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SJ 20277 1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

时间:2012-5-28 14:42:50 作者:标准吧 来源:SJ 阅读:2431次
SJ 20277 1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范
 

中华人民共和国电子行业军用标准

半导体集成电路JC4001.JC4002型

CMOS或非门详细规范     SJ 20277-1993

Detail specification for types J01001.JC4002

NOR gates of CMOS semiconductor integrated circuits

1   范围

1.1主题内容

    本规范规定了硅单片JC4001、JC4002型CMOS或非门(以下简称器件)的详细要求。

1.2适用范围

    本规范适用于器件的研制、生产和采购。

1.3分类

    本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值和推荐工作条件分类。

1.3.1器件编号

  器件编号应按GJB 597《微电路总规范》第3.6.2条的规定。

1.3.1.1器件型号

器件型号

 

 

器件名称

JC4001

JC4002

 

 

四2输入或非门

双4输入或非门

1.3.1.2器件等级

  器件等级应为GJB 597第3.4条规定的B级和本规范规定的B1级。

1.3.1.3封装形式

字母

封装形式

D

F

H

J

D14S3(陶瓷双列封装)

F14X2(陶瓷扁平封装)

H14X2(陶瓷熔封扁平封装)

J14S3(陶瓷熔封双列封装)

注:1)按GB7092《半导体集成电路外形尺寸》。

1. 3.2绝对最大额定值

绝对最大额定值如下:

项  目

 

符  号

 

数  值

单  位

 

最  小

最  大

电源电压

VDD

- 0.5

18

V

输入电压

VI

- 0.5

VDD+0.5

V

输入电流

︱I︱

 

10

mA

功耗

PD

 

200

mW

贮存温度

Tstg

-65

175

结温

Tj

 

175

引线耐焊接温度(10s)

Th

 

300

1. 3.3推荐工作条件

推荐工作条件如下:

项  目

 

符  号

 

数  值 

单  位

 

最  小

最  大

电源电压

VDD

  3

15

V

工作环境温度

TA

 -55

125

2引用文件

  GB 3431.1-82     半导体集成电路文字符号   电参数文字符号

  GB 3431.2-86     半导体集成电路文字符号   引出端功能符号

  GB 3834-83       半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

  GB 4590-84       半导体集成电路机械和气候试验方法

  GB 4728.12-85    电气图用图形符号    二进制逻辑单元

  GB 7092-         半导体集成电路外形尺寸.

  GJB 548-88       微电子器件试验方法和程序

  GJB 597-88       微电路总规范

  GJB XXX          电子产品防静电放电控制大纲    .

3要求

3,1详细要求

    各项要求应按GJB 597和本规范的规定。

3.2设计、结构和外形尺寸

    设计、结构和外形尺寸应符合GJB 597和本规范的规定。

3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列

    逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。

a.  JC4001

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

b.       JC4002

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

                             图1  逻辑符号、逻辑图和引出端排列

3.2.2功能表

    功能表应如下:

a.  JC4001

输入

输出

A

B

Y

H

L

H

L

L

H

H

L

L

L

H

H

b.JC4002

输    入

输  出

A

B

C

D

Y

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

L

H

H

L

L

H

H

L

L

H

H

L

L

H

H

L

L

L

L

H

H

H

H

L

L

L

L

H

H

H

H

L

L

L

L

L

L

L

L

H

H

H

H

H

H

H

H

H

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

L

注:H-高电平;L-低电平。

3.2.3电原理图

    制造厂在鉴定前应将电原理图提交给鉴定机构。制造厂的电原理图应由鉴定机构存档备

查。

3.2.4封装形式

    封装形式应符合本规范1. 3.1,3条的规定。

3.3引线材料和涂覆

    引线材料和涂覆应按GJB 597第3.5,6条的规定。

3.4电特性

    电特性应符合本规范表1的规定。

3.5电试验要求

    器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组,各个分组的电测试按表3的规定。

3.6标志

  器件标志应按GJB 597第3.6条的规定。    .

3.6.1  总剂是辐射加固标志

    总剂量辐射加固标志应按GJB597第3.6.2.6条的规定。

3.6.2   标志的正确性

    所有器件在标上器件编号后,应经受表2规定的最后电测试,也可以经受特殊设计经认可的电测试,经验证器件编号标志的正确性。

3.7    微电路组的划分

  本规范所涉及的器件为第36微电路组(见GJB 597附录E)。

特性

符号

条件

(若无其他规定VSS=0V)

VDD

规范值

单位

TA=-55℃

TA=25℃

TA=125℃

最小

最大

最小

最大

最小

最大

输入正箝位电压

VIK+

VSS开路,输出端开路,IIK=1mA

接地

 

 

 

1.5

 

 

V

输出负箝位电压

VIK-

VSS接地,输出端开路,IIK=-1mA

开路

 

 

 

-6

 

 

V

电源电流

IDD

VIL=0V,VIH=15V

15V

 

 

 

0.1

 

3

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

输出高电平电压

VOH

VIL=0V,IOH=0

15V

14.95

 

14.95

 

14.95

 

V

输出低电平电压

VOL

VIH=15V,IOL=0

15V

 

0.05

 

0.05

 

0.05

V

输入高电平电压

VIH1

VOL=0.5V,VOH=4.5V,

︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

5V

3.5

 

3.5

 

3.5

 

V

VIH2

VOL=1V,

VOH=9V,

︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

10V

7

 

7

 

7

 

VIH3

VOL=1.5V,VOH=13.5V,

︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

15V

11

 

11

 

11

 

输入低电瓶电压

VIL1

VOH=4.5V,VOL=0.5V,

︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

5V

 

1.5

 

1.5

 

1.5

V

VIL2

VOH=9V,

VOL=1V,

︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

10V

 

3

 

3

 

3

VIL3

VOH=13.5V,VOL=1.5V,

︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

15V

 

4

 

4

 

4

续表l

特性

符号

条件

(若无其他规定VSS=0V)

VDD

规范值

单位

TA=-55℃

TA=25℃

TA=125℃

最小

最大

最小

最大

最小

最大

输出低电平电流

IOL1

V1=5V,

VOL=0.4V

5V

0.64

 

0.51

 

0.36

 

mA

IOL2

V1=15V,

VOL=1.5V

15V

4.2

 

3.4

 

2.4

 

输出高电平电流

IOH1

V1=5V,

VOH=4.6V

5V

-0.64

 

-0.51

 

-0.36

 

nA

IOH2

V1=15V,

VOH=13.5V

15V

-4.2

 

-3.4

 

-2.4

 

输出漏电流

IIH

VIH=15V

15V

 

 

 

10

 

100

ns

IIL

VIL=0V

15V

 

 

-10

 

 

-100

输入试验电压

VZAF

CL=100pF

,R2=1.5KSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

(见4.5.3)

 

 

 

400

 

 

 

V

输入电容

CI

f=1MHz

0V

 

 

 

12

 

 

pF

输出传输延迟时间

tPHL

CL=50pF,

RL=200KSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

5V

11

210

11

210

16

315

ns

tPLH

输出转换时间

tTHL

CL=50pF,

RL=200KSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

5V

15

300

15

300

23

450

ns

tTLH

21

410

21

400

31

615

表2电试验要求

项  目

 

B级器件

B1级器件

分组(见表3)

变化量极限

分组(见表3)

变化量极限

中间(老化前)

电测试

A1

 

 

A1

 

 

中间(老化后)

电测试

 

A1

 

表1O△极限

 

A1

 

表10△极限

最终电测试

A2, A3, A7, A9

 

A2, A3, A7, A9

 

 

A组检验电测试

A1, A2, A3, A4,

A9, A1O,A11

 

A1, A2, A3,

A4,A9

 

B组终点电测试

A1

 

A1

 

 

续表2

项  目

 

B级器件

B1级器件

分组(见表3)

变化量极限

分组(见表3)

变化量极限

C组终点电测试

A1, A2, A3

表10△极限

A1,A2,A3

表10△极限

C组检验增加的电测

试分组

 

不要求

 

 

A1O,A11

 

D组终点电测试

A1,A2.A3

 

A1.A2.A3

 

E组终点电测试

A7.A9

表14△极限

A7、A9

表14△极限

注:1) 该分组要求PDA计算(见本规范4.2条)。

    2) 该分组为辐射加固终点电测试,应按本规范4.5.5条规定。

表3-1 JC4001的电测试

分组

 

符号

 

引用标准

GB 3834

条  件

规范值

单位

 

(若无其他规定,VSS=0,TA=25℃)

最小

最大

A1

 

VIK+

 

VDD接地,Vss开路,输出端开路,被测输入IIK=1 mA

 

1.5

 

V

 

VIK-

 

VDD开路,Vss输出端开路,被测输入IIK=-1 mA

 

-6

 

V

 

IDD

2.15

VDD=15V,VIL=0V,VIH=15V,

 

0.1

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

VOH

2.7

 

VDD=15 V,被测门所有输入接地,其他所有输入V1=15 V,被测输出IOH=0,逐一测试每个门的输出端

14.95

 

V

 

VOL

2.8

 

VDD=15 V,被测门输入依次接VIH=15 V,其他所有输入V1=0V,被测输出IOL=0,逐一测试每个门的输出端

 

0.05

 

V

 

VIH1

2.1

 

VDD=5V,被测门任意输入端为3.5V,另端为1.5V.其它门所有输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOL=0.5V

3.5

 

 

V

 

VIH2

2.1

 

VDD=10V,被测门任意输入端为7V,另端为3V.其它门所有输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOL=1V

7

 

 

 

VIH3

2.1

 

VDD=15V,被测门任意输入端为11V,另端为4V.其它门所有输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOL=1.5V

11

 

 

VIL1

2.2

 

VDD=5V,被测门输入端为1.5V.其它门输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOH=4.5V

 

1.5

 

V

 

VIL2

2.2

 

VDD=10V,被测门输入端为3V.其它门输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOH=9V

 

3

 

VIL3

2.2

 

VDD=15V,被测门输入端为4V.其它门输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOH=13.5V

 

4

 

IOL1

2.12

 

VDD=5V,被测端V1=5V,其它输入端接地,被测输出VOL=0.4V

O.51

 

 

mA

 

续表3 -1

分组

 

符号

 

引用标准

GB 3834

条  件

规范值

单位

 

(若无其他规定,VSS=0,TA=25℃)

最小

最大

A1

IOL2

2.12 

 

VDD=15V,被测端V1=15V,其它输入端接地,被测输出VOL=1.5V

3.4

 

 

 

IOH1

2.11

 

VDD=5V,被测输入端接地,被测输出接VOH=4.6V

-0.51

 

 

mA

 

IOH2

2.11

 

VDD=15V,被测输入端接地,被测输出接VOH=13.5V

-3.4

 

 

IIH

 

2.9

 

VDD=15 V,被测输入端并接VIH=15 V(仅25℃条件下测)

 

80

 

nA

 

VDD=15 V,输入端逐一测VIH=15 V,其它输

入端接地

 

10

 

IIL

2.10

 

VDD=15 V.被测输入端并接VIL=O V(仅25 ℃

条件下测)

 

-80

nA

VDD=15 V,输入端逐一测VIL=O V

 

-10

A2

TA=125℃,除VIK不测外,所有参数、条件同A1分组,规范值按表1。

A3

TA=-55℃,除VIK不测外,所有参数、条件同A1分组,规范值按表1。

A4

CI

3.1

VDD=O V,每个输入端分别测,f=1MHz

 

12

pF

A7

VDD=5 V.功能测试按功能表.

A9

tPHL

3.10

VDD=5V,非被测输入V1=0V,见本规范图4

A,B→Y

 

210

ns

 

tPLH

3.9

tTHL

 

VDD=5V,非被测输入V1=0V,见本规范图4

A,B→Y

 

300

ns

tTLH

 

 

410

A10

TA=125℃,参数、条件同A9分组,规范值按表1。

A11

TA=-55℃,参数、条件同A9分组,规范值按表1。

注:25℃条件下测IIH、IIL时,可选取分别测每个输入端或所有输入端并接测量的方法。

表3-2 JC4002的电测试

分组

 

符号

 

引用标准

GB 3834

条  件

规范值

单位

 

(若无其他规定,VSS=0,TA=25℃)

最小

最大

A1

 

VIK+

 

VDD接地,Vss开路,输出端开路,被测输入IIK=1 mA

 

1.5

V

VIK-

 

VDD开路,Vss接地,输出端开路,被测输入IIK=-1 mA

 

-6

V

IDD

2.15

VDD=15V,VIL=0V,VIH=15V,

 

0.1

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

VOH

2.7

 

VDD=15 V,被测门所有输入接地,其他所有输入V1=15 V,被测输出IOH=0,逐一测试每个门的输出端

14.95

 

V

 

VOL

2.8

 

VDD=15 V,被测门输入依次接VIH=15 V,其他所有输入V1=0V,被测输出IOL=0,逐一测试每个门的输出端

 

0.05

 

V

 

VIH1

2.1

 

VDD=5V,被测门任意输入端为3.5V,另端为1.5V.其它门所有输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOL=0.5V

3.5

 

 

V

 

VIH2

2.1

 

VDD=10V,被测门任意输入端为7V,另端为3V.其它门所有输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOL=1V

7

 

 

 

VIH3

2.1

 

VDD=15V,被测门任意输入端为11V,另端为4V.其它门所有输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOL=1.5V

11

 

 

VIL1

2.2

 

VDD=5V,被测门输入端为1.5V.其它门输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOH=4.5V

 

1.5

 

V

 

VIL2

2.2

 

VDD=10V,被测门输入端为3V.其它门输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOH=9V

 

3

 

VIL3

2.2

 

VDD=15V,被测门输入端为4V.其它门输入端接地,被测输出端︱IO︱≤1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A,VOH=13.5V

 

4

 

IOL1

2.12

 

VDD=5V,被测端V1=5V,其它输入端接地,被测输出VOL=0.4V

O.51

 

 

mA

 

 

 

IOL2

2.12 

 

VDD=15V,被测端V1=15V,其它输入端接地,被测输出VOL=1.5V

3.4

 

 

 

IOH1

2.11

VDD=5V,被测输入端接地,被测输出接VOH=4.6V

-0.51

 

mA

 

 

IOH2

2.11

VDD=15V,被测输入端接地,被测输出接VOH=13.5V

-3.4

 

 

IIH

 

2.9

 

VDD=15 V,被测输入端并接VIH=15 V(仅25℃条件下测)

 

80

 

nA

 

 

VDD=15 V,输入端逐一测VIH=15 V,其它输

入端接地

 

10

 

 

IIL

2.10

 

VDD=15 V.被测输入端并接VIL=O V(仅25 ℃

条件下测)

 

-80

nA

 

VDD=15 V,输入端逐一测VIL=O V

 

-10

续表3-2

分组

 

符号

 

引用标准

GB 3834

条  件

规范值

单位

 

(若无其他规定,VSS=0,TA=25℃)

最小

最大

A2

TA=125℃,除VIK不测外,所有参数、条件同A1分组,规范值按表1。

A3

TA=-55℃,除VIK不测外,所有参数、条件同A1分组,规范值按表1。

A4

CI

3.1

VDD=O V,每个输入端分别测,f=1MHz

 

12

pF

A7

VDD=5 V.功能测试按功能表.

A9

tPHL

3.10

VDD=5V,非被测输入V1=0V,见本规范图4

A,B,C,D→Y

 

210

ns

 

tPLH

3.9

tTHL

 

VDD=5V,非被测输入V1=0V,见本规范图4

A,B,C,D→Y

 

300

ns

tTLH

 

 

410

A10

TA=125℃,参数、条件同A9分组,规范值按表1。

A11

TA=-55℃,参数、条件同A9分组,规范值按表1。

注:25℃条件下测IIH、IIL时,可选取分别测每个输入端或所有输入端并接测量的方法。

a.  JC4001

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范


 JC 4002

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

注:  ①静态老化I :所有输入端接0V.即开关S1置“I”。

      ②静态老化Ⅱ:所有输入端接VDD,即开关S1置“2”。

      ③除VDD和VSS端外,每个引出端应通过一个2~47kSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范电阻器相连接。由于使用、受热或老化,所选电阻的实测值应不超过其标称值的±20%

      ④输出端开关S0可以置“l”或“2”。

      ⑤VDD=15~18V;VSS=OV。

                           图2静态老化试验线路

a.       JC4001

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

b.JC4002

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

注:①除VDD和VSS端外,每个引出端应通过一个2~47kSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范电阻器相连接。由于使用、受热或老化,所选电阻的实测值应不超过其标称值的±20%

②对输入信号的要求:

    a.方波,占空比50%;

    b.频率:25kHz~1MHz;

    c.tf和tf<1SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范S

    d.幅度:最小值为:VSS   -0.5V+10%VDD;最大值为:VSS   +0.5V-10%VDD

③VDD=15V;VSS=OV。

                      图3动态老化和稳态寿命试验线路

JC4001和JC4002

测试线路

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

波形图

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

注:①脉冲发生器:Vm=VDD±1%;tr≤20ns;tf≤20ns;f=200kHz;占空比为50%。

②负载RL=200kSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范.CL=50pF(包括探头夹具电容)。

                            图4开关测试线路和电压波形

4质量保证规定

4.1抽样和检验

    除本规范另有规定外,抽样和检验程序应按GJB 597和GJB 548方法5005的规定。

4.2筛选

    在鉴定检验和质量一致性检验之前,全部器件应按GJB 548方法5004和本规范表4的规定进行筛选。

若无其他规定,表4中引用的试验方法系指GJB548。

表4筛选

筛选项目

 条件和要求

说  明

B级器件

B1级器件

方法

条件

方法

条件

内部目检

 

(封装前)

2010

 

 

试验条件B

 

 

 

2010

 

试验条件B

 

 

 

 

 

稳定性烘焙(不

要求终点电测

试)

1008

 

 

 

 

试验条件C

(150℃.24h)

 

1008

 

 

 

 

试验条件C

(150℃.24h)

 

 

温度循环

 

1010

 

试验条件C

 

1010

 

试验条件C

 

可用方法1011

试验条件A替代

恒定加速度

 

2001

 

试验条件E

Y1方向

2001

 

试验条件D

Y1方向

 

 

续表4.

筛选项目

条件和要求

说  明

B级器件

B1级器件

方法

条件

方法

条件

目检

 

 

 

 

 

 

 

 

可在“密封”筛选后进行。引

线断落、外壳破裂、封盖脱落

为失效

中间(老化前)

电测试

 

 

本规范A1分组

 

 

 

本规范A1分组

 

 

测试并剔除A1分组不合格

品,并记录要求(△)测试的

IDD、IOL、IOH的值

老化

 

静态

老化

1015

 

试验条件B

(125℃.160h)

1015

 

试验条件B

(125℃.160h)

 

采用本规范图2或图3线路

 

动态

老化

 

 

 

不要求

 

 

试验条件D或E

 

(125℃.160h)

B1级器件可选取静态、动态老

化的其中一种方式

 

 

中间(老化后)

电测试

 

 

本规范A1分组

和表1O△极限

 

本规范A1分组

和表1O△极限

 

允许不合格品

率(PDA)计算

 

 

 

 

 

5%.本规范A1

分组,当不合格

品率不超过

10%时,可重新

提交老化,但只

允许一次

 

10%.本规范

A1分组,当不

合格品率不超

过20%时,可重

新提交老化,但

只允许一次

用老化失效数(包括超过A1

分组规范值和△极限值的器

件)除以提交老化的合格器件

数即为PDA

 

 

密封

细检漏

粗检漏

1014

 

 

 

1014

 

 

 

 

最终电测试

 

 

 

本规范A2、A3、

A7、A9分组

 

 

本规范A2、A3、

A7、A9分组

 

本项筛选后,若引线涂覆改变

或返工.则应再进行A1分组

测试

外部目检

2009

 

2009

 

 

鉴定和质量一

致性检验的试

验样品抽取

5005

 

 

第3.5条

 

 

5005

 

 

第3.5条

 

 

 

4.3鉴定检验  

    鉴定检验应按GJB 597的规定。所进行的检验应符合GJB 548方法5005和本规范A、B、

C、D和E组检验(见本规范4.4.1条至4.4.5条)的规定。

4.4质量一致性检验

    质量一致性检验应按GJB 597的规定和本规范的规定。所进行的检验应按GJB 548方法

5005和本规范A、B、C、D和E组检验(见本规范4.4.1条至4.4.5条)的规定。

4.4.1 A组检验

    A组检验应按本规范表5的规定。

    电试验要求应按本规范表2的规定,各分组的电测试按本规范表3的规定。

    各分组的测试可用一个样本进行。当所要求的样本大小超过批的大小时,允许100%检

验。各分组测试可按任意顺序进行。

合格判定数(c)最大为2。

表5      A组检验

试 验

 

LTPD

B级器件

B1级器件

A1分组

25℃下静态测试

 

2

 

2

A2分组

125℃下静态测试

 

 3

 

3

A3分组

-55℃下静态测试

 

5

 

5

A4分组

25℃下动态测试(C1)1)

 

2

 

2

A9分组

25℃下开关测试

 

2

 

2

A10分组

125℃下开关测试

 

3

 

不要求

A11分组

- 55℃下开关测试

 

5

 

不要求

注:1)仅在初始鉴定和工艺、设计改进时才进行该分组测量(即在1MHz频率下测量指定输入端和VSS间的电容)。

4.4.2   B组检验

  B组检验应按本规范表6的规定。

  B1~B5分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。

  若无其他规定,表中引用的试验方法系指GJB 548。

表6     B组检验

试验

条件和要求

样品数/

说明

B级器件

B1级器件

(接收数)

或LTPD

方法

条  件

方法

条  件

B1分组

尺寸

 

2016

 

 

2016

 

 

2/(0)

 

 

 

B2分组

抗溶性

 

 

2015

 

 

 

 

2015

 

 

4/(0)

 

 

 

B3分组

 

可焊性

 

 

 

 

2022

2003

 

 

焊接温度:

245±5℃

 

 

 

2022

2003

 

 

焊接温度:

245±5℃

 

 

15

 

 

 

 

LTPD系对引线数而

言,被试器件数应不

少于3个

 

B4分组

内部目检和

机械性能

 

2014

 

 

 

2014

 

 

1/(0)

 

 

 

B5分组

 

键合强度

(l)热压焊

(2)超声焊

 

 

 

2011

 

 

 

 

 

试验条件C

或D

 

 

 

 

2011

 

 

 

 

 

试验条件C

或D

 

 

 

7

 

 

 

 

 

可在封装前的“内

部目检”筛选后,

随机抽取样品进行

 

本分组试验

B8分组

 

(a)电测试

(b)静电放电

灵敏度等级

(c)电测试

 

 

 

GJB

×××

 

 

 

本规范A1分组

 

 

本规范A1分组

 

 

 

GJB

×××

 

 

 

本规范A1分组

 

 

本规范A1分组

 

15/(0)

 

 

 

 

 

至少在鉴定或产品

重新设计时应进行

 

 

 

B9分组

输入高压

( VZAP)试验

 

 

 

本规范4.5.3条

 

 

 

本规范4.5.3条

15

 

 

 

仅在初始鉴定和工

艺设计改变时进行

4.4.3C组检验  

    C组检验应按本规范表7的规定。

若无其他规定,表中引用的试验方法系指GJB 548。

表7C组检验

试验

条件和要求

样品数/

(接收数)

或LTPD

 

说  明

 

B级器件

B1级器件

方法

条  件

方法

条  件

C1分组

 

稳态寿命

 

 

终点电测试

 

 

 

 

 

1005

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件D

或试验条件E

(125℃.1000h)

本规范A1、A2、

A3和表1O△极

限(见本规范表2

和表3)

 

 

1005

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件D

或试验条件E

(125℃.1000h)

本规范A1、A2、

A3和表1O△极

限(见本规范表2

和表3)

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

采用本规范图3线

路或等效线路

 

 

A1分组要求测试并

计算△极限值(见

本规范4.5.2条)

C2分组

 

温度循环

恒定加速度

 

密封

细检漏

粗检漏

目检

 

终点电测试

 

 

 

 

1010

2001

 

1014

 

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件C

试验条件E

Y1方向

 

 

 

按方法1010

的目检判据

本规范A1、A2、A3

(见本规范表2和

表3)

 

 

1010

2001

 

1014

 

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件C

试验条件D

Y1方向  

 

 

 

按方法1010

的目检判据

本规范A1、A2、A3

(见本规范表2和

表3)

 

15;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C3分组

 

125℃下

开关测试

 

 

 

不要求

 

 

 

 

本规范A10分组

(见表2和表3)

 

3

 

 

 

C4分组

 

一55℃下

开关测试

 

 

 

不要求

 

 

 

 

本规范A11分组

(见表2和表3)

 

5

 

 

 

4.4.4D组检验

    D组检验应按本规范表8的规定。

    D1、D2、D5、D6、D7和D8分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。

若无其他规定,表中引用的试验方法系指GJB 548。

表8        D组检验

试验

条件和要求

样品数/

(接收数)

或LTPD

 

说  明

 

B级器件

B1级器件

方法

条  件

方法

条  件

D1分组

尺寸

 

2016

 

 

2016

 

 

15

 

 

D2分组

引线牢固性

密封

细检漏

粗检漏

 

2004

1014

 

 

 

试验条件B2

 

 

 

 

2004

1014

 

 

 

试验条件B2

 

 

 

15

 

 

 

 

 

D3分组

热冲击

 

温度循环

 

抗潮湿

 

 

密封

细检漏

粗检漏

目检 

 

 

终点电测试

 

 

 

 

1011

 

1010

 

1004

 

 

1014

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件B

15次循环

试验条件C

100次循环

 

 

 

 

 

 

按方法1004

和1010的目

检判据

本规范A1、A2

和A3分组

(见本规范表2

和表3)

 

1011

 

1010

 

1004

GB4590

1014

 

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件A

15次循环

试验条件C

10次循环

 

 

 

 

 

 

按方法1004

和1010的目

检判据

本规范A1、A2

和A3分组

(见本规范表2

和表3)

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B1级器件可按

GB 4590第3.6条

严格度:D

 

 

 

B1级器件可按

GB4590第3.6条

的目检判据

可在“抗潮湿”后

和“密封”试验前

进行终点测试

 

D4分组

机械冲击

变频振动

恒定加速度

 

密封

细检漏

粗检漏

目检

 

终点电测试

 

 

 

2002

2007

2001

 

1014

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件B

试验条件A

试验条件E

Y1方向  

 

 

 

按方法2002或

2007的目检判据

本规范A1、A2

和A3分组(见表2

和表3)

 

2002

2007

2001

 

1014

 

 

 

 

 

 

 

 

试验条件A

试验条件A   

试验条件D

Y1方向

 

 

 

按方法2002或

2007的目检判据

本规范A1、A2

和A3分组(见表2

和表3)  

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D3分组的样品

可用在D4分组

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

续表8

试验

条件和要求

样品数/

(接收数)

或LTPD

 

说  明

 

B级器件

B1级器件

方法

条  件

方法

条  件

D5分组

盐雾

 

密封

细检漏

粗检漏

目检

 

 

1009

 

1014

 

 

 

 

 

试验条件A

 

 

 

 

按方法1009

的目检判据

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

对B1级器件用户要

求时进行该分组试

 

 

 

 

D6分组

内部水汽含

 

 

 

 

 

 

 

1018

 

 

 

 

 

 

 

 

100℃时最大

水汽含量为

5000ppm

 

 

 

 

 

 

不要求

 

 

 

 

 

 

 

 

3/(0)或

5(1)

 

 

 

 

 

 

 

当试验3个器件出

现1个失效时.可加

试两个器件并且不

失效。若第一次试

验未通过时.可在

鉴定机构认可的另

一试验室进行第二

次试验,若试验通

过,则该批应被接收

D7分组

引线涂覆

粘附强度

 

2025

 

 

 

 

2025

 

 

 

15

 

 

LIPD系对引线数而

 

D8分组

封盖扭矩

 

 

2024

 

 

仅用于熔封

陶瓷外壳

 

2024

 

 

仅用于熔封

陶瓷外壳

5/(0)

 

 

 

4.4.5   E组试验

仅对有辐射加固标志保证有要求的器件才进行E组检验(见本规范3.6.1条)。

E组检验应按本规范表9的规定。

若无其他规定,表中引用的试验方法系指GJB-548。

表9E组检验

 

试验

条件和要求

样品数/

(接收数)或LTPD

 

说  明

 

B级器件

B1级器件

方法

条  件

方法

条  件

E2分组

稳态辐照

总剂量

(a)鉴定

 

 

(b)质量一致

性检验

终点电测试

 

 

1019

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TA=25℃

VDD=1OV

 

 

 

 

 

A1、A7分组

及表14

 

1019

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TA=25℃

VDD=1OV

 

 

 

 

 

Al、A7分组

及表14

 

 

 

 

15/0

 

11/0

 

 

 

 

 

 

 

3个晶片批,每批5

个器件

按晶片批

 

按本规范4.5.5条

规定

4.5检验方法

    检验方法按下列规定:

4.5.1  电压和电流

    所有给出电压以器件VSS端为基准,给定的电流以流入器件引出端为正。

4.5.2  老化和寿命试验冷却程序

    被试器件( DUT)在完成试验之后应先冷却到25±3℃才能去掉偏置电压,然后再进行电

参数终点测试。

表10     25℃下的变化量极限

参  数

VDD

变化量极限(△)

IDD

15V

±100nA

IOL

5V

±20%

IOH

5V

±20%

注:1)老化和寿命试验前后应记录每个参数,以确定变化量(△)。

4.5.3   输入保护电路的高压(VZAP)试验

    被测器件(DUT)的所有输入端(最多4个)应经受由充电到400V的100pF电容产生的电

压脉冲。该破坏试验应采用图5试验线路,按下列规定进行。

    a.  25℃下测量选定输入端的IIL和IIH.在最大VDD下每个被试输入端的试验规范值为

±1OOnA。

    25C下测量被试器件(DUT)的IDD.在最大VDD下试验规范值最大增加表3规定的IDD

规范值的20%。

    b.高压试验方式(见表11).每种试验要求首先将S1置于位置“1”,使C1充电到VZAP

然后将S1置于位置“2”,将VZAP加到被试器件(DUT)。


SJ 20277-93      表11高压试验的方式

方  式

正  端

负  端

1

VDD

输入端

2

输入端

VSS

3

输入端

相关输出端

   C.在24h内按上述操作重复测量同一引出端IDD,IIL,IIH,如果VZAP试验后被测器

件(DUT)的漏电流超过规定的试验规范值,则该器件视为失效。

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

    VZAP=400V(C1充电电压);

    1MSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范≤R1≤50MSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

    R2=1.5kSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

    C1=1OOpF;

    S1为水银“无触点”继电器。

                      图5高压(VZAP)试验线路

4.5.4电源电流(IDD)的测试

    进行电源电流测量时,电表的安置应使全部电流流过该电表。

4.5.5  辐射加固保证(RHA)试验

    RHA试验应按GJB 548方法5005表V和本规范表9规定的试验程序和抽样进行。

    a.辐射前,抽取的样品应经过25℃下的A1分组电测试合格;并进行阈值电压(VTN

VTP)的测试以便计算辐射后阈值变化量(△VT)。样品应放置在合格的包装之中。

    b.阈值电压试验线路条件应按表12和图6的规定。

    c.对于被试的RHA等级,器件应经受GJB597中规定时总剂量辐射。辐射期间,器件

应按表13的规定加偏置电压,且在整个过程中,始终保持偏置。

    d.  辐射后,器件应进行“原处测试”或“移地测试”。作移地测试时,器件应使用可动偏置夹具,并按规定保持其温度和偏置。移动偏置时,偏置的中断时间不得超过1分钟。

e.  辐射后器件在25℃下的终点电测试,电参数应符合本规范表14的规定。A7分组的功能测试按本规范表3规定。终点电测试应在辐射后2小时内完成。

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范

图6阈值电压试验线路

表12阈值电压试验条件

器件型号

 

测试VTN

测试VTP

-10V

10SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

-10V

10SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A

JC4001

l

14

2,5,6,7,8,9,12,13

1

 2,5,6,7,8,9,12,13

14

JC4002

2

14

3,4,5,7,9,10,11,12

2

3,4,5,7,9,10,11,12

14

注:①B级与B1级器件阈值电压测试方法、条件、引出端连接完全相同。

②B1级器件只是在辐照后,实测静态电流IDD上增加10SJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范A条件下测量开启电压(VTN、VTP)。

表13辐射期间的偏置

器件型号

 

引出端连接

1OV(通过30~60kSJ 20277-1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范电阻)

VSS接地

VDD=10V

JC4001

1, 2, 5, 6, 8, 9, 12, 13

7

14

JC4002

2,3,4,5,9,10,11,12

7

14

表14 25℃下的辐射加固终点电参数

参  数

VDD

范  围

VTN

10V

最小0.3V

VTP

10V

最大2.8V

△VT

10V

最大1.4V

IDD

15V

100×最大规范值

tPLH

5V

1.35×最大规范值

tPHL

5V

1.35×最大规范值

4.6数据报告

    当采购文件有规定时,应提供下列数据的副本。

    a.  所有筛选试验的特征数据(见本规范4.2条)和所有老化和稳态寿命试验的变化数据(见本规范3.5条)。

    b.  质量一致性检验数据(见本规范4.4条)。

    c.  老化期间的参数分布数据(见本规范3.5条)

    d.最后电测试数据(见本规范4.2条)。

5交货准备

5.1包装要求

    包装要求应按GJB 597的规定。

6说明事项

6.1订货资料

    订货合同应规定下列内容: 

    a.  完整的器件编号(见1. 3.1条);

    b.  需要时,对器件制造厂提供与所交付器件相应的检验批质量一致性检验数据的要求:

    c.  需要时,对合格证的要求;

    d.  需要时,对产品或工艺更改时通知采购单位的要求;

    e.  需要时.对失效分析(包括GJB 548方法5003所要求的试验条件)、纠正措施和结果提供报告的要求;

    f.  对产品保证选择的要求;

    g.  需要时,对特殊载体、引线长度或引线形式的要求;

    h.  对认证标志的要求;

    i.  需要时,对总剂量辐射试验的要求;

    j.  需要时,其它要求。

6.2缩写、符号和定义

    本规范所用的缩写、符号和定义GB 3431.1、GB 3431.2和GJB 597的规定。

6.3替代性

    本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。不允许用普通工业用器件替代军用器

件。

6.4操作

    器件必须采取防静电措施进行操作

    推荐下列操作措施:

    a.  器件应在防静电的工作台上操作。

    b.  试验设备和器具应接地。

    c.  不能触摸器件引线。

    d.  器件应存放在导电材料或容器中。

    e.  MOS区域内避免使用塑料、橡胶或丝织物。

f.  若可行,相对湿度保持在50%以上。

附加说明:

本规范由中国电子技术标准化研究所归口。

本规范由中国电子技术标准化研究所起草。

本规范主要起草人:李燕荣。

计划项目代号:B0105

2431
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最新评论
  • 张春荣 发表于 2014-3-18 9:24:03

    zcr8818@sina.comSJ 20277 1993 半导体集成电路JC4001.JC4002型 CMOS或非门详细规范,现需参考此标准,请协助提供下载。谢谢!

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