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SJ T 50597 27 94 半导体集成电路 JC4067型CMOS16选1 2

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:1014次
SJ T 50597 27 94 半导体集成电路 JC4067型CMOS16选1 2
 

表2电试验要求

 

    B级器件

    Bl级器件

    项  目

 

 

  分组(见表3)

 

  变化量极限

 

  分组(见哀3)

 

  变化t板眼

中间(老化前)

电测试

Al

 

    —

 

A1

 

 

中间(老化后)

电测试

   A11

 

    △2)

 

A11

 

    △2)

最终电测试

A2.A3.A7.A9

  -

A2, A3, AT, A9

 -

 A组电测试

 

A1, A2, A3, A4,

A7, A9.A10. A11

  -

A1, A2, A3, A4,

A7,A9

-

 C组替终点电测试

A1.A2.A3

    '△2)

'A1,A2,A3

    △2)

C组检验增加的电测

 

试分组

-

 

 

A10.A11.

 

-

 D组终点电测试

A1,A2,A3

-

 A1.A2.A3’

-

 

注:l)该分组要求PDA计算(4.2条)。

2)老化和寿命试验要求△变化量测试。△变化量极限按本规范第4.5.2第的规定。

表3电测试

 

 

寻I用标准

    条  件

    规范值

 

分组

 

‘符号

 

 

GB 3834

 

    (着无其它规定.VI嬲= OVo TA。25℃

 

最小

 

曩大

单位

 

Al

 

 

 

 VIK+

 

1)

 

 

VDD接地.Vss开路.被测输入IIK =1mA非被测输入

 

开路,输出开路。

  -

 

 

1.5

  V

 

 

 

  VIK-

 

  VDD开路.Vss按地.被测输入IIK =-1mA.非被测输入开路,输出开路。

 

 

 

一6

  v

 

 

 IDD

2.15

 VDD= 15V, VIL =-OV.VIH=15V,输出开路。

  -

2

uA

 

  VOH

 

 

 2.7

 

 VDD= 15V,被测输人VIL= OV.输出开路;

 

所有其它非被测端开路,被测输出IOL=O,

 

 14.95

 

 

 

  V

 

 VOL

 

 

  2.8

 

  VDD=15V.被测输入VIH= 15V.输出开路;

 

  所有其它非被测端开路,被测输出IOL=0。

  -

 

 

  0.05

  V

 

 

 VIH

 

 2.1

 

 VDD  =5 V.被测输出VOH =4.5V.非被测输入按功能表进行测量。

3.5

 

   -

 

 VDD  =10V.被测输出VOH =95V.非被测输入按功能表进行测量。

7

 

 

   -

 

  V

 

 VDD  =15 V.被测输出VOH =13.5V.非被测输入按功能表进行测量。

L1

 

  -

 


 

续表3

 

 

引用标准

    条  件

    规范值

 

分组

 

符号

 

 

GB 3834

 

    (若无其它规定.Vss= OV, TA=25℃

 

最小

 

最大

单位

 

  AL

 

 

 

VDD= 5V.被测输出VOL=O.5V.非被测输入按功能表

进行预置.

  -

  1.5

 

 

VIL

 

 2.2

 

 

VDD= 10V.被测输出VOL=1V.非被测输入按功能表

进行预置

   -

 

3

 

 

VDD= 15V.被测输出VOL=1.5V.非被测输入按功能表

进行预置

    -

 

4

 

  V

 

 

IIH2)

2.9

VDD= 5V.输入端逐一测VIH=15V.其它输入端接地

-

10

 

 

IIL2)

 

2,10'

 

VDD= 5V.输入端逐一测VIH=15V.其它输入端接地

   -

 

一10

nA

 

A1

RON

 

VDD= 5V,. Vss= OV

    -

 1050

  Ω

2.17,

 

 

VDD= 10V,. Vss= OV

    -

 

  400

VDD= 15V,. Vss= OV

     -

  240

  A2

  TA= 125℃,除VIK+..VIK-.测外,所有参效条件同A1分组.规范值按表1.

  A3

  TA= -55℃,除VIK+..VIK-.测外,所有参效条件同A1分组.规范值按表1   '

  A4

  C1

  3.1

  VDD= 5V.f=1MHz,分别测每个输入端Vss之间的电容  一

  7.5

  pF

 A7

功能测试,按功能表,‘见本规范3.2.2篆)

  A9

tPLH

    3.9

RL =200Ω,CL = 50pF

 

 INH, A→I/O

-

 600

 

    tt.tf= 1Ons

 

VDD= 5V

 

 I/O→O/I

-

 

 55

     ..f'= 200kHz

 

 INH, A→I/O

-

  150

VDD= 10V

 

  I/O→O/I

-

 

  17

.I帆

    ,.10

 

  

 I/O→O/I

-

 55

m

VDD= 5V

 

INH, A→I/O

-

 

 400

 

 I/O→O/I

-

 175

VDD= 10V

 

INH, A→I/O

 

 

 L00

A10

 TA = l2S℃,参载、条件同A9分组。规范值按表l

 AU

丁^一-55℃.参数、条件同A9分组。规范值按表l

 

谴i1)引用标准为GB 3439-82第2.1基。

  2)对25℃条件下IIH  、IIL.制造厂可选择分射测每个转入螬,或所有输入端并接测量.

  测试线路

SJ/T 50597/27-94 半导体集成电路 JC4067型CMOS16选1_2

 


 

测试波形

SJ/T 50597/27-94 半导体集成电路 JC4067型CMOS16选1_2

    图2开关时间测试线路和波形图

    注;①RL= 200kΩCL=50±5pF(包括探头及夹具电容)。

    ②脉冲发生器具有下列特性t

    脉冲幅度:Vm=VDD=±1%

    占空比q=50%

    脉宽;tw= 1,0±0.1us;

    上升、下降时问tt=tf= 10士2.0nst

    频率:f=0.2- 1MHz。

3.6标志

    器件标志应按GJB 597第3.6条的规定。

3,6.1总剂量辐射强度标志

    总剂量辐射强度等级标志应按GJB 597第3.6.2.6条和本规范第4.5.5条的规定。

3.6.2标志的正确性

    所有器件在标上器件编号后,应经受表2规定的最终电测试,也可以经受特殊设计经认可的电测试,以验证器件编号标志的正确性。

3.7微电路组的划分

    本规范所涉及器件应为第39微电路组(见GJB 597附录)。

4质量保证规定

4.1抽样和检验    ,

    若无其它规定,抽样和检验程序应按GJB 597和GJB 548方法5005的规定。

4.2筛选

    在鉴定检验和质量一致性检验之前,全部器件应按GJB 548方法5005和本规范表4的规定进行筛选。


 

表4筛选

若无其它规定,衰中引用的试验方法系指GJB 548的试验方法。

 

    条件和要求

 

    ’筛选嘎百

    B鳜嚣件

    Bi鳜器件    .

    说  明

方法

    条件

方法

    条件

内部目检

(封疑前)

2010

试验条件B

 

2010

 

试验条件B

 

 

稳定性烘烙

(不要求终点测试)

 

1008

试验条件C

 (t150℃.24h).

 

1008

试验条件C

(150℃,24h)

 

温度循环

 

1010

 

试验条件C

 

1010

试硷条件C

 

可用方祛1011试验条件

A替代。

恒定加速度

 

 

200l

 

 

试验条件E.‘

 

Y1方向

2001

 

试验条件D.

 

Y1方向

试验后进行目检,引线断落、外克破裂、封盖脱落

为失效.

中间(老化前)电舅试

 

 

 

本规范A1分组

 

 

 

率规范A1分组

 

 

测试并剔除A1分组不会

格品,并记录要求(△)测

试的IDD、IOL、IOH的值。

  老

 

  静态老化

 

  1015

 

  试验条件A

  (125℃,160h)

  1015

 

  试验条件^

  (125℃, 160h)

  采用本规范图3、图4线

 路

 

 

  化

 

 

 

动态老化

 

 

试验条件D或E

 

(125℃, 160h)..

 

试验条件D或E

 

(125℃.1160h)

    可选取静态动态老

 

化的其中一种方式.

 

中间(老化后)电测试

 

 

本规范A1分组

和表10△极限

 

本规范A1分组

釉和表10△极限

 

允许不合格产品率

(PDA)及其计算    .

 

 

 

 

 

5%.本规范A1

分组。当不合

格品率不超过

20%时,可重新

提交老化,但只

允许一次

 

10%.本规范

A1分组,当不

合格品率不超

过20%时,可重

新提交老化.但

只允许一次

甩老化失效数(包括超过

A1分组规范和△极限

值的器件)除以提交老化

的合格器件数即为PAD。

不大于规定的PAD时则

该批应接收。

最终电测试

 

 

 

本规范A2、A3、

A7、A9分组

 

 

本规范A2、A3、

A7、A9分组

 

 

本项筛选后.若器件的引

线涂覆或返工,尉应再进

行A1分组测试。

密封

  细检漏

  粗检漏

lOl4

 

 

试验条件t

 Al或A2

 Cl或C2

 1014

 

 

试验条件.

A1或A2

 C1或~C2

 

外部目硷

2009

 

2009

 

 

鉴定或质量一致性检验

的试验样品抽取

5005

 

第3:5条

 

5005

 

第3.5条

 

在发货前按批进行.

 

 

SJ/T 50597/27-94 半导体集成电路 JC4067型CMOS16选1_2

1014
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