SJ T 50597 27 94 半导体集成电路 JC4067型CMOS16选1 4

4.4.5 E组检验

    有辐射强度保证等级要求的器件还应进行E组检验（见本规范3,6.1条）。

    E组检验应按本规范表9的规定。

    表9 E组检验

若无其它规定，表中引用的方法系指GJB 548的试验方法。

4.5检验方法

    检验方法应按下列规定。

4.5.1  电压和电流

    若无其它规定，所有给出电压以器件的Vss端为基准，电流约定以流入器件引出端为正。

4.5.2老化和寿命试验

    被试验器件(DUT)在完成试验之后，应先冷却到25±3℃才能去掉偏置电压，然后进行电参数终点测试。并按要求计算变化量(△)．见表10。

一17—

表10 变化量△极限( TA= 25℃)

    注：1）老化和寿命试验前后，应记录每个参数，以确定变化量(△)。

4.5.3输入保护电路的高压(V_zAp)试验

    被试器件(DUT)的所有输入端（每次最多4个）应经受由充电到400V的100pF电容器所产生的电压脉冲。该破坏性试验采用图5试验线路，按下列规定进行。

    a.  25℃下测量选定输入端的JlL和ItH;在最大VDD下每个被试输入端的试验规范值为±100nA.

    在25℃下测量被试器件(DUI)的I_DD在最大V_DD下，I_DD的试验规范值最大增加列表3

规定的I_DD规范值的20%。

    b．  高压试验方式见表1l。每种试验方式要求首先将S1置于“l”，使C1冲电到V_ZAP，然后将。S1置于位置“2”将VZAp加到被试器件(DUT)。

c．在24h内按上述操作重复测量同一引出端的I_IL．I_IH和I_DD。如果V_ZAp试验后被测试器

件(DUT)的漏电流超过规定的试验规范值，则该器件视为失效。

    图5高压（K黜）试验线路

注z  1MΩ≤R1≤50MΩ,R2= 1.5kΩ

    C1= lOOpF．S1为水银”无回跳”继电器。

表ll高压试验方法

4,5.4电源电流(I_DD)的测试

    进行电源电流测量时，电表的安置应使用全部电流流过该电表。

4.5.5辐射强度保证(RHA)试验

    RHA试验应按GJB 548方法5005表V和本规范表9规定的试验程序和抽样进行，并应符合如下的规定。

    a．  辐射前，抽取的样品应经过.25℃下的A1分组电测试合格；并进行阈值电压(V_TN，

一18一

V_TP）测试，以便计算辐射后阀值电压变化量(△V_T)。样品应放置在合格的包装中。

    b．  阈值电压测试线路按图6和表12的规定。

    阈值电压测试也可采用GIB548中1022测试方法。在实测静态电流rDD的基础上增

加10~A《电流增量法），分别测出VTN、V2~。    -

    c．对被试的RHA等级，器件应经受GJB 597(第3.4,1,3条)规定的总剂量辐射。辐射期间-器件应按表13的规定加偏置电压，且在整个试验过程中，始终保持偏置。

    d．辐射后，器件应进行“原位测试”或“移地测试”（按本规范表14和A7分组）。作“移地测试”时，器件应使用可动偏置加具，并按规定保持其温度和偏置。移动偏量装置时，偏置的中断时间不得超过1分钟。

  e．  辐射后器件在25℃下的终点电测试，电参数应符合表14的规定A7分组的功能测试按本规范表3的规定。终点电测试应在辐射后2小时内完成。

N沟测试

P沟测试

图6阈值电压试验线路

表12阀值电压测试

表13  辐射期间的偏置

注：①未标出的引出端为开硌，或通过30—60kΩ的电阻器接1OV。

表14辐射强度终点电参数（TA= 25℃）

4.6数据报告

    当采购方需要时，应提供下列数据的副本：

    a．所有筛选试验的特征数据（见本规范4.2条）和所有老化及稳态寿命试验的变化数据（见本规范3.5条）；

    b．质量一致性检验数据（见本规范4.4条）；

    c．老化期间的电参数分布数据（见本规范3,5条）；

    d．最后电测试数据（见本规范4,2条）。

5交货准备

5.1包装要求

    包装要求应按GJB 597第5.1条的规定。

6说明事项‘

6.1订贷资料

    订贷合同应规定下列内容：    ．

    a．完整的器件编号（见本规范第1.3.1条）；

    b．  需要时，对器件制造厂应提供与所交付器件相应的检验批质量一致性数据的要求；

    t．需要时，对合格证的要求；

    d．  需要时，对产品或工艺更改时应通过通知采购单位的要求；

    e．需要时，对失效分析（包括GJB 548方法5003要求的试验条件）、纠正措施和结果提供报告的要求；

    f．对产品保证选择的要求；

’  g．  需要时，对特殊载体、弓I线长度或引线形式的要求；

    h．  对订证标志的要求；

    j．  需要时，对总剂量辐射试验要求；

    j．需要时，其他要求。

6.2缩写诃、符号和定义

    本规范所用的缩写词、符号和定义符合GB 3431.1、GB 3431'.2和GJB 579的规定。

6.3替代性

    本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。但不允许用普通工业用器件替代军用器件。

6.4操作

    器件必须采取防静电措施进行操作。

    推荐下列操作措施：

    a．  器件应在防静电的工作台上操作；

    b．  试验设备和器具应接地；

    c．  不能触摸器件引线；

    d．  器件应存放在导电材料或容器中；

    e．生产、测试、使用以及流转过程中，MOS器件区域内避免使用能引起静电的塑料、橡胶或丝织物；

  f．  相对湿度尽可能保持在50%以上。

附加说明：

本规范由中国电子技术标准化研究所归口。

本规范由北京市半导体器件三厂负责起草。

本规范主要起草人：谷寒。

计划项目代号：B 21046。