SJ T 505971 28 94 导体集成电路 JC4504型CMOS六TTL CMOS~CMOS 电平转换器详细规范 2

    规  范  值

  特  性

符号

    条    件

V_DD

TA,= - 55℃

 TA=25℃

TA= 125"C

单位

    (若无其它规定．Vss= OV)

最小

最大

最小

最大

最小

最大

TTL→CMOS

10V

 120

 120

 160

    Rl．= 200kΩ

V_DD>V_cc

    V_cc =5V

15V

 120

圯O

 160

传输延迟时间

t_PHL

     t_r．t_t．= 10ns

CMOS→CMOS

10V

 100

 100

 150

 ns

    C_L=50pF

    F=200kHz(见本规范图2)

V_DD>V_cc

    V_cc =5V

15V

 120

 120

 160

   CMOS→CMOS

  V_DD>V_cc

    V_cc =10V

15V

  50

  50

  75

CMOS→CMOS

  V_DD>V_cc

    V_cc =10V

 5V

 160

 160

 240

  CMOS→CMOS

  V_DD>V_cc

    V_cc =15V

 5V

 160

 160

 240

10V

  180

  180

  270

TTL→CMOS

  V_DD  >Vcc

    Vcc =5V

lOV

 2∞

200

 300

  t_PLH

15V

 160

 160

 240

CMOS→CMOS

  V_DD  >Vcc

    Vcc =5V

10V

 L00

．100

 IS0

15V

 120

 120

 160

CMOS→CMOS

  V_DD  >Vcc

    Vcc =10V

15V

50

50

 75

CMOS→CMOS

  V_DD  >Vcc

    Vcc =10V

5V

 160

 160

 240

CMOS→CMOS

  V_DD  >Vcc

    Vcc =15V

 5V

 160

 160

 240

10V

  65

  65

  97

    B级器件

    岛级器件    -

    项    目’

  分组（见袁3）

  变化量极限

  分组（见表33

  变化量极限

中间（老化前）电测

试

    A1

    A1

中间（老化后）电测

试

    A1^1）

    △^2）

A1^1）

    △^2）

最终电测试

A2, A3, A7, A9

A2, A3, A7, A9

 A组电测试

A1. A2, A3, A4, A7,

 A9. A10, A11

A1, A2,A3, A4,

 A7, A9

C组终点电测试

  A1．A2．A3

    △^2）

  A1．A2．A3

    △^2）

 C组检验增加的电测

试分组

    ,A10．All

 D组终点电测试

    A1,A2,A3

    A1,A2, A2

引用标准

    条件

    规范值

分组

符号

CB 3834

    （若无其它规定，Vs= OV。FA= 25℃）

  最小

  最大

  单位

 V_IK+

    1)

V_DD接地．Vss开路。被测输入I_iK= 1mA．非被测输

入开路．输出开路。

    1.5

    V．

  A1

 V_IK-

V_DD开路．Vss接她。被测输人I_iK= - 1mA认，非被测输入开路，输出开路。

    一6

    V

I_DD 或

I_CC

  2.15

V_DD= 5V, V_IL = OV.V_IH = 5V,输出开路o

CMOS→CMOS

    5

 nA

 V_DD= 10V, V_IL = OV.V_IH = 10V,输出开路o

CMOS→CMOS

    10

 V_DD= 15V, V_IL = OV.V_IH =1 5V,输出开路o

CMOS→CMOS

  20

  fⅨ)

  2．J5

V_DD= 5V, V_CC =0V V_IL= OV.V_IH=1 5V．被测输出

I_OL=0．输出开路。TTL→CMOS

    50

 V_DD= 10V, V_CC =5V  V_IL= OV.V_IH=1 5V．被测输出

I_OL=0．输出开路。TTL→CMOS

    100

引用标准

    条件

    规范值

分组

符号

GB 3834

    （若无其它规定．Vss =OV。TA= 25℃）．．

最小

最大

单位

 V_DD= 15V, V_CC =5V  V_IL= OV.V_IH=1 5V．被测输出

I_OL=0．输出开路。TTL→CMOS

  200

Al

  Icc

  2.1S

 V_DD= 5V, V_CC =5V  V_IL= OV.V_IH= 5V．被测输出

I_OL=0．输出开路。TTL→CMOS

  500

  uA

V_DD= 10V, V_CC =5V  V_IL= OV.V_IH=5V．被测输出

I_OL=0．输出开路。TTL→CMOS

  500

V_DD= 15V, V_CC =5V  V_IL= OV.V_IH=5V．被测输出

I_OL=0．输出开路。TTL→CMOS

    500

    V_OH

    2.7

V_DD=15V．被测输入V_IL=OV．输出开路；

所有其它非测端开路，被测输出I_OH =0

  14.95

  V

  V_OL

  2.8

V_DD=15V．被测输入V_IL=15V．输出开路；

所有其它非测端开路，被测输出I_OH =0

  0.05

  V

  V_IH

  2．1

V_DD=10V．Vcc= 5V．被测输入端为2V．其它输入端接地，被测输出V_OH.=9V。TTL→CMOS

    2

    V

V_DD=15V．Vcc= 5V．被测输入端为2V．其它输入端接地，被测输出V_OH.=13.5V。TTL→CMOS

    2

V_DD=10V．Vcc= 5V．被测输入端为2V．其它输入端接地，被测输出V_OH.=9V。CMOS→CMOS

    3.5

V_DD=15V．Vcc= 5V．被测输入端为2V．其它输入端接地，被测输出V_OH.=13.5V。CMOS→CMOSS

    3．S

V_DD=15V．Vcc= 5V．被测输入端为2V．其它输入端接地，被测输出V_OH.=13.5V。CMOS→CMOS

    7

    V_IL．

    2.2

 V_DD =10V，Vcc=5V．被测输入端为0.8V．其它输入

端接地．被测输出V_OL.=lV。    TTL→CMOS

    0.8

  V

V_DD =15V，Vcc=5V．被测输入端为0.8V．其它输入

端接地．被测输出V_OL.=l.5V。    TTL→CMOS

    0.8

'V_DD =10V，Vcc=5V．被测输入端为0１．５V．其它输入

端接地．被测输出V_OL.=lV。    ＣＭＯＳ→CMOS

    1.5

V_DD =1５V，Vcc=5V．被测输入端为0１．５V．其它输入

端接地．被测输出V_OL.=l．５V。    ＣＭＯＳ→CMOSS

    1.5

 V_DD =1５V，Vcc=5V．被测输入端为３V．其它输入

端接地．被测输出V_OL.=l．５V。    ＣＭＯＳ→CMOS

  一

  3

引用标准

    条件

    规范值

分组

符号

GB 3834

    （若无其它规定．V_ｓｓ＝OV。T_Ａ= 25℃）

  最小

  最大

  单位

  A1

 　Ｉ_ＩＨ^２）

  2,9

  Ｖ_ＤＤ= 15V，输入端逐一测V_ＩＨ= 15V．其它输入端接地。

    10

    nA

    Ｉ_ＩＬ^２）

    2.10

  Ｖ_ＤＤ= 15V，被测输入V_ＩＬ= ０V．被测输出Ｖ_ＯＨ＝４．８Ｖ

  -10

  Ｉ_ＯＨ

  2.1l

  Ｖ_ＤＤ= 15V，被测输入V_ＩＬ= ０V．被测输出Ｖ_ＯＨ＝９．５Ｖ

  -0.$1

  raA

 Ｖ_ＤＤ= 15V，被测输入V_ＩＬ= ０V．被测输出Ｖ_ＯＨ＝１３．５Ｖ

一1.3

 Ｖ_ＤＤ= 15V，被测输入Ｖ_ＩＨ= 0V．

被测输出Ｖ_ＯＬ= 13,5Vo

-3.4

  Ｉ_CL

  3．I2

  Ｖ_ＤＤ= 5V，被测输入V_ＩH= 5V．被测输出Ｖ_ＯL＝0．4Ｖ。

  0.51

  mA

 Ｖ_ＤＤ= 10V，被测输入V_ＩH= 15V．被测输出Ｖ_ＯL＝0．5Ｖ。

   1．3

 Ｖ_ＤＤ=1 5V，被测输入V_ＩH= 15V．被测输出Ｖ_ＯL＝1．5Ｖ。

    3.4

    A2

    TA= 125℃，除V_IK+．V_IK-不测外，所有参数条件同A1分组，规范值按表l。

    A3

    TA= - 55℃，除V_IK+．V_IK-不测外，所有参数条件同A1分组，规范值按表l。

    A4

  C1

  3.1

  V_DD= OV．，=1MHz．分别测每个输入端对Vss之

  同的电容。

  7.5

  pF

 A7

  V_DD= 5V．功能测试，按功能表。

 RL=200kΩ

TTL→CMOS

 V_CC=5V ，V_DD=10V

    120

 C_L= 50pF

 V_DD > V_CC

V_CC=5V ，V_DD=15V

    120

  A9

 t_PHI，

  3,9

 t_f  t_t=10ns

V_CC=5V ，V_DD=10V

    100

    ns

F=200kHz

（见本规范

CMOS→CMOS

  V_DD > V_CC

V_CC=5V ，V_DD=15V

    120

  （图2）

Vcc= IOV, Vm= 15V

  50

V_CC=10V ，V_DD=10V

    160

CMOS→CMOS

 Vcc>V_DD

V_CC=15V ，V_DD=10V

    160

V_CC=15V ，V_DD=10V

    180

引用标准

    条件

    规范值

分组

符号

GB 3834

    （若无其它规定，V~-- OV。2"A=25℃）

最小

最大

单位

TTL→CMOS

V_CC=5V ，V_DD=10V

  200

t_PLH

3,10

 V_DD> V_ＣＣ

 V_CC=5V ，V_DD=1５V

    160

V_CC=5V ，V_DD=10Ｖ

  100

CM06-~CMOS

V_CC=5V ，V_DD=1５V

    120

  V_DD> V_ＣＣ

V_CC=１０V ，V_DD=1５V

    50

V_CC=１０V ，V_DD=５V

    160

CMOS→CMOS

V_CC=１５V ，V_DD=５V

    160

V_ＣＣ＞V_DD

V_CC=１5V ，V_DD=1０V

    65

ｔ_ＴＬＨ

 3.15

 RL=200kΩ

  V_DD=５V

  100

 C_L= 50pF

t_f  t_t=10ns

ｆ＝　２００Ｈｚ

  V_DD= 10V

  50

  nｓ

 ｔ_ＴＬＨ

  3.16

测输出端。

  V_DD=15V

  40

AlO

T_Ａ= 125℃，参数，条件同A9分组。规范值按表1。

AlI

  丁_Ａ＝一55℃，参数，条件同A9分组。规范值按表1。