸)的规定。

封装形式如下:

    类  型

    外j};代号

    D

    Dl6S3(陶瓷双列封装)

    F

    F16X2(陶瓷扁平封装)

    H

'H16X2(陶恣熔封扁平封装)

    J

    JI6X3(陶瓷熔封双列封装)

 

1.4绝对最大额定值

  绝对最大额定值如下:

 

 

    数  值

 

    项  目

 

    符号

 

 

    最小

 

    最大

    单位

 

电源电压

  VDD

    -0.5

    18

    V

输入电压

  Vt

    -0.5

    VDD+O,5

    V

糖入电流(每个输入端)

  |It |

 

    10

  mA

功耗

    PD

 

500( - 55- l00℃)

    mW

 

 2∞(100一12℃)

贮存温度范围

  Tnet

    -65

    175

    ℃

引线耐焊接温度(103)

    丁h

 

    300

    ℃

结温

    Tj

 

    175

    ℃

 

1.5推荐工作条件

  推荐工作条件如下:

 

 

    数  值

 

    项    目

 

    符号

 

 

    最小

 

    最大

    单  位

 

电源电压

    VDD

    3

    15

    V

工作环境强度

    TA

    一55

    125

    ℃

 

2引用文件

    GB 3431.1-82  半导体集成电路文字符号 电参数文字符号

    GB 3431.2 - 86  半导体集成电路文字符号 引出端功能符号

    GB 3439 - 82    半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

    GB 3834 - 83    半导体集成电路CM0S电路测试方法的基本原理

    GB 4590 - 84    半导体集成电路机械的气候试验方法

    GB 4728.12 - 85  电气图用图形符号 二进制逻辑单元

    GB/T 7092 - 93  半导体集成电路外形尺寸。

    GJB 548 - 88    微电子器件试验方法和程序

    GJB 597 - 88    微电路总规范

    GJB 1649 - 93    电子产品防静电放电控制大纲要求.

3,1详细要求

    各项要求应按GJB 597和本规范的规定。

    本规范规定的B1级器件仅在产品保征规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级器件。

3.2设计、结构和外形尺寸

    设计、结构和外形尺寸应符合G]B 597和本规范的规定。

3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列

    逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号和逻辑图符合GB 4728.12

的规定。引出端排列为俯视图。

逻辑符号

SJ/T 50597/29 1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范_1

引出端排列

D型

SJ/T 50597/29 1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范_1


   

  逻辑图

SJ/T 50597/29 1995 半导体集成电路JC4585型 CMOS4位数值比较器详细规范_1

    图1 逻辑符号、逻辑图和引出端排列

    注:①F、H、J型封装的引出端排列同D型封装。

3.2.2功能表

功能表如下:

    输    人

 

 

    比    较

 

    缓    联

    输  出

 

  A3B3

  A2B2

  A1 Bl

  A0B0

  A<B

  A=B

 A>B

 FA >B

 FA =B

 FA <B

  A3>B3

    ×

    ×

    ×

    ×

    ×

  H

  L

  L

  H

  A3=B3,

  A2>B2

    ×

    ×

    ×

    ×

  H

  L

  L

  H

  A3=B3

  A2=B2

  A1>B1

    x

    ×

    x

  H

  L

  L

  H

A3=B3

A2=B2

 A1=B1

A0>B0

    x

    ×

  H

  L

  L

  H

 A3=B3

A2=B2

A1=B1

A0 =B0

    L

    L

  H

  L

  L

  H

A3=B3

A2=B2

 A1=B1

A0 =B0

    L

    H

    ×

    L

    H

    L

 


续表

    输    入

 

    比    较

    级    联

  ·  输  出

A3=B3

A2=B2

A1=B1

A0 =B0

    H

    L

    ×

    H

    L

    L

A3=B3

A2=B2

AA1=B1

A0 <B0.

    ×

    ×

    ×

    H

    L

    L

A3=B3,

A2=B2

Al<Bl

    x

    ×

    ×

    X

    H

    L

    L

A3=B3

A2<B2

    x

    ×

    ×

    ×

    x

    H

    L

    L

 A3<B3

    ×

    x

    x

    ×

    x

    ×

    H

    L

    L

 

    注,①H.一高电平;    L一低电平;    ×一任意态。

3.2.3电路图

    制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构,并由鉴定机构存档备查。

3.2.4封装形式

    封装形式应按本规范第1.3.1,3的规定j

3.3引线材料和涂覆

    引线材料和涂覆应按GJB 597第3.5.6条的规定。

3.4电特性

    电特性应符合本规范表1的规定。 

3.5电试验要求

    器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按本规范表3的规定。

表l电特性’

 

 

 

 

    规范值

 

 

    特性

 

符号

    条    件

 

 

y备

 

TA= - 55℃

 

TA= 25℃

 

TA-- 125'C

 

单位

    (着无其它规定.vss=ov)

 

 

最小

 

最大

 

最小

 

最大

 

最小

 

最大

输入正箝位电压

VIR+,

Vss开路,输出端开路,Iix= lmA

接地

 

 

 

1.5

 

 

 V

输入负箝位电压

VIR-

Vss接地,输出端开路.IIK= - lmA

开路

 

 

 

一6

 

 

 V

电源电流

IDD

VIL= OV,VDH= 5V

5V

 

 

 

O.5

 

15

uA

VIL= OV,VDH= 10V

lOV

 

 

 

l

 

30

VIL= OV,VDH= 15V

15V

 

 

 

2

 

60

输出高电平电压

VOH

VIL= OV,VDH= 5V

15V

|4.95

 

14.95

 

14.95

 

 V

输出低电乎电压

VOL

VDH= 15V VIL= OV

15V

 

D.05

 

D.05

 

0.05

 V

输入高电平电压

VIH

VOH.=4.5V或VOL=0 5V

 5V

 3.5

 

3.5

 

 3.5

 

 v

VOH.=49V或VOL=1V

 tOV

 7

 

7

 

  7

 

 VOH.=13.5V或VOL=1 5V

  15V

  Il

 

  11

 

  1l

 


sJ50597/29--94

续表1

 

 

 

 

    规范值

 

 

    特性

 

符号

    条    件

 

 

yID

 

r,翟-55℃

 

TA= 25℃

 

TA= 125℃

 

单位

    (若无其它规定,‰= or)

 

 

最小

 

最大

 

最小

 

最大

 

最小

 

最大

输入低电平电

 

VOL.=0.5V或 VOH=4. 5V

 5V

 

1.5

 

1.5

 

1.5

 

 

VIL

 

VOL.=1V或 VOH=9V

 

 10V

 

 

 3

 

 

3

 

 

3

 

VOL.=1.5V或 VOH=13. 5V

 

 lⅣ

 

 

4

 

 

4

 

 

4

 V

 

辅出高电平电

 

VI= 5V, VOH=4.6V

 5V

一0.64

 

-0.51

 

-0.36

 

 

 

IOH

 

VI= 10V, VOH=9.5V

 

 10V

 

-1.6

 

 

-1.3

 

 

-0.9

 

 

VI= 15V, VOH=13.5V

 

 15V

 

-4.2

 

 

-3,4

 

 

-2.4

 

 mA

 

输出低电平电

 

Vl = OVVCL= 0.4V

 5V

0.64

 

0.51

 

0.36

 

 

 

IOL

 

V,= OV, VCL =. O. 5V

 

 lOV

 

1.6

 

 

1,3

 

 

0.9

 

 

Vl= OV, VCL= 1.5V

 

 15V

 

4.2

 

 

3.4

 

 

2.4

 

nA

输入高电平电流

IIH

 VIH = 15V

15V

 

 

 

-10

 

-100

 

 

输入低电平电流

 

IIL

 

VIH =0V

 

15V

 

 

 

 

一10

 

 

- 100

 nA

 

输入电容

C1

 F =1MHz

5V

 

 

 

7.5

 

 

 pF

 

输入试验电压

 

 

VZAP

 C1= 100pF.R2= 1.5kΩ

 

(见本规范4.5.3条)

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

 V

 

传输延迟时间

 

RL= 200kΩ,

A, B→FA  >B

5V

 

600

 

600

 

  840

 

 

CL= 50pF.

 

A, B→FA  <B

 

  lO

 

 

  250

 

 

  250

 

 

 340

  ns

 

tPLH

 

 

tf,tt,= 10ns

 

A, B→FA  =B

 

15V

 

 

160

 

 

160

 

 

 184

 fPM.

 

 

 

f= 200kHz

(见本规范圈

 

 

A, B→FA  <B

 

 

5V

 

 

 

400

 

 

 

400

 

 

 

  560

2)

A, B→FA  >B

  10V

 

  160

 

  160

 

  184

A, B→FA  =B

  15V

 

  120

 

  120

 

  148

  输出转换时同

 

  RL= 200kΩ

CL= 50pF

  5V

 

  200

 

  200

 

  280

 

  tTLH

 

 

  tf,tt,= 10ns

F =200Hz

 

lOV

 

 

100

 

 

100

 

 

140

 ns

 

 tTHL

 

 

  (见本规范图2)

 

15V

 

 

8O

 

 

 80

 

 

112

 

1032
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